Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУК98150-55,135 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk9815055135-datasheets-6844.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ЗАЩИТА ОТ ЭСР | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 8,3 Вт Тс | 2,6А | 30А | 0,15 Ом | 15 мДж | N-канал | 330пФ при 25В | 150 мОм при 5 А, 5 В | 2 В @ 1 мА | 5,5 А Тс | 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7188trpbf-datasheets-6805.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 6,6 мОм | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 105А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,8 Вт Та 132 Вт Тс | 210А | 493 мДж | N-канал | 2116пФ при 50 В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 3,9 В @ 150 мкА | 18А Та 105А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3456-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-cph3456tlh-datasheets-6830.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,2 нс | 19нс | 28 нс | 30 нс | 3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Та | 20 В | N-канал | 260пФ при 10В | 71 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3,5 А Та | 2,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3355-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph3355tlh-datasheets-6858.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | 4,5 нс | 4,2 нс | 10,6 нс | 20 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 1 Вт Та | 0,156 Ом | P-канал | 172пФ при 10 В | 156 мОм при 1 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 2,5 А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ3413Л-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg3413l7-datasheets-6875.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 9,7 нс | 17,7 нс | 64,2 нс | 268,8 нс | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВт Та | 2,5 А | 0,095Ом | 20 В | P-канал | 857пФ при 10 В | 95 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 9 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3351-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-cph3351tlw-datasheets-0875.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5,1 нс | 5,4 нс | 19 нс | 34 нс | 1,8 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт Та | 0,25 Ом | 60В | P-канал | 262пФ при 20 В | 250 мОм при 1 А, 10 В | 1,8 А Та | 6 нк @ 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7171MTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf7171mtrpbf-datasheets-6751.pdf | DirectFET™ Изометрический МН | Без свинца | 6,5 мОм | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 93А | 100В | 2,8 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 2160пФ при 50В | 6,5 мОм при 56 А, 10 В | 3,6 В @ 150 мкА | 15А Та 93А Ц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh7191trpbf-datasheets-6762.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 16 недель | 8мОм | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 80А | 100В | 3,6 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 1685пФ при 50В | 8 мОм при 48 А, 10 В | 3,6 В @ 100 мкА | 15А Та 80А Ц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01СП-АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01spac-datasheets-6768.pdf | СК-72 | 4 мм | 3 мм | 2,2 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/серебро/медь/никель (Sn/Ag/Cu/Ni) | НЕТ | 3 | Одинокий | 250 мВт | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 250мВт Та | 0,1 А | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 1,3 В @ 100 мкА | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LN01C-TB-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-5ln01ctbe-datasheets-6732.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | 3 | Одинокий | 250 мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 250мВт Та | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LN01S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-3ln01sstlh-datasheets-4210.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е6 | 3 | Одинокий | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 150 мА | 10 В | 30В | 150 мВт Та | 0,15 А | N-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 150 мА Та | 1,58 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ290 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 7,18 нФ | 140А | 100В | 1,9 Вт Та 500 Вт Тс | N-канал | 7180пФ при 50В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В при 250 мкА | 17,5 А Та 140 А Тс | 126 НК при 10 В | 3,2 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК16А55Д(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 2,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Нет | 50 Вт | ТО-220СИС | 2,6 нФ | 50 нс | 25 нс | 16А | 30В | 550В | N-канал | 2600пФ при 25В | 330 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 16А Та | 45 НК при 10 В | 330 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCC8067-H,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | Нет | 2,1 нс | 2 нс | 9А | 20 В | 30В | 700 мВт Ta 15 Вт Tc | N-канал | 690пФ при 10 В | 25 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 9А Та | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ110Н04-03-Е3 | Вишай Силиконикс | 2,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum110n0403e3-datasheets-5402.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 1,437803г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 437,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 25 нс | 170 нс | 110 нс | 55 нс | 110А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 3,75 Вт Та 375 Вт Тс | 60 нс | 440А | 0,0028Ом | 40В | N-канал | 8250пФ при 25 В | 4 В | 2,8 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 250 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP180N04TUJ-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 11,00 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np180n04tuje1ay-datasheets-5081.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 16 недель | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г6 | 180А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 348 Вт Тс | 720А | 0,0015Ом | N-канал | 14250пФ при 25В | 1,5 мОм при 90 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Ц | 230 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N04PLG-E1B-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n04plge1bay-datasheets-0040.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 18нс | 8 нс | 74 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 115 Вт Тс | 0,0045Ом | N-канал | 6900пФ при 25 В | 4,5 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 135 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP100P04PLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np100p04plge1ay-datasheets-4772.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 38 нс | 30 нс | 100 нс | 300 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | 300А | 550 мДж | P-канал | 15100пФ при 10В | 3,7 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 100А Ц | 320 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3943-ЗП-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3943zpe1ay-datasheets-4642.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 82А | 40В | 1,5 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 10 В | 3,5 мОм при 41 А, 10 В | 82А Ц | 93 НК при 10 В | 5,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1423-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-sft1423tle-datasheets-4801.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 7,4 нс | 8,8 нс | 27 нс | 42 нс | 2А | 20 В | 500В | 1 Вт Та 20 Вт Тс | 2А | N-канал | 175 пФ при 30 В | 4,9 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 8,7 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP160N055TUJ-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $3,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np160n055tuje1ay-datasheets-4622.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Без свинца | 6 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1,8 Вт | 1 | Р-ПССО-Г6 | 40 нс | 20 нс | 10 нс | 90 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Ta 250 Вт Tc | 640А | 0,003Ом | N-канал | 10350пФ при 25В | 3 м Ом при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 160А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП74Н04ЮГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | 1,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np74n04yuge1ay-datasheets-4657.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 26 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 26 нс | 10 нс | 6 нс | 62 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1 Вт Та 120 Вт Тс | 0,0055Ом | 400 пФ | N-канал | 5430пФ при 25В | 5,5 мОм при 37,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 75А Ц | 96 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК6011(ТЕ85Л,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6 | Нет | 2,2 Вт | 1 | ВС-6 (2,9х2,8) | 640пФ | 5,8 нс | 8 нс | 6А | 20 В | 30В | 700мВт Та | N-канал | 640пФ при 10 В | 20 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А Та | 14 НК при 10 В | 20 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP75P04YLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/renesaselectronicsamerica-np75p04ylge1ay-datasheets-4711.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 26 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф5 | 75А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1 Вт Та 138 Вт Тс | 0,014 Ом | 450 пФ | P-канал | 4800пФ при 25В | 9,7 мОм при 37,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 75А Ц | 140 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP50P03YDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/renesaselectronicsamerica-np50p03ydge1ay-datasheets-4748.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф5 | 9 нс | 7нс | 180 нс | 230 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1 Вт Та 102 Вт Тс | P-канал | 3500пФ при 25В | 8,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Ц | 96 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP36P06KDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np36p06kdge1ay-datasheets-4681.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 11нс | 110 нс | 210 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,8 Вт Та 56 Вт Тс | 108А | 0,0375Ом | 54 мДж | P-канал | 3100пФ при 10 В | 29,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 36А Тк | 54 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК50Е06К3(С1СС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК16А45Д(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $10,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Нет | ТО-220СИС | 16А | 450В | N-канал | 270 мОм при 8 А, 10 В | 16А | 270 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ2918Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 90А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 267 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 50В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 13А Та 90А Ц | 53 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП90Н04ВУГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | $15,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04vuge1ay-datasheets-4548.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 20 нс | 11 нс | 65 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 105 Вт Тс | 300А | 0,004 Ом | N-канал | 7500пФ при 25В | 4 м Ом при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 135 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
