Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP110N03PUG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np110n03puge1ay-datasheets-4322.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 16 недель | EAR99 | Нет | 3 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 60 нс | 150 нс | 32 нс | 125 нс | 110А | 20 В | Одинокий | 30 В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | N-канал | 24600пФ при 25В | 1,5 мОм при 55 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 380 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP15P04SLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np15p04slge1ay-datasheets-4325.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 5нс | 65 нс | 100 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 30 Вт Тс | ТО-252АА | 45А | 0,06 Ом | 25 мДж | P-канал | 1100пФ при 10В | 40 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NP22N055SLE-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 2,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np22n055slee1ay-datasheets-4328.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 16 недель | Нет | 1,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 6нс | 5,4 нс | 32 нс | 22А | 20 В | Одинокий | 55В | 1,2 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 37 мОм при 11 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А Та | 23 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НП160Н04ТУГ-Э1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np160n04tuge1ay-datasheets-4330.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 16 недель | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 47 нс | 67нс | 19 нс | 94 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 220 Вт Тс | 640А | 0,002 Ом | 372 мДж | N-канал | 15750пФ при 25В | 2 м Ом при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 160А Ц | 270 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NP100P06PLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-np100p06plge1ay-datasheets-4285.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 28 нс | 35 нс | 100 нс | 275 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | 300А | 0,0078Ом | 420 мДж | P-канал | 15000пФ при 10В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 100А Ц | 300 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| НП180Н04ТУГ-Е1-АЙ | Ренесас Электроникс Америка | $3,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np180n04tuge1ay-datasheets-4289.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | Без свинца | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 54 нс | 43нс | 21 нс | 104 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 288 Вт Тс | 720А | N-канал | 25700пФ при 25В | 1,5 мОм при 90 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Ц | 390 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NP160N04TDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np160n04tdge1ay-datasheets-4293.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 7 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 35 нс | 55нс | 17 нс | 107 нс | 160А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,8 Вт Та 220 Вт Тс | 640А | 0,0054Ом | 372 мДж | N-канал | 15750пФ при 25В | 2 м Ом при 80 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 160А Та | 270 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NP20P04SLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 0,84 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np20p04slge1ay-datasheets-4296.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 6нс | 80 нс | 160 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 Вт Та 38 Вт Тс | 60А | 0,038Ом | 40 мДж | P-канал | 1650пФ при 10В | 25 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NP100P06PDG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | 27,50 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-np100p06pdge1ay-datasheets-4299.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 28 нс | 35 нс | 100 нс | 275 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,8 Вт Та 200 Вт Тс | 300А | 0,0078Ом | 420 мДж | P-канал | 15000пФ при 10В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 100А Ц | 300 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| MCH6436-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mch6436tlw-datasheets-6818.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 33нс | 62 нс | 70 нс | 6А | 12 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 6А | N-канал | 710пФ при 10 В | 34 мОм при 3 А, 4,5 В | 6А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5890NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvd5890nt4g-datasheets-4236.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 52нс | 8,5 нс | 39 нс | 123А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 4 Вт Та 107 Вт Тс | 24А | 400А | 240 мДж | N-канал | 4760пФ при 25 В | 3,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 24А Та 123А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| SFT1440-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sft1440e-datasheets-4219.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9,1 нс | 15 нс | 19 нс | 18 нс | 1,5 А | 30 В | 1 Вт Та 20 Вт Тс | 600В | N-канал | 130пФ при 30В | 8,1 Ом при 800 мА, 10 В | 1,5 А Та | 6,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6342-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mch6342tlh-datasheets-4246.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 10 недель | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | Другие транзисторы | 8,2 нс | 28нс | 60 нс | 100 нс | 4,5 А | 10 В | 30 В | 1,5 Вт Та | -30В | P-канал | 650пФ при 10 В | 73 мОм при 2 А, 4,5 В | 4,5 А Та | 8,6 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3448-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-cph3448tlw-datasheets-0862.pdf | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е6 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 41нс | 37 нс | 36 нс | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 1 Вт Та | 4А | 0,05 Ом | N-канал | 430пФ при 10В | 50 мОм при 2 А, 4,5 В | 4А Та | 4,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3813-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3813az-datasheets-4263.