Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МТД6Н20ЕТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mtd6n20et4-datasheets-6415.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 1,75 Вт Та 50 Вт Тс | 6А | 18А | 0,7 Ом | 54 мДж | N-канал | 480пФ при 25В | 700 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6А Тк | 21 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН011-30ИЛ,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 30В | 49 Вт Тс | N-канал | 726пФ при 15 В | 10,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 51А Тдж | 14,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН5Р9-30ИЛ,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 30В | 63 Вт Тс | N-канал | 1226пФ при 15 В | 6,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 78А Тк | 21,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMS5835NLR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntms5835nlr2g-datasheets-3704.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 8 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 15 нс | 45нс | 9 нс | 22 нс | 9,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,85 В | 1,5 Вт Та | 40В | N-канал | 2115пФ при 20 В | 1,85 В | 10 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9.2А Та | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК662Р7-55С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk662r755c118-datasheets-3708.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | 2,7 МОм | 3 | Олово | не_совместимо | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 306 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 61 нс | 101 нс | 186 нс | 450 нс | 120А | 16 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 306 Вт Тк | 907А | 724 мДж | 55В | N-канал | 15300пФ при 25В | 2,7 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 120А Ц | 258 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК662Р4-40С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/nexperiausainc-buk662r440c118-datasheets-3726.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | не_совместимо | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 263 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 33,5 нс | 101 нс | 186 нс | 369 нс | 120А | 16 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 263 Вт Тс | N-канал | 11334пФ при 25 В | 2,3 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 120А Ц | 199 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMS4917NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntms4917nr2g-datasheets-3731.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1,28 Вт | 1 | 6,3 нс | 12 нс | 7.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 880мВт Та | 30В | N-канал | 1054пФ при 25В | 11 мОм при 11 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 7.1А Та | 15,6 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4804NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ntd4804nt4g-datasheets-4064.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 7,49 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 2,66 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 35 нс | 19,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,43 Вт Та 107 Вт Тс | 230А | 0,0055Ом | N-канал | 4490пФ при 12 В | 4 мОм при 30 А, 11,5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 14,5 А Та 124 А Тс | 40 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК624Р5-30С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk624r530c118-datasheets-3751.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 158 Вт Тс | 90А | 543А | 0,0075Ом | 271 мДж | N-канал | 4707пФ при 25 В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 90А Ц | 78 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50N04-37P-T4-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0437pt4e3-datasheets-3671.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 37мОм | 8А | 40В | 2 Вт Та 10,8 Вт Тс | N-канал | 640пФ при 20В | 37 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5,4А Та 8А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4923NET3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4923net1g-datasheets-8933.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 930мВт | 1 | Не квалифицированный | 91А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 930 мВт Ta 48 Вт Tc | 12,7А | 0,0048Ом | 30В | N-канал | 4850пФ при 15В | 3,3 мОм при 30 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 12,7А Та 91А Ц | 22 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4827NET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4827net3g-datasheets-3667.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф5 | 58,5А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 870 мВт Ta 38,5 Вт Tc | 8,8А | 0,0108Ом | N-канал | 1400пФ при 12В | 6,95 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,8 А Та 58,5 А Тс | 16 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8405DB-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8405dbt1e1-datasheets-6204.pdf | 4-XFBGA, CSPBGA | 1,6 мм | 360 мкм | 1,6 мм | 4 | Нет | 1 | Одинокий | 2,77 Вт | 4-микрофут | 16 нс | 32нс | 32 нс | 120 нс | -3,6А | 8В | 12 В | 1,47 Вт Та | 55мОм | -12В | P-канал | 55 мОм при 1 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 3,6А Та | 21 НК при 4,5 В | 55 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMS5838NLR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntms5838nlr2g-datasheets-3688.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11 нс | 23нс | 4 нс | 17 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 7,5 А | 40В | N-канал | 785пФ при 20 В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,8А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4827NET3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4827net3g-datasheets-3667.