Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH8337TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irfh8337tr2pbf-datasheets-3420.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 17 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 6,4 нс | 12нс | 4,1 нс | 5,7 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,2 Вт Та 27 Вт Тс | 65А | 30В | N-канал | 790пФ при 10 В | 1,8 В | 12,8 мОм при 16,2 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 12А Та 35А Ц | 10 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП40Н10-30-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | 11 нс | 12нс | 12 нс | 30 нс | 38,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | 100 В | 3,1 Вт Та 89 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 61 мДж | N-канал | 2400пФ при 25В | 30 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38,5 А Тс | 60 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8325TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh8325trpbf-datasheets-4982.pdf | 8-PowerTDFN | 5,85 мм | 1,17 мм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 5МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 2,487 нФ | 12 нс | 16 нс | 7,1 нс | 14 нс | 21А | 20 В | 30В | 1,8 В | 24 нс | 5мОм | 30В | N-канал | 2487пФ при 10 В | 1,8 В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В при 50 мкА | 21А Та 82А Ц | 32 НК при 10 В | 5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП65П04-15-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup65p0415e3-datasheets-3513.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 380 нс | 140 нс | 75 нс | -65А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | -3В | 3,75 Вт Ta 120 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | 40В | P-канал | 5400пФ при 25В | -3 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 65А Ц | 130 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ3610СПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf3610strlpbf-datasheets-3829.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 333 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 55нс | 43 нс | 77 нс | 103А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 333 Вт Тс | 460 мДж | N-канал | 5380пФ при 25 В | 4 В | 11,6 мОм при 62 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 103А Тк | 150 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0330DPB-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0330dpb01j0-datasheets-3545.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 16 недель | 5 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 6,8 нс | 3,9 нс | 5,4 нс | 50 нс | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 55 Вт Тс | 180А | 0,0039Ом | N-канал | 4300пФ при 10 В | 2,7 мОм при 22,5 А, 10 В | 45А Та | 27 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS6242TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlhs6242trpbf-datasheets-2714.pdf | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 20 В | N-канал | 1110пФ при 10 В | 11,7 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 10А Та 12А Ц | 14 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП75П03-07-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sub75p0307e3-datasheets-7696.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 7мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | 1 | Одинокий | 187 Вт | 1 | Другие транзисторы | 25 нс | 225 нс | 210 нс | 150 нс | -75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 30В | -1В | 3,75 Вт Ta 187 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | -30В | P-канал | 9000пФ при 25В | -3 В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 75А Ц | 240 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Внедорожник85Н10-10-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-suv85n1010e3-datasheets-3398.pdf | ТО-220-3 | 3 | 10,5 мОм | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 90 нс | 130 нс | 55 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Та 250 Вт Тс | ТО-262АА | 240А | 100 В | N-канал | 6550пФ при 25В | 10,5 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 85А Ц | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП36Н20-54П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sup36n2054pe3-datasheets-3416.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 3,12 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 170 нс | 9 нс | 27 нс | 36А | 25 В | 200В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 3,12 Вт Ta 166 Вт Tc | ТО-220АБ | 80А | 20 мДж | 200В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 4,5 В | 53 мОм при 20 А, 15 В | 4,5 В при 250 мкА | 36А Тк | 127 НК при 15 В | 10 В 15 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8337TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-irfh8337tr2pbf-datasheets-3420.pdf | 8-PowerTDFN | 5,85 мм | 1,17 мм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 12,8 МОм | 8 | Нет | 3,2 Вт | Одинокий | 3,2 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 790пФ | 6,4 нс | 12нс | 4,1 нс | 5,7 нс | 12А | 20 В | 30В | 1,8 В | 18 нс | 12,8 мОм | 30В | N-канал | 790пФ при 10 В | 1,8 В | 12,8 мОм при 16,2 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 12А Та 35А Ц | 10 НК при 10 В | 12,8 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5220TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5220trpbf-datasheets-6361.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 6 мм | 850 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 99,9 МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 1,38 нФ | 7,2 нс | 4,7 нс | 3,4 нс | 14 нс | 3,8А | 20 В | 200В | 59 нс | 99,9 мОм | 200В | N-канал | 1380пФ при 50В | 5 В | 99,9 мОм при 5,8 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 3,8 А Та 20 А Тс | 30 НК при 10 В | 99,9 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ70Н03-09СР-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sum70n0309cpe3-datasheets-3441.