Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7882DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7882dpt1ge3-datasheets-0309.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | Нет СВХК | 5,5 мОм | 8 | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 28 нс | 32нс | 32 нс | 82 нс | 13А | 8В | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 В | 1,9 Вт Та | 50А | 7,2 мДж | N-канал | 1,4 В | 5,5 мОм при 17 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 13А Та | 30 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||
| SIE726DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie726dft1e3-datasheets-3160.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-N4 | 60 нс | 35 нс | 30 нс | 55 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 80А | 0,0033Ом | 125 мДж | 30В | N-канал | 7400пФ при 15В | 2,4 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE816DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie816dft1ge3-datasheets-3162.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-N4 | 22 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 19,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 60А | 60А | 0,0074Ом | 125 мДж | 60В | N-канал | 3100пФ при 30 В | 7,4 мОм при 19,8 А, 10 В | 4,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 77 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7856ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7856adpt1e3-datasheets-3144.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 3,7 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,9 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 21 нс | 15 нс | 15 нс | 100 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 30В | N-канал | 3,7 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та | 55 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7888DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7888dpt1ge3-datasheets-3136.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 11нс | 11 нс | 24 нс | 9,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 Вт Та | 50А | 0,012 Ом | 20 мДж | 30В | N-канал | 12 мОм при 12,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 9.4А Та | 10,5 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7840BDP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7840bdpt1e3-datasheets-3139.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | 8,5 мОм | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 17 нс | 14нс | 14 нс | 39 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,8 Вт Та | 50А | 20 мДж | N-канал | 8,5 мОм при 16,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 21 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| SI8417DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | 0,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8417dbt2e1-datasheets-3142.pdf | 6-МИКРО ФУТ®CSP | 6 | Нет | 2,9 Вт | 6-микрофутов™ (1,5х1) | 2,22 нФ | 14 нс | 25нс | 240 нс | 380 нс | -14,5А | 8В | 12 В | 2,9 Вт Ta 6,57 Вт Tc | 21мОм | -12В | P-канал | 2220пФ при 6В | 21 мОм при 1 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 14,5 А Тс | 57 НК при 5 В | 21 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR878DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir878dpt1ge3-datasheets-2635.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 5 Вт Та 44,5 Вт Тс | 20 мДж | 100 В | N-канал | 1250пФ при 50В | 14 мОм при 15 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 40А Ц | 43 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS414DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-sis414dnt1ge3-datasheets-2688.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 15 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,4 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-С5 | 7 нс | 13нс | 8 нс | 21 нс | 20А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 600мВ | 3,4 Вт Та 31 Вт Тс | 50А | 5 мДж | N-канал | 795пФ при 15 В | 16 мОм при 10 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 33 НК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||
| SI7454CDP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7454cdpt1ge3-datasheets-2343.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 4,1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 12нс | 10 нс | 17 нс | 22А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 1,2 В | 4,1 Вт Ta 29,7 Вт Tc | 40А | 0,0305Ом | N-канал | 580пФ при 50В | 30,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 22А Тк | 19,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| СИ3443ДВТРПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-si3443dvtrpbf-datasheets-1933.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,0988 мм | 990,6 мкм | 1,7 мм | Без свинца | Нет СВХК | 65мОм | 6 | Нет | 2 Вт | 1 | Микро6™(ТСОП-6) | 1,079 нФ | 12 нс | 33нс | 72 нс | 70 нс | -4,4А | 12 В | -20В | 20 В | -1,2 В | 2 Вт Та | 65мОм | -20В | P-канал | 1079пФ при 10 В | -1,2 В | 65 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,4А Та | 15 НК при 4,5 В | 65 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS452DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sis452dnt1ge3-datasheets-2639.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 15 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-С5 | 20 нс | 12нс | 10 нс | 25 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 45 мДж | 12 В | N-канал | 1700пФ при 6В | 3,25 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 35А Ц | 41 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIS456DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sis456dnt1ge3-datasheets-4722.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 15 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-С5 | 20 нс | 25нс | 12 нс | 25 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 30В | N-канал | 1800пФ при 15В | 5,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 35А Ц | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIE878DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie878dft1ge3-datasheets-2596.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 10 | 1 | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н4 | 15 нс | 15 нс | 12 нс | 22 нс | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 25 Вт Тс | 0,0068Ом | 25 В | N-канал | 1400пФ при 12,5 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 45А Ц | 36 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1473DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1473dht1e3-datasheets-8072.