Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НП90Н04ВУГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | $15,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np90n04vuge1ay-datasheets-4548.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 20 нс | 11 нс | 65 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 105 Вт Тс | 300А | 0,004 Ом | N-канал | 7500пФ при 25В | 4 м Ом при 45 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 90А Ц | 135 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| НП88Н055КУГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np88n055kuge1ay-datasheets-4617.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | EAR99 | Нет | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 39 нс | 34 нс | 15 нс | 120 нс | 88А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 14400пФ при 25В | 3,9 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 88А Тк | 250 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCC8066-H,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 12 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 2,1 нс | 2,3 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 700 мВт Ta 17 Вт Tc | 0,019 Ом | N-канал | 1100пФ при 10В | 15 мОм при 5,5 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 11А Та | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP36P04SDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 2,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np36p04sdge1ay-datasheets-4627.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 26 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 10 нс | 140 нс | 250 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 56 Вт Тс | ТО-252АА | 0,0235Ом | 67 мДж | P-канал | 2800пФ при 10 В | 17 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ687-ЗК-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-2sj687zke1ay-datasheets-4588.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 36 нс | 220 нс | 310 нс | 270 нс | 20А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та 36 Вт Тс | ТО-252АА | 0,02 А | 0,02 Ом | P-канал | 4400пФ при 10В | 7 мОм при 10 А, 4,5 В | 20А Ц | 57 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NP33N06YDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np33n06ydge1ay-datasheets-4634.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 16 нс | 12нс | 6 нс | 54 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1 Вт Та 97 Вт Тс | 0,02 Ом | 220 пФ | N-канал | 3900пФ при 25В | 14 мОм при 16,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 33А Тк | 78 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP60N03SUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $4,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np60n03suge1ay-datasheets-4653.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 20 нс | 13 нс | 64 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,2 Вт Та 105 Вт Тс | ТО-252АА | 240А | N-канал | 7500пФ при 25В | 3,8 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А Ц | 135 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NP180N055TUJ-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np180n055tuje1ay-datasheets-4664.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 16 недель | 7 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 45 нс | 20 нс | 10 нс | 100 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 348 Вт Тс | 0,0023Ом | N-канал | 14250пФ при 25В | 2,3 мОм при 90 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Ц | 230 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NP50P04SDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | $5,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np50p04sdge1ay-datasheets-4651.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 13нс | 180 нс | 405 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 84 Вт Тс | P-канал | 5000пФ при 10В | 9,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NP75P03YDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 2,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np75p03ydge1ay-datasheets-4659.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | Без свинца | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф5 | 13 нс | 13нс | 180 нс | 270 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1 Вт Та 138 Вт Тс | 0,0096Ом | 700 пФ | P-канал | 4800пФ при 25В | 6,2 мОм при 37,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 75А Ц | 141 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NP23N06YDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np23n06ydge1ay-datasheets-4673.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 16 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 12 нс | 6нс | 4 нс | 36 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1 Вт Та 60 Вт Тс | 0,037Ом | 130 пФ | N-канал | 1800пФ при 25В | 27 мОм при 11,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 23А Тк | 41 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| НП35Н04ЮГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | 0,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np35n04yuge1ay-datasheets-4645.