Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP82N04PDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np82n04pdge1ay-datasheets-4448.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 26 нс | 68нс | 11 нс | 73 нс | 82А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 143 Вт Тс | 328А | 0,008 Ом | N-канал | 9000пФ при 25В | 3,5 мОм при 41 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 82А Ц | 150 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| NP80N055NDG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n055ndgs18ay-datasheets-4454.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 16 недель | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 17 нс | 13нс | 7 нс | 77 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 115 Вт Тс | 200А | 0,0069Ом | N-канал | 6900пФ при 25 В | 6,9 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 135 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NP80N055KLE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np80n055klee1ay-datasheets-4457.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 22 нс | 10 нс | 11 нс | 62 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 120 Вт Тс | 200А | N-канал | 4400пФ при 25В | 11 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 80А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| PMN20EN,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-74, СОТ-457 | 6 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 545 МВт Та | N-канал | 630пФ при 15 В | 20 мОм при 6,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6,7 А Тдж | 18,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП60Н03КУГ-Э1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n03kuge1ay-datasheets-4406.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | EAR99 | Нет | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 32 нс | 52нс | 12 нс | 73 нс | 60А | 20 В | Одинокий | 30 В | 1,8 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 5300пФ при 25В | 4,8 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 93 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP32N055SLE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np32n055slee1ay-datasheets-4410.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | Нет | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 8нс | 7,4 нс | 40 нс | 32А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 66 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 25В | 24 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 41 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП60Н055КУГ-Э1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n055kuge1ay-datasheets-4412.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 44нс | 8 нс | 79 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 88 Вт Тс | 240А | 0,0094Ом | N-канал | 5600пФ при 25В | 9,4 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 92 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| NP82N04NUG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np82n04nugs18ay-datasheets-4414.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 39 нс | 102нс | 13 нс | 67 нс | 82А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 143 Вт Тс | 0,0042Ом | N-канал | 9750пФ при 25В | 4,2 мОм при 41 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 82А Ц | 160 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3793-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/renesaselectronicsamerica-2sk3793az-datasheets-4360.pdf | ТО-220-3 Изолированная вкладка | Без свинца | EAR99 | Нет | 3 | 2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 5нс | 4 нс | 30 нс | 12А | 20 В | Одинокий | 100 В | 2 Вт Та 20 Вт Тс | N-канал | 900пФ при 10 В | 125 мОм при 6 А, 10 В | 12А Ц | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP109N055PUJ-E1B-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np109n055puje1bay-datasheets-4364.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 40 нс | 20 нс | 10 нс | 90 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 40В | 1,8 Вт Та 220 Вт Тс | 440А | 0,0032Ом | N-канал | 10350пФ при 25В | 3,2 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Та | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NP110N04PUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np110n04puge1ay-datasheets-4369.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 3 | Полевой транзистор общего назначения | 54 нс | 140 нс | 21 нс | 130 нс | 110А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | N-канал | 25700пФ при 25В | 1,8 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 390 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP48N055KLE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-np48n055klee1ay-datasheets-4376.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 11нс | 9,3 нс | 54 нс | 48А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 85 Вт Тс | 140А | 0,024 Ом | 100 мДж | N-канал | 3000пФ при 25В | 17 мОм при 24 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| NP55N055SDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np55n055sdge1ay-datasheets-4379.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | EAR99 | Нет | 3 | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 16 нс | 6 нс | 71 нс | 55А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 77 Вт Тс | N-канал | 4800пФ при 25В | 9,5 мОм при 28 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 55А Ц | 96 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP60N04MUG-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n04mugs18ay-datasheets-4387.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 21 нс | 10 нс | 10 нс | 48 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 88 Вт Тс | ТО-220АБ | 240А | 0,0063Ом | N-канал | 3200пФ при 25 В | 6,3 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3483-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | 1,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/renesaselectronicsamerica-2sk3483az-datasheets-4391.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 16 недель | EAR99 | Олово | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 12 нс | 9нс | 5 нс | 53 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 1 Вт Та 40 Вт Тс | 0,059 Ом | N-канал | 2300пФ при 10 В | 52 мОм при 14 А, 10 В | 28А Та | 49 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NP52N055SUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np52n055suge1ay-datasheets-4395.