Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИБ488ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib488dkt1ge3-datasheets-2431.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | Без свинца | 6 | 15 недель | 95,991485мг | 20МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 2,4 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 9А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 35А | N-канал | 725пФ при 6В | 20 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 20 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||
| SI1304BDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1304bdlt1e3-datasheets-7824.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 30 | 340мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 30 нс | 10 нс | 5 нс | 850 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | 340 мВт Ta 370 мВт Tc | 0,85 А | 0,27 Ом | N-канал | 100пФ при 15В | 270 мОм при 900 мА, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 900 мА Тс | 2,7 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4487DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4487dyt1ge3-datasheets-2217.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 15 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 30 | 2,5 Вт | 1 | 9 нс | 8нс | 10 нс | 28 нс | 8,2А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 0,0205Ом | -30В | P-канал | 1075пФ при 15В | 20,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 11,6 А Тс | 36 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8451DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si8451dbt2e1-datasheets-2412.pdf | 6-УФБГА | 6 | 80мОм | да | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 8 | 30 | 2,77 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПБГА-В6 | 30 нс | 30 нс | 45 нс | -10,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 2,77 Вт Ta 13 Вт Tc | 5А | 15А | -20В | P-канал | 750пФ при 10 В | 80 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10,8 А Тс | 24 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ455ЕДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | $4,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib455edkt1ge3-datasheets-2439.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | 3 | 6 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 13 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | S-XDSO-N3 | 3,2 нс | 7,8А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 25А | 0,027Ом | -12В | P-канал | 27 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 30 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA425EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia425edjt1ge3-datasheets-2443.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 6 | 6 | да | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 6 | 40 | 2,9 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 10 нс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,9 Вт Ta 15,6 Вт Tc | P-канал | 60 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7774DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7774dpt1ge3-datasheets-2402.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1В | 5 Вт Та 48 Вт Тс | N-канал | 2630пФ при 15 В | 3,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Ц | 66 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE832DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie832dft1e3-datasheets-6384.pdf | 10-ПоларПАК® (С) | 4 | 12 недель | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 45 нс | 260 нс | 55 нс | 35 нс | 23,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 80А | 0,0055Ом | 40В | N-канал | 3800пФ при 20В | 5,5 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 77 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7621DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7621dnt1ge3-datasheets-2383.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 8 нс | 75нс | 60 нс | 25 нс | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 3,1 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 4А | 0,09 Ом | P-канал | 300пФ при 10В | 90 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6,2 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5806TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf5806trpbf-datasheets-1518.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 18 недель | Нет СВХК | 86МОм | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 6,2 нс | 27нс | 126 нс | 94 нс | -4А | 20 В | -20В | -1,2 В | 2 Вт Та | 4А | -20В | P-канал | 594 пФ при 15 В | -1,2 В | 86 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4А Та | 11,4 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4484EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4484eyt1e3-datasheets-8352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | 1 | Одинокий | 1,8 Вт | 1 | 8-СО | 4,8А | 20 В | 100 В | 2В | 1,8 Вт Та | 34мОм | 100 В | N-канал | 34 мОм при 6,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 4,8А Та | 30 НК при 10 В | 34 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5913DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5913dct1e3-datasheets-6447.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 18 нс | 40 нс | 10 нс | 18 нс | 3,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,7 Вт Ta 3,1 Вт Tc | 4А | -20В | P-канал | 330пФ при 10В | 84 мОм при 3,7 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 12 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI7635DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7635dpt1ge3-datasheets-2361.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 4,9 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-С5 | 19 нс | 10 нс | 13 нс | 65 нс | -40А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -2,2 В | 5 Вт Та 54 Вт Тс | 70А | -20В | P-канал | 4595пФ при 10 В | -2,2 В | 4,9 мОм при 26 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Ц | 143 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||
