Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИПА80Р1К4CEXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa80r1k4cexksa1-datasheets-7099.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | ОДИНОКИЙ | 1 | 25 нс | 15 нс | 12 нс | 72 нс | 2,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 31 Вт Тс | ТО-220АБ | 12А | 170 мДж | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом при 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 2,8 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ03Н40ЗТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ndt03n40zt3g-datasheets-7103.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 13 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500 мА | 400В | 2 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 50В | 3,4 Ом при 600 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 500 мА Тс | 6,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1452-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1452tlw-datasheets-3452.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 3А | Одинокий | 250В | 1 Вт Та 26 Вт Тс | 3А | N-канал | 210пФ при 20В | 2,4 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 3А Та | 4,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ02Н60ЗТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600В | 2 Вт Тс | N-канал | 170пФ при 25В | 8 Ом при 700 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 300 мА Тс | 7,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R650CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipd60r650ceauma1-datasheets-8104.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 8нс | 11 нс | 58 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 63 Вт Тс | 0,65 Ом | N-канал | 440пФ при 100В | 650 мОм при 2,4 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 7А Тк | 20,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipd60r800ceauma1-datasheets-3307.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 7нс | 12 нс | 50 нс | 5,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 48 Вт Тс | 0,8 Ом | 72 мДж | 600В | N-канал | 373пФ при 100 В | 800 мОм при 2 А, 10 В | 3,5 В @ 170 мкА | 5,6 А Тс | 17,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1443-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1443tlw-datasheets-6758.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 | да | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 10 нс | 24 нс | 34 нс | 9А | 20 В | Одинокий | 1 Вт Та 19 Вт Тс | 9А | 100 В | N-канал | 490пФ при 20 В | 225 мОм при 3 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 9А Та | 9,8 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р1К5СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipd60r1k5ceauma1-datasheets-9259.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 343,085929мг | да | 1 | Одинокий | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 8 нс | 7нс | 20 нс | 40 нс | 3,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 28 Вт Тс | 5А | 8А | 26 мДж | N-канал | 200пФ при 100В | 1,5 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,5 В @ 90 мкА | 3,1 А Тс | 9,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1458-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1458h-datasheets-7145.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 6 нс | 11нс | 60 нс | 12 нс | 1А | 30 В | 600В | 1 Вт Та 38 Вт Тс | N-канал | 65пФ при 20В | 13 Ом при 500 мА, 10 В | 1А Та | 3,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА80Р650CEXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa80r650cexksa2-datasheets-9271.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 1 | 25 нс | 15 нс | 10 нс | 72 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 33 Вт Тс | ТО-220АБ | 8А | 24А | 0,65 Ом | N-канал | 1100пФ при 100В | 650 мОм при 5,1 А, 10 В | 3,9 В при 470 мкА | 4,5 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS65R1K0CEAKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips65r1k0ceakma1-datasheets-7161.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Содержит свинец | 3 | 6 недель | 343,085929мг | 3 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 6,6 нс | 5,2 нс | 13,6 нс | 41 нс | 4,3А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 37 Вт Тс | 1 Ом | 50 мДж | 650В | N-канал | 328пФ при 100В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 4,3 А Тс | 15,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQB27N25TM-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqi27n25tuf085-datasheets-5207.pdf&product=onsemiconductor-fqb27n25tmf085-6923985 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 1,31247 г | 110мОм | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 36 нс | 122 нс | 60 нс | 81 нс | 25,5А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250В | 250В | 417 Вт Тс | 972 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 131 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 25,5 А Тс | 49 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4962НФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р1К0СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r1k0ceauma1-datasheets-5712.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 343,085929мг | да | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 10 нс | 8нс | 13 нс | 60 нс | 4,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 37 Вт Тс | 1 Ом | 46 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,3 А Тс | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1443-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1443tlh-datasheets-6943.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 19 Вт | 1 | 8 нс | 10 нс | 24 нс | 34 нс | 9А | 20 В | 100 В | 1 Вт Та 19 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 20 В | 225 мОм при 3 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 9А Та | 9,8 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips65r1k5ceakma1-datasheets-6978.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Содержит свинец | 3 | 6 недель | 343,085929мг | да | EAR99 | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 7,7 нс | 5,9 нс | 18,2 нс | 33 нс | 3,1А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 28 Вт Тс | 8,3А | 26 мДж | N-канал | 225пФ при 100В | 1,5 Ом при 1 А, 10 В | 3,5 В при 100 мкА | 3,1 А Тс | 10,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipd60r2k1cebtma1-datasheets-6982.