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф5 | 58,5А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 870 мВт Ta 38,5 Вт Tc | 8,8А | 0,0108Ом | N-канал | 1400пФ при 12В | 6,95 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,8 А Та 58,5 А Тс | 16 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7860DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7860dpt1ge3-datasheets-3692.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,8 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 18 нс | 12нс | 19 нс | 46 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 Вт Та | 50А | 45 мДж | 30В | N-канал | 8 мОм при 18 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 18 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y19-55B/C2,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk9y1955b115-datasheets-1265.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | Олово | 18 нс | 180 нс | 134 нс | 44 нс | 46А | 15 В | 55В | N-канал | 1992пФ при 25В | 17,3 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 18 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 110 115 БСП | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/nexperiausainc-bsp110115-datasheets-3529.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 4.535924г | Нет СВХК | 10Ом | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 6,25 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Г4 | 520 мА | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 6,25 Вт Тс | 6 пФ | 100 В | N-канал | 40пФ при 10В | 10 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В @ 1 мА | 520 мА Тс | 5В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6804 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/562 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n6804-datasheets-3638.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 3 | Нет | ТО-204АА | 60 нс | 140 нс | 140 нс | 140 нс | 11А | 20 В | 100 В | 4 Вт Та 75 Вт Тс | P-канал | 360 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 29 НК при 10 В | 360 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМР280УН,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmr280un115-datasheets-3483.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 530мВт Тс | 0,98А | 0,34 Ом | N-канал | 45пФ при 20В | 340 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 980 мА Тс | 0,89 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y30-75B/C2,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk9y3075bc2115-datasheets-3649.pdf | СК-100, СОТ-669 | 75В | N-канал | 2070пФ при 25В | 28 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 34А | 19 НК при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS2242TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irlhs2242trpbf-datasheets-6771.pdf | 6-PowerVDFN | 2,1 мм | 950 мкм | 2,1 мм | Без свинца | Нет СВХК | 6 | Нет | 2,1 Вт | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 6-PQFN (2x2) | 870пФ | 7,9 нс | 54нс | 66 нс | 54 нс | 7,2А | 12 В | 20 В | -800мВ | 41 нс | 31мОм | -20В | P-канал | 877пФ при 10 В | -800 мВ | 31 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 7,2 А Та 15 А Тс | 12 НК при 10 В | 31 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМФ290ХН,115 | NXP США Инк. | $17,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 560мВт Тс | 1А | 0,35 Ом | N-канал | 34пФ при 20В | 350 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1А Тк | 0,72 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCA8052-H(TE12LQM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-PowerVDFN | 8 | неизвестный | 20А | 40В | 1,6 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 2110пФ при 10 В | 11,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 20А Та | 25 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0330DPB-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0330dpb01j0-datasheets-3545.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 16 недель | 5 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 6,8 нс | 3,9 нс | 5,4 нс | 50 нс | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 55 Вт Тс | 180А | 0,0039Ом | N-канал | 4300пФ при 10 В | 2,7 мОм при 22,5 А, 10 В | 45А Та | 27 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS6242TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlhs6242trpbf-datasheets-2714.pdf | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 20 В | N-канал | 1110пФ при 10 В | 11,7 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 10А Та 12А Ц | 14 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП75П03-07-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sub75p0307e3-datasheets-7696.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 7мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | 1 | Одинокий | 187 Вт | 1 | Другие транзисторы | 25 нс | 225 нс | 210 нс | 150 нс | -75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 30В | -1В | 3,75 Вт Ta 187 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | -30В | P-канал | 9000пФ при 25В | -3 В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 75А Ц | 240 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН1Р9-25YLC,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 25 В | 141 Вт Тс | N-канал | 3504пФ при 12 В | 2,05 мОм при 25 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 100А Ц | 57 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР168ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sir168dpt1ge3-datasheets-3601.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 23 нс | 70нс | 15 нс | 33 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,4 В | 5 Вт Та 34,7 Вт Тс | 0,0044Ом | 30В | N-канал | 2040пФ при 15В | 2,4 В | 4,4 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4825НФЕТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4825nfet3g-datasheets-3607.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,74 Вт | 1 | Не квалифицированный | 24 нс | 13 нс | 171А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 950 мВт Ta 96,2 Вт Tc | 17А | 0,002 Ом | 30В | N-канал | 5660пФ при 15 В | 2 мОм при 22 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 17А Та 171А Ц | 40,2 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