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | EAR99 | Олово | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 25 нс | 8,5 нс | 10 нс | 81 нс | 60А | 20 В | Одинокий | 40В | 1 Вт Та 84 Вт Тс | N-канал | 5500пФ при 10 В | 5,3 мОм при 30 А, 10 В | 60А Та | 96 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1337-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sch1337tlh-datasheets-4268.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 560 мкм | 1,5 мм | Без свинца | 22 недели | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 6 | Одинокий | 800мВт | 1 | 4,5 нс | 4,2 нс | 10,6 нс | 20 нс | 2А | 20 В | 30 В | 800мВт Та | P-канал | 172пФ при 10 В | 150 мОм при 1 А, 10 В | 2А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН7Р5-25YLC,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 25 В | 42 Вт Тс | N-канал | 921пФ при 12 В | 7,4 мОм при 15 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 56А Тк | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP20P06SLG-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/renesaselectronicsamerica-np20p06slge1ay-datasheets-4277.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 16 недель | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 8нс | 80 нс | 160 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,2 Вт Та 38 Вт Тс | ТО-252АА | 60А | 0,064Ом | 28 мДж | P-канал | 1650пФ при 10В | 48 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| MCH6431-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mch6431tlw-datasheets-6666.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 5,7 нс | 11нс | 10 нс | 21 нс | 5А | 20 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 5А | N-канал | 280пФ при 10В | 55 мОм при 2,5 А, 10 В | 5А Та | 5,6 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4222 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sk4222-datasheets-4212.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 48 нс | 140 нс | 75 нс | 216 нс | 23А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 80А | 429 мДж | 600В | N-канал | 2250пФ при 30 В | 340 мОм при 11,5 А, 10 В | 23А Та | 81 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1341-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-sft1341tlw-datasheets-4213.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 50 нс | 80 нс | 81 нс | 10А | 10 В | Одинокий | 40В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | P-канал | 650пФ при 20В | 112 мОм при 5 А, 4,5 В | 10А Та | 8 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3455-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph3455tlh-datasheets-4216.pdf | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 1 Вт | Полномочия общего назначения FET | 4,2 нс | 4,7 нс | 5,7 нс | 15 нс | 3А | 20 В | 1 Вт Та | 3А | 35В | N-канал | 186пФ при 20В | 104 мОм при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1440-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sft1440e-datasheets-4219.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9,1 нс | 15 нс | 19 нс | 18 нс | 1,5 А | 30 В | 600В | 1 Вт Та 20 Вт Тс | N-канал | 130пФ при 30В | 8,1 Ом при 800 мА, 10 В | 1,5 А Та | 6,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvtfs5811nltag-datasheets-2630.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 750 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | 23 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 21 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 55нс | 40 нс | 20 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 354А | 65 мДж | 40В | N-канал | 1570пФ при 25В | 6,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А Та | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| SCH1433-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-sch1433tlh-datasheets-4223.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 560 мкм | 1,5 мм | Без свинца | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 6 | Одинокий | 800мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 6,2 нс | 19нс | 28 нс | 30 нс | 3,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800мВт Та | 20 В | N-канал | 260пФ при 10В | 64 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3,5 А Та | 2,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПМР370XN,115 | NXP США Инк. | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmr370xn115-datasheets-3630.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 530мВт Тс | 0,84 А | 0,44 Ом | N-канал | 37пФ при 25В | 440 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 840 мА Тс | 0,65 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4037 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl4037-datasheets-4187.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | Одинокий | 40 Вт | 26,5 нс | 78нс | 57 нс | 146 нс | 11А | 30 В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | 500В | N-канал | 1200пФ при 30В | 430 мОм при 8 А, 10 В | 11А Та | 48,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1331-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-sch1331tlh-datasheets-4188.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 560 мкм | 1,5 мм | Без свинца | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 6 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8,8 нс | 80 нс | 50 нс | 41 нс | 3А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 1 Вт Та | 3А | 0,084Ом | P-канал | 405пФ при 6В | 84 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3А Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||
| MCH6444-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mch6444tlh-datasheets-4192.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 4,2 нс | 4,7 нс | 5,7 нс | 15 нс | 2,5 А | 20 В | 35В | 800мВт Та | N-канал | 186пФ при 20В | 98 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,5 А Та | 4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMP3003-DL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | Нет | Одинокий | 90 Вт | 1 | 95 нс | 1 мкс | 820 нс | 800 нс | 100А | 20 В | 90 Вт Тс | 75В | P-канал | 13400пФ при 20В | 8 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 280 НК при 10 В |