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 3 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 14нс | 7 нс | 47 нс | 52А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 56 Вт Тс | N-канал | 3200пФ при 25 В | 14 мОм при 26 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 52А Ц | 57 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП60Н04КУГ-Э1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n04kuge1ay-datasheets-4397.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 26 недель | EAR99 | Нет | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 30 нс | 52нс | 12 нс | 78 нс | 60А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,8 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 5100пФ при 25 В | 6,1 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 95 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP50P04KDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np50p04kdge1ay-datasheets-4400.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 45нс | 230 нс | 405 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 90 Вт Тс | P-канал | 5100пФ при 10 В | 10 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 50А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP50P06KDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 1,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np50p06kdge1ay-datasheets-4404.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 45нс | 270 нс | 405 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,8 Вт Та 90 Вт Тс | 0,023Ом | P-канал | 5000пФ при 10В | 17 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 50А Ц | 95 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НП160Н04ТУГ-Э1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np160n04tuge1ay-datasheets-4330.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 16 недель | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 47 нс | 67нс | 19 нс | 94 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 220 Вт Тс | 640А | 0,002 Ом | 372 мДж | N-канал | 15750пФ при 25В | 2 м Ом при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 160А Ц | 270 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| DMS3016SSSA-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dms3016sssa13-datasheets-4333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 9 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,54 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,62 нс | 8,73 нс | 4,69 нс | 36,41 нс | 9,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,54 Вт Та | 90А | N-канал | 1849 пФ при 15 В | 13 мОм при 9,8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 9,8А Та | 43 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||
| NP160N04TUJ-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np160n04tuje1ay-datasheets-4337.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 7 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 40 нс | 20 нс | 15 нс | 85 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Ta 250 Вт Tc | 640А | 0,002 Ом | N-канал | 10350пФ при 25В | 2 м Ом при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 160А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NP100P04PDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-np100p04pdge1ay-datasheets-4356.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Олово | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 38 нс | 30 нс | 100 нс | 300 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | 300А | 550 мДж | P-канал | 15100пФ при 10В | 3,5 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 100А Ц | 320 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| ПСМН9Р0-25YLC,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 25 В | 34 Вт Тс | N-канал | 694 пФ при 12 В | 9,1 мОм при 15 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 46А Тц | 12 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3481-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/renesaselectronicsamerica-2sk3481az-datasheets-4302.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Олово | Нет | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 10 нс | 5 нс | 53 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 1,5 Вт Та 56 Вт Тс | ТО-220АБ | 60А | 0,058Ом | 68 мДж | N-канал | 2300пФ при 10 В | 50 мОм при 15 А, 10 В | 30А Ц | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4087LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4087ls-datasheets-4307.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 27 нс | 72нс | 48 нс | 144 нс | 14А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 52А | 0,61 Ом | 117 мДж | 600В | N-канал | 1200пФ при 30В | 610 мОм при 7 А, 10 В | 9,2 А Тс | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ673-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sj673az-datasheets-4308.pdf | ТО-220-3 Изолированная вкладка | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 36А | Одинокий | 60В | 2 Вт Та 32 Вт Тс | P-канал | 4600пФ при 10В | 20 мОм при 18 А, 10 В | 36А Тк | 87 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9875-100А,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk9875100acux-datasheets-8680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 8 Вт Тс | 7А | 28А | 0,084Ом | 49 мДж | N-канал | 1690пФ при 25 В | 72 мОм при 8 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 7А Тк | 4,5 В 10 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4088LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4088ls-datasheets-4318.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 24 нс | 58нс | 40 нс | 117 нс | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 37 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 0,85 Ом | 71 мДж | 650В | N-канал | 1000пФ при 30В | 850 мОм при 5,5 А, 10 В | 7,5 А Тс | 37,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP15P06SLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np15p06slge1ay-datasheets-4319.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 5нс | 65 нс | 100 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,2 Вт Та 30 Вт Тс | ТО-252АА | 45А | 0,095Ом | P-канал | 1100пФ при 10В | 70 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