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | 3 | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 7нс | 50 нс | 30 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 22 Вт Тс | 6А | 600В | N-канал | 140пФ при 100В | 2,1 Ом при 760 мА, 10 В | 3,5 В @ 60 мкА | 2,3 А Тс | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHK04P02T,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-phk04p02t518-datasheets-6996.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 5 Вт | 1 | 2 нс | 4,5 нс | 20 нс | 45 нс | 4,66А | 8В | -16В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 16В | 5 Вт Тс | МС-012АА | 0,15 Ом | -16В | P-канал | 528пФ при 12,8 В | 120 мОм при 1 А, 4,5 В | 600 мВ при 1 мА | 4,66 А Тс | 7,2 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА60Р800CEXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd60r800ceauma1-datasheets-3307.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 6 недель | 2,299997г | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 9 нс | 7нс | 12 нс | 50 нс | 5,6А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 27 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,8 Ом | 72 мДж | 600В | N-канал | 373пФ при 100 В | 800 мОм при 2 А, 10 В | 3,5 В при 170 мкА | 5,6 А Тс | 17,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50Р650CEXKSA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa50r650cexksa2-datasheets-7023.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 6 нс | 5нс | 13 нс | 27 нс | 4,6А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 27,2 Вт Тс | ТО-220АБ | 6,1А | 19А | 0,65 Ом | 102 мДж | N-канал | 342пФ при 100 В | 650 мОм при 1,8 А, 13 В | 3,5 В при 150 мкА | 4,6 А Тс | 15 НК при 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА80R1K0CEXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa80r1k0cexksa1-datasheets-7044.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 3 | да | ОДИНОКИЙ | 1 | 25 нс | 15 нс | 8 нс | 72 нс | 3,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 32 Вт Тс | ТО-220АБ | 5,7А | 18А | 0,95 Ом | N-канал | 785пФ при 100 В | 950 мОм при 3,6 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 3,6 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipd60r1k0ceauma1-datasheets-5712.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 8нс | 13 нс | 60 нс | 4,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 37 Вт Тс | 1 Ом | 46 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,3 А Тс | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА80Р310CEXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa80r310cexksa2-datasheets-7944.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | ОДИНОКИЙ | 1 | 25 нс | 15 нс | 6 нс | 72 нс | 6,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 35 Вт Тс | ТО-220АБ | 16,7А | 51А | 670 мДж | N-канал | 2320пФ при 100В | 310 мОм при 11 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 6,8 А Тс | 91 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R400CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-ips60r400ceakma1-datasheets-2077.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,55 мм | Без свинца | 2 | 3,949996 г | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 112 Вт | 1 | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 9нс | 8 нс | 56 нс | 14,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | 30А | 0,4 Ом | 600В | N-канал | 700пФ при 100В | 400 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В при 300 мкА | 10,3 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ2502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 3,01 нФ | 106А | 150 В | 6,2 Вт Ta 277 Вт Tc | N-канал | 3010пФ при 75В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 5,1 В @ 250 мкА | 16А Та 106А Ц | 60 НК при 10 В | 10,7 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG7702SFG-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg7702sfg7-datasheets-0641.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 6 недель | 72,007789мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 15,8 нс | 27,8 нс | 13,6 нс | 29,7 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 890мВт Та | 9,5А | N-канал | 4310пФ при 15 В | 10 мОм при 13,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Та | 14,7 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6354-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-cph6354tlw-datasheets-6092.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 15 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5,8 нс | 12нс | 40 нс | 78 нс | 4А | 20 В | 60В | 1,6 Вт Та | 4А | -60В | P-канал | 600пФ при 20В | 100 мОм при 2 А, 10 В | 4А Та | 14 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3012SFG-13 | Диодс Инкорпорейтед | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dms3012sfg7-datasheets-0270.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 6 недель | 72,007789мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 15,8 нс | 27,8 нс | 13,6 нс | 29,7 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 890мВт Та | 9,5А | 0,01 Ом | 30 В | N-канал | 4310пФ при 15 В | 10 мОм при 13,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Та | 14,7 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8805EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8805edbt2e1-datasheets-6973.pdf | 4-XFBGA | 4 | 15 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 4 | 1 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 13нс | 17 нс | 25 нс | -3,1А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 8В | 500мВт Та | 0,088Ом | P-канал | 68 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ3413Л-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg3413l7-datasheets-6875.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 9,7 нс | 17,7 нс | 64,2 нс | 268,8 нс | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВт Та | 2,5 А | 0,095Ом | 20 В | P-канал | 857пФ при 10 В | 95 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 9 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В |