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 5 | 12 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 18 нс | 10 нс | 5 нс | 38 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1 Вт Та 77 Вт Тс | 0,01 Ом | 220 пФ | N-канал | 2850пФ при 25В | 10 мОм при 17,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 35А Ц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ТК50Е08К3,С1Х(С | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 104 Вт | ТО-220-3 | 50А | 75В | N-канал | 12 мОм при 25 А, 10 В | 50А Ц | 55 НК при 10 В | 12 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC6010-H(TE85L,FM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6 | Нет | 2,2 Вт | 1 | 2,4 нс | 3,2 нс | 6,1А | 20 В | 60В | 700мВт Та | N-канал | 830пФ при 10 В | 59 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 6.1А Та | 12 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК8А06-Х(ТЕ12ЛКМ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | Нет | 8-СОП (5,5х6,0) | 1,8 нФ | 2,4 нс | 3,5 нс | 12А | 20 В | 30 В | N-канал | 1800пФ при 10В | 10,1 мОм при 6 А, 10 В | 2,3 В @ 1 мА | 12А Та | 19 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 10,1 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCC8065-H,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | Нет | 2нс | 2,1 нс | 13А | 20 В | 30 В | 700 мВт Ta 18 Вт Tc | N-канал | 1350пФ при 10В | 11,4 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 13А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК6012(ТЕ85Л,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6 | Нет | 2,2 Вт | 1 | ВС-6 (2,9х2,8) | 630пФ | 5нс | 10 нс | 6А | 12 В | 20 В | 700мВт Та | N-канал | 630пФ при 10 В | 20 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,2 В при 200 мкА | 6А Та | 9 НК при 5 В | 20 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC6009-H(TE85L,FM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6 | Нет | 2,2 нс | 1,7 нс | 5,3А | 20 В | 40В | 700мВт Та | N-канал | 290пФ при 10В | 81 мОм при 2,7 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 5.3А Та | 4,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4А65ДА(СТА4,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $5,99 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Нет | ТО-220СИС | 600пФ | 18нс | 8 нс | 3,5 А | 30 В | 650В | 35 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 25В | 1,9 Ом @ 1,8 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 12 НК при 10 В | 1,9 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК4П55ДА(Т6РСС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Нет | Д-Пак | 380пФ | 15 нс | 7 нс | 3,5 А | 30 В | 550В | 80 Вт Тс | N-канал | 380пФ при 25В | 2,45 Ом при 1,8 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 9 нк @ 10 В | 2,45 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3811-ЗП-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | 1,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3811zpe1ay-datasheets-4574.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 110А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,5 Вт Та 213 Вт Тс | N-канал | 17700пФ при 10 В | 1,8 мОм при 55 А, 10 В | 110А Ц | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК50Е10К3(С1СС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 12 недель | ТО-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК50Е06К3А,С1Х(С | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | Нет | 104 Вт | 104 Вт | 1 | ТО-220-3 | 50А | 60В | N-канал | 8,5 мОм при 25 А, 10 В | 50А Ц | 54 НК при 10 В | 8,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC6008-H(TE85L,FM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 6 | Нет | 2,4 нс | 2 нс | 5,9А | 20 В | 30 В | 700мВт Та | N-канал | 300пФ при 10В | 60 мОм при 3 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 5,9А Та | 4,8 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCC8009,LQ(О | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | N-канал | 1270пФ при 10 В | 7 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 200 мкА | 24А Та | 26 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | Нет | 8-СОП (5,5х6,0) | 1,7 нФ | 2нс | 2,5 нс | 10А | 20 В | 30 В | 1 Вт Та | N-канал | 1700пФ при 10В | 13,3 мОм при 5 А, 10 В | 2,3 В @ 1 мА | 10А Та | 15 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 13,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8126,LQ(СМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 8-СОП (5,5х6,0) | 2,4 нФ | 8нс | 65 нс | 11А | 30 В | 30 В | 1 Вт Та | P-канал | 2400пФ при 10 В | 10 мОм при 5,5 А, 10 В | 2 В при 500 мкА | 11А Та | 56 НК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | +20В, -25В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N055MHE-S18-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-np80n055mhes18ay-datasheets-4592.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 25 нс | 13нс | 13 нс | 45 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1,8 Вт Та 120 Вт Тс | ТО-220АБ | 200А | N-канал | 3600пФ при 25В | 11 мОм при 40 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| TP0202K-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-tp0202kt1e3-datasheets-6401.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 6нс | 20 нс | 30 нс | -385мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -2В | 350мВт Та | P-канал | 31пФ при 15В | -2 В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 385 мА Та | 1 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ТК4П60ДА(Т6РСС-Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | π-МОСVII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 80 Вт | 1 | 18нс | 8 нс | 3,5 А | 30 В | 600В | 80 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 25В | 2,2 Ом при 1,8 А, 10 В | 4,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 11 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В |