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 7,512624 мг | Неизвестный | 100МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 1,5 Вт Ta 2,78 Вт Tc | 2,7А | 8А | -30В | P-канал | 365пФ при 15В | -1 В | 100 мОм при 2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,7 А Тс | 6,2 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5433BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5433bdct1e3-datasheets-8454.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 25нс | 55 нс | 80 нс | -5А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | 1,3 Вт Та | 0,037Ом | -20В | P-канал | 37 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,8А Та | 22 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sir412dpt1ge3-datasheets-2592.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,9 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 13 нс | 13нс | 10 нс | 13 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,9 Вт Ta 15,6 Вт Tc | 50А | 25 В | N-канал | 600пФ при 10В | 12 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Ц | 16 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $4,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sij458dpt1ge3-datasheets-2581.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 40 | 5 Вт | 1 | Р-ПССО-Г4 | 38 нс | 44нс | 24 нс | 49 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 30В | 30В | 1В | 5 Вт Та 69,4 Вт Тс | 35,5А | 0,0022Ом | N-канал | 4810пФ при 15 В | 1 В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 122 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| СИР408DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sir408dpt1ge3-datasheets-2568.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 8 | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C8 | 20 нс | 28нс | 11 нс | 30 нс | 21,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 4,8 Вт Ta 44,6 Вт Tc | 50А | 70А | 0,0063Ом | N-канал | 1230пФ при 15В | 6,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 50А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI6467BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6467bdqt1e3-datasheets-6035.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,05 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,05 Вт | 1 | Другие транзисторы | 45 нс | 85нс | 85 нс | 220 нс | -8А | 8В | 12 В | P-канал | 12,5 мОм при 8 А, 4,5 В | 850 мВ при 450 мкА | 6,8А Та | 70 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE854DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie854dft1ge3-datasheets-2529.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 30 нс | 13,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 60А | 60А | 80 мДж | 100 В | N-канал | 3100пФ при 50В | 14,2 мОм при 13,2 А, 10 В | 4,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8473EDB-T1-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8473edbt1e1-datasheets-2419.pdf | 4-XFBGA, CSPBGA | 4 | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | -7,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -1,5 В | 1,1 Вт Ta 2,7 Вт Tc | 0,055 Ом | -20В | P-канал | 41 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE860DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie860dft1ge3-datasheets-2541.pdf | 10-ПоларПАК® (М) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-N4 | 35 нс | 20нс | 30 нс | 50 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 60А | 80А | N-канал | 4500пФ при 15В | 2,1 мОм при 21,7 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 105 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE836DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie836dft1ge3-datasheets-2516.pdf | 10-ПоларПАК® (Ш) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 4,1А | 30В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 18,3А | 15А | 0,13 Ом | 1,25 мДж | 200В | N-канал | 1200пФ при 100В | 130 мОм при 4,1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18,3 А Тс | 41 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE848DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sie848dft1ge3-datasheets-2513.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | Неизвестный | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 125 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 45 нс | 30 нс | 40 нс | 70 нс | 43А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 0,0022Ом | 30В | N-канал | 6100пФ при 15В | 1,8 В | 1,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 138 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР838DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir838dpt1ge3-datasheets-2564.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 5,4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 16 нс | 11нс | 10 нс | 23 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 60А | 0,033Ом | 45 мДж | 150 В | N-канал | 2075пФ при 75В | 33 мОм при 8,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 35А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR876DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $9,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir876dpt1ge3-datasheets-2553.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 28 нс | 31 нс | 17 нс | 36 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 5 Вт Та 62,5 Вт Тс | 100 В | N-канал | 1640пФ при 50В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 40А Ц | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7621DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7621dnt1ge3-datasheets-2383.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 8 нс | 75нс | 60 нс | 25 нс | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 3,1 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 4А | 0,09 Ом | P-канал | 300пФ при 10В | 90 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6,2 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5806TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf5806trpbf-datasheets-1518.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 18 недель | Нет СВХК | 86МОм | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 6,2 нс | 27нс | 126 нс | 94 нс | -4А | 20 В | -20В | -1,2 В | 2 Вт Та | 4А | -20В | P-канал | 594 пФ при 15 В | -1,2 В | 86 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4А Та | 11,4 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4484EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4484eyt1e3-datasheets-8352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | 1 | Одинокий | 1,8 Вт | 1 | 8-СО | 4,8А | 20 В | 100 В | 2В | 1,8 Вт Та | 34мОм | 100 В | N-канал | 34 мОм при 6,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 4,8А Та | 30 НК при 10 В | 34 мОм | 6В 10В | ±20 В |
