Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK4196LS-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4196ls-datasheets-0007.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | е3 | НЕТ | 3 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 13 нс | 32нс | 18 нс | 39 нс | 5А | 30В | 500В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 5А | N-канал | 360пФ при 30В | 1,56 Ом при 2,8 А, 10 В | 5А Ц | 14,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3476-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch3476tlh-datasheets-0652.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 4 недели | 3 | СК-70ФЛ/MCPH3 | 128пФ | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 2А | 12 В | 20 В | 800мВт Та | N-канал | 128пФ при 10В | 125 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 2А Та | 1,8 нк @ 4,5 В | 125 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R460CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r460cexksa1-datasheets-0791.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 9нс | 10 нс | 70 нс | 9,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 74 Вт Тк | 26А | 0,46 Ом | N-канал | 620пФ при 100В | 460 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9.1А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4К705НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 38 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQK0607AQDQS#H1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rqk0607aqdqsh1-datasheets-7685.pdf | ТО-243АА | 16 недель | 4 | да | EAR99 | Нет | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 33нс | 5 нс | 26 нс | 2,4А | 12 В | Одинокий | 60В | 1,5 Вт Та | N-канал | 170пФ при 10В | 270 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 2,4А Та | 2 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н900У1-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ndd60n900u11g-datasheets-7774.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 5 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 5,7А | Одинокий | 600В | 74 Вт Тк | 5,9А | N-канал | 360пФ при 50В | 900 мОм при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,7 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2299WP-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-hat2299wpele-datasheets-7692.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | 20 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 25 Вт Тс | 0,11 Ом | N-канал | 710пФ при 25 В | 110 мОм при 7 А, 10 В | 14А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01C-TB-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-3lp01ctbh-datasheets-4067.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 250 мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 250мВт Та | -30В | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5002DPD-00#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk5002dpd00j2-datasheets-7703.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | EAR99 | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 2,4А | Одинокий | 500В | 30 Вт Тс | N-канал | 165пФ при 25В | 5 Ом при 1,2 А, 10 В | 2,4А Та | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ80Н04С2Х4АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 14 недель | да | EAR99 | АЭК-Q101 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 80А | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 300 Вт Тс | 320А | 0,004 Ом | 660 мДж | N-канал | 4400пФ при 25В | 3,7 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 148 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К670НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c670nlwfaft1g-datasheets-4576.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 39 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 71А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 2В | 3,6 Вт Та 61 Вт Тс | 440А | 166 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,1 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та 71А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9840-55/КУКС | Нексперия США Инк. | 2,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk984055cux-datasheets-7687.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 12 недель | 4 | СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Олово | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | 17 нс | 65нс | 70 нс | 70 нс | 10,7А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 8,3 Вт Тс | 5А | 60 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 40 мОм при 5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 5А Та 10,7А Ц | 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6320-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch6320tle-datasheets-0093.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | 6 | да | 8,8 нс | 80 нс | 50 нс | 41 нс | 3,5 А | 10 В | 12 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 405пФ при 6В | 70 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3475-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch3475tle-datasheets-2549.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 6 недель | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 3,4 нс | 3,6 нс | 4 нс | 10,5 нс | 1,8 А | 20 В | 30В | 800мВт Та | N-канал | 88пФ при 10В | 180 мОм при 900 мА, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 1,8 А Та | 2 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2813Т1Л-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 27А | 30В | 1,5 Вт Та 52 Вт Тс | P-канал | 3130пФ при 10 В | 6,2 мОм при 27 А, 10 В | 27А ТЦ | 80 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3430-З-Е1-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3430az-datasheets-7624.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 110 нс | 1,8 мкс | 350 нс | 170 нс | 80А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,5 Вт Та 84 Вт Тс | N-канал | 2800пФ при 10 В | 7,3 мОм при 40 А, 10 В | 80А Ц | 50 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2812Т1Л-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2812t1le1at-datasheets-7648.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 30А | 30В | 1,5 Вт Та 52 Вт Тс | P-канал | 3740пФ при 10 В | 4,8 мОм при 30 А, 10 В | 30А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2131R-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-hat2131rele-datasheets-7649.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | 900 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350В | 350В | 2,5 Вт Та | 0,9 А | 7,2А | 3,2 Ом | N-канал | 460пФ при 25В | 3 Ом при 450 мА, 10 В | 900 мА Та | 20 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3431-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | $14,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3431az-datasheets-7662.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 120 нс | 1,8 мкс | 440 нс | 350 нс | 83А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,5 Вт Та 100 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0089Ом | N-канал | 6100пФ при 10 В | 5,6 мОм при 42 А, 10 В | 83А Тк | 110 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3431-З-Е1-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3431az-datasheets-7662.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 3 | 3 | Полевой транзистор общего назначения | 120 нс | 1,8 мкс | 440 нс | 350 нс | 83А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 6100пФ при 10 В | 5,6 мОм при 42 А, 10 В | 83А Тк | 110 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H7N1002LSTL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-h7n1002lse-datasheets-7603.pdf | СК-83 | 2 | 16 недель | EAR99 | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 75А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 100 Вт Тс | 300А | 0,015 Ом | N-канал | 9700пФ при 10 В | 10 мОм при 37,5 А, 10 В | 75А Та | 155 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0355DSP-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | $6,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0355dsp00j0-datasheets-3851.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 12А | 30В | 1,8 Вт Та | N-канал | 860пФ при 10 В | 11,1 мОм при 6 А, 10 В | 12А Та | 6 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTP8G202NG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-ntp8g202ng-datasheets-7610.pdf | ТО-220-3 | 10,53 мм | 15,75 мм | 4,83 мм | Без свинца | 14 недель | Нет СВХК | 3 | да | 6,2 нс | 9,7 нс | 9А | 18В | 600В | 2,1 В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 400В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 9А Тц | 9,3 нк при 4,5 В | 8В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N0439N-S19-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-n0439ns19ay-datasheets-7615.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 90А | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 147 Вт Тс | N-канал | 5850пФ при 25 В | 3,3 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р450Е6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ E6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipd60r450e6btma1-datasheets-5327.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | 3,949996 г | 3 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 9нс | 10 нс | 70 нс | 9,2А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 74 Вт Тк | 26А | 0,45 Ом | 600В | N-канал | 620пФ при 100В | 450 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9,2 А Тс | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3430-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3430az-datasheets-7624.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 110 нс | 1,8 мкс | 350 нс | 170 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,5 Вт Та 84 Вт Тс | ТО-220АБ | 200А | N-канал | 2800пФ при 10 В | 7,3 мОм при 40 А, 10 В | 80А Ц | 50 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖК6014ДПК-00#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6014dpk00t0-datasheets-7627.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 16А | 600В | 150 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 25В | 575 мОм при 8 А, 10 В | 16А Та | 45 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2287WP-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-hat2287wpele-datasheets-7629.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | 20 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 17А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 200В | 200В | 30 Вт Тс | 34А | 0,094Ом | N-канал | 1200пФ при 25В | 94 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 26 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6024DPH-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0349DSP-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjk0349dsp00j0-datasheets-1951.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8-СОП | 3,85 нФ | 20А | 30В | 2,5 Вт Та | N-канал | 3850пФ при 10В | 3,8 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 25 НК при 4,5 В | 3,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