| SI7462DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7462dpt1e3-datasheets-6195.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 130МОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,9 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 15 нс | 20 нс | 40 нс | 2,6А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12А | 1,8 мДж | 200В | N-канал | 130 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 30 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5440DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5440dct1ge3-datasheets-2288.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 8 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 2,5 Вт | 2 | 20 нс | 12нс | 10 нс | 20 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Ta 6,3 Вт Tc | 30В | N-канал | 1200пФ при 10В | 19 мОм при 9,1 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6А Ц | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1305DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1305dlt1e3-datasheets-7851.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 30 | 290мВт | 1 | Другие транзисторы | 8 нс | 55нс | 12 нс | 17 нс | 860 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 8В | 290мВт Та | 0,86А | 0,28 Ом | P-канал | 280 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 860 мА Та | 4нК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8445DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8445dbt2e1-datasheets-2406.pdf | 4-XFBGA, CSPBGA | 4 | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 11 нс | 25нс | 10 нс | 37 нс | -9,8А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,8 Вт Ta 11,4 Вт Tc | 3,9 А | -20В | P-канал | 700пФ при 10 В | 84 мОм при 1 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 9,8 А Тс | 16 НК при 5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8467DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8467dbt2e1-datasheets-2409.pdf | 4-XFBGA, CSPBGA | Без свинца | 4 | 73МОм | 4 | EAR99 | Нет | НИЖНИЙ | МЯЧ | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 25 нс | 45нс | 20 нс | 50 нс | -3,7А | -1,5 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 780 мВт Ta 1,8 Вт Tc | P-канал | 475пФ при 10 В | 73 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 21 НК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5853DDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5853ddct1e3-datasheets-2298.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 105мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 1,2 Вт | 1 | 15 нс | 17нс | 17 нс | 21 нс | 2,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,3 Вт Ta 3,1 Вт Tc | P-канал | 320пФ при 10В | 105 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Тк | 12 НК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5486dut1e3-datasheets-8521.pdf | 8-PowerVDFN | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | Без свинца | 3 | Неизвестный | 15МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-N3 | 7 нс | 15 нс | 10 нс | 55 нс | 12А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 40А | 20 В | N-канал | 2100пФ при 10 В | 15 мОм @ 7,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Ц | 54 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||
| SI6443DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6443dqt1e3-datasheets-7408.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 157,991892мг | 8 | 1 | Одинокий | 1 | 8-ЦСОП | 7,3А | 20 В | 30В | 1,05 Вт Та | 12мОм | -30В | P-канал | 12 мОм при 8,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7.3А Та | 60 НК при 5 В | 12 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5456DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5456dut1ge3-datasheets-2334.pdf | 8-PowerVDFN | 3 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Р-XDSO-N3 | 20 нс | 15 нс | 10 нс | 20 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 50А | 0,01 Ом | 20 В | N-канал | 1200пФ при 10В | 10 мОм при 9,3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7403bdnt1e3-datasheets-6135.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 5 нс | 51нс | 60 нс | 33 нс | 5,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 9,6 Вт Tc | 8А | 20А | 0,074Ом | 20 В | P-канал | 430пФ при 10В | 74 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8А Тк | 15 НК при 8 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7703EDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7703ednt1e3-datasheets-0864.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 6 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C6 | 4 нс | 6нс | 6 нс | 23 нс | -6,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -1В | 1,3 Вт Та | 4,3А | 20А | 20 В | P-канал | 48 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1 В @ 800 мкА | 4.3А Та | 18 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI1426DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1426dht1e3-datasheets-7955.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 12нс | 9 нс | 15 нс | 2,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Та | 0,075Ом | 30В | N-канал | 75 мОм при 3,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 2,8А Та | 3nC @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4190DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4190dyt1ge3-datasheets-2143.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8,8 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 7,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 7,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12 нс | 13нс | 11 нс | 40 нс | 20А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | N-канал | 2000пФ при 50В | 8,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 20А Ц | 58 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4470EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4470eyt1e3-datasheets-8331.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 1,85 Вт | 1 | 8-СО | 16 нс | 12нс | 30 нс | 50 нс | 9А | 20 В | 60В | 2В | 1,85 Вт Та | 11мОм | 60В | N-канал | 2 В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 9А Та | 70 НК при 10 В | 11 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4409DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4409dyt1e3-datasheets-6284.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 2,2 Вт | 1 | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 13 нс | 900 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,2 Вт Ta 4,6 Вт Tc | 150 В | P-канал | 332пФ при 50 В | 1,2 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4472DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4472dyt1e3-datasheets-8391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,1 Вт | 1 | 16 нс | 12нс | 7 нс | 20 нс | 7,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 5,9 Вт Tc | 0,047Ом | 150 В | N-канал | 1735пФ при 50В | 4,5 В | 45 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 43 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4403bdyt1e3-datasheets-8348.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,35 Вт | 1 | Не квалифицированный | 45нс | 70 нс | 150 нс | 7,3А | 8В | КРЕМНИЙ | -450мВ | 1,35 Вт Та | 20 В | P-канал | 17 мОм при 9,9 А, 4,5 В | 1 В при 350 мкА | 7.3А Та | 50 НК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В |
