Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТК4П60ДА(Т6РСС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 80 Вт | 1 | 18нс | 8 нс | 3,5 А | 30 В | 600В | 80 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 25В | 2,2 Ом при 1,8 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 11 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP90N04MUG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04mugs18ay-datasheets-4496.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 42 нс | 12нс | 17 нс | 92 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 217 Вт Тс | ТО-220АБ | 360А | 0,003Ом | N-канал | 11200пФ при 25В | 3 м Ом при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 182 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn3029lfg7-datasheets-4501.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 15 недель | Нет СВХК | 8 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 5,3А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1 Вт Та | 8А | N-канал | 580пФ при 15В | 18,6 мОм при 10 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 5.3А Та | 11,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4А55Д(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 24 недели | Нет | ТО-220СИС | 490пФ | 18нс | 8 нс | 4А | 30 В | 550В | 35 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 25В | 1,88 Ом при 2 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 4А Та | 11 нк @ 10 В | 1,88 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP36P04KDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np36p04kdge1ay-datasheets-4510.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 26 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 10 нс | 140 нс | 250 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 56 Вт Тс | 0,0235Ом | 72 мДж | P-канал | 2800пФ при 10 В | 17 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 36А Тк | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP107-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-atp107tlh-datasheets-4514.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | Без свинца | 3,949996 г | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 17 нс | 260 нс | 160 нс | 190 нс | 50А | 20 В | 40В | 50 Вт Тс | P-канал | 2400пФ при 20В | 17 мОм при 25 А, 10 В | 50А Та | 47 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP36P06SLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np36p06slge1ay-datasheets-4518.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 12нс | 110 нс | 190 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,2 Вт Та 56 Вт Тс | ТО-252АА | 0,04 Ом | P-канал | 3200пФ при 10 В | 30 мОм при 18 А, 10 В | 36А Тк | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП58Д0ЛФБ-7Б | Диодс Инкорпорейтед | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmp58d0lfb7-datasheets-9204.pdf | 3-УФДФН | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 470мВт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 180 мА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 0,18А | 8Ом | P-канал | 27пФ при 25В | 8 Ом при 100 мА, 5 В | 2,1 В при 250 мкА | 180 мА Та | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Диодс Инкорпорейтед | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn62d0lfb7b-datasheets-4483.pdf | 3-УФДФН | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | 470мВт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3 | 1 | 100 мА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2Ом | 6 пФ | N-канал | 32пФ при 25В | 2 Ом при 100 мА, 4 В | 1 В при 250 мкА | 100 мА Та | 0,45 нк при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK4A53D(STA4,Q,M) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 24 недели | 3 | Нет | ТО-220СИС | 490пФ | 18нс | 8 нс | 4А | 30 В | 525В | 35 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 25В | 1,7 Ом при 2 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 4А Та | 11 нк @ 10 В | 1,7 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК20А25Д,С5К(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220СИС | 250В | 45 Вт Тс | N-канал | 2550пФ при 100В | 100 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В при 1 мА | 20А Та | 55 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP88N075MUE-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np88n075kuee1ay-datasheets-4467.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | ТО-220-3 | 12,3 нФ | 35 нс | 28нс | 16 нс | 105 нс | 88А | 20 В | 75В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | N-канал | 12300пФ при 25В | 8,5 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 88А Тк | 230 НК при 10 В | 8,5 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4П50Д(Т6РСС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 12 недель | 3 | Нет | 80 Вт | 1 | 15 нс | 7 нс | 4А | 30 В | 500В | 80 Вт Тс | N-канал | 380пФ при 25В | 2 Ом при 2 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 4А Та | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИХГ30Н60Е-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sihg30n60ege3-datasheets-4581.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 17 недель | 38.000013г | Неизвестный | 125 мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 250 Вт | 1 | ТО-247АС | 2,6 нФ | 19 нс | 32нс | 36 нс | 63 нс | 29А | 20 В | 600В | 2В | 250 Вт Тс | 125 мОм | N-канал | 2600пФ при 100В | 125 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 29А ТЦ | 130 НК при 10 В | 125 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4П55Д(Т6РСС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Нет | Д-Пак | 490пФ | 18нс | 8 нс | 4А | 30 В | 550В | 80 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 25В | 1,88 Ом при 2 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 4А Та | 11 нк @ 10 В | 1,88 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4А55ДА(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 2,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Нет | ТО-220СИС | 380пФ | 15 нс | 7 нс | 3,5 А | 30 В | 550В | 30 Вт Тс | N-канал | 380пФ при 25В | 2,45 Ом при 1,8 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 9 нк @ 10 В | 2,45 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК45П03М1,РК(С | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Нет | 39 Вт | ДПАК | 1,5 нФ | 4,2 нс | 9,4 нс | 45А | 20 В | 30 В | N-канал | 1500пФ при 10В | 9,7 мОм при 22,5 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 45А Та | 25 НК при 10 В | 9,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1434-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sch1434tlh-datasheets-4427.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 800мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 4,4 нс | 8,7 нс | 12 нс | 16 нс | 2А | 12 В | 30 В | 800мВт Та | 2А | N-канал | 130пФ при 10В | 165 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 1,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP55N055SUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np55n055suge1ay-datasheets-4429.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 26 недель | EAR99 | Нет | 3 | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 24 нс | 18нс | 8 нс | 60 нс | 55А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 77 Вт Тс | N-канал | 5250пФ при 25В | 10 мОм при 28 А, 10 В | 55А Ц | 90 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP22N055SHE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np22n055shee1ay-datasheets-4433.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 16 недель | Нет | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 6нс | 6,6 нс | 25 нс | 22А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 890пФ при 25 В | 39 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 22А Та | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP88N04NUG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | $12,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np88n04nugs18ay-datasheets-4436.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 88А | 40В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 15000пФ при 25В | 3,4 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 88А Тк | 250 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N06MLG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | 1,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n06plge1bay-datasheets-9521.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 13нс | 7 нс | 70 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,8 Вт Та 115 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0086Ом | N-канал | 6900пФ при 25 В | 8,6 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 128 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N04PDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np82n04pdge1ay-datasheets-4448.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 26 нс | 68нс | 11 нс | 73 нс | 82А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 143 Вт Тс | 328А | 0,008 Ом | N-канал | 9000пФ при 25В | 3,5 мОм при 41 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 82А Ц | 150 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N055NDG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n055ndgs18ay-datasheets-4454.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 16 недель | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 17 нс | 13нс | 7 нс | 77 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 115 Вт Тс | 200А | 0,0069Ом | N-канал | 6900пФ при 25 В | 6,9 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 135 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N055KLE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n055klee1ay-datasheets-4457.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 22 нс | 10 нс | 11 нс | 62 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 120 Вт Тс | 200А | N-канал | 4400пФ при 25В | 11 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN20EN,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-74, СОТ-457 | 6 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 545 МВт Та | N-канал | 630пФ при 15 В | 20 мОм при 6,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6,7 А Тдж | 18,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP55N03SUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np55n03suge1ay-datasheets-4463.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 52нс | 12 нс | 73 нс | 55А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,2 Вт Та 77 Вт Тс | ТО-252АА | 220А | 0,005 Ом | N-канал | 5300пФ при 25В | 5 мОм при 28 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 55А Ц | 93 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP88N075KUE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np88n075kuee1ay-datasheets-4467.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | 88А | 352А | 0,0085Ом | 450 мДж | N-канал | 12300пФ при 25В | 8,5 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 88А Тк | 230 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК40П03М1(Т6РДС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Нет | 33 Вт | ДПАК | 1,15 нФ | 15 нс | 14 нс | 40А | 20 В | 30 В | N-канал | 1150пФ при 10В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 40А Та | 17,5 НК при 10 В | 10,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4А60ДБ(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Нет | 18нс | 8 нс | 3,7А | 30 В | 600В | 35 Вт Тс | N-канал | 540пФ при 25В | 2 Ом при 1,9 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,7А Та | 11 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В |