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 1,437803г | Нет СВХК | 9,5 мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 80 нс | 8 нс | 22 нс | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,75 Вт Та 93 Вт Тс | 30В | N-канал | 2200пФ при 25В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 70А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8334TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh8334trpbf-datasheets-3413.pdf | 8-PowerTDFN | 5,85 мм | 1,17 мм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 9МОм | 8 | Нет | 3,2 Вт | Одинокий | 3,2 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 1,18 нФ | 8,3 нс | 14нс | 4,6 нс | 7 нс | 14А | 20 В | 30В | 1,8 В | 20 нс | 9мОм | 30В | N-канал | 1180пФ при 10В | 1,8 В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 14А Та 44А Ц | 15 НК при 10 В | 9 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS6342TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irlhs6342trpbf-datasheets-3444.pdf | 6-PowerVDFN | 2,1 мм | 950 мкм | 2,1 мм | Без свинца | Нет СВХК | 15,5 МОм | 6 | Нет | 2,1 Вт | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 6-PQFN (2x2) | 1,019 нФ | 4,9 нс | 13нс | 13 нс | 19 нс | 8,7А | 12 В | 30В | 1,1 В | 17 нс | 15,5 мОм | 30В | N-канал | 1019пФ при 25В | 1,1 В | 15,5 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 8,7 А Та 19 А Цс | 11 НК при 4,5 В | 15,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП60Н02-4М5П-Е3 | Вишай Силиконикс | $4,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup60n024m5pe3-datasheets-3356.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220АБ | 5,95 нФ | 15 нс | 7нс | 8 нс | 35 нс | 60А | 20 В | 20 В | 3,75 Вт Ta 120 Вт Tc | 4,5 мОм | 20 В | N-канал | 5950пФ при 10 В | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 50 НК при 4,5 В | 4,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ110Н03-03П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum110n0303pe3-datasheets-3360.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 20нс | 25 нс | 90 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,75 Вт Та 375 Вт Тс | 400А | 0,0026Ом | 30В | N-канал | 12100пФ при 25 В | 2,6 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 110А Ц | 250 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП85Н10-10П-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | 3,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-sup85n1010pge3-datasheets-3363.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 12нс | 8 нс | 25 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | 3,75 Вт Ta 227 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | N-канал | 4660пФ при 50В | 3 В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 85А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5204TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5204trpbf-datasheets-5889.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 4,3 МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 2,46 нФ | 8,4 нс | 14нс | 8,3 нс | 18 нс | 22А | 20 В | 40В | 4В | 45 нс | 4,3 мОм | 40В | N-канал | 2460пФ при 25В | 4 В | 4,3 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 100 мкА | 22А Та 100А Ц | 65 НК при 10 В | 4,3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП90Н03-03-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup90n0303e3-datasheets-3373.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6.000006г | 2,9 МОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 | 1 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 55 нс | 180 нс | 12 нс | 55 нс | 28,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 3,75 Вт Та 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 90А | 90А | 64,8 мДж | N-канал | 12065пФ при 15В | 2,9 мОм при 28,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 90А Ц | 257 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП45Н03-13Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup45n0313le3-datasheets-3378.pdf | ТО-220-3 | Неизвестный | 3 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | Одинокий | 88 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 9нс | 11 нс | 38 нс | 45А | 10 В | 88 Вт Тс | 30В | N-канал | 2730пФ при 25В | 3 В | 13 мОм при 45 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 45А Ц | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС5834НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5834nlwft1g-datasheets-1921.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 56,4 нс | 6,6 нс | 17,4 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,6 Вт Та 107 Вт Тс | 276А | 48 мДж | N-канал | 1231пФ при 20 В | 9,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та 75А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП85Н02-03-Е3 | Вишай Силиконикс | $5,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup85n0203e3-datasheets-3385.pdf | ТО-220-3 | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 200 нс | 320 нс | 450 нс | 85А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 450 мВ | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 240А | 20 В | N-канал | 21250пФ при 20 В | 450 мВ | 3 мОм при 30 А, 4,5 В | 450 мВ при 2 мА (мин) | 85А Ц | 200 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ70Н04-07Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum70n0407le3-datasheets-3318.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 1,437803г | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 20нс | 15 нс | 40 нс | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 100 Вт Tc | 0,0074Ом | 40В | N-канал | 2800пФ при 25В | 7,4 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 70А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-16П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0316pe3-datasheets-3289.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 16мОм | 1 | Одинокий | 15А | 20 В | 30В | 6,5 Вт Ta 40,8 Вт Tc | N-канал | 1150пФ при 25В | 16 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП90Н08-6М8П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup90n086m8pe3-datasheets-3325.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 11нс | 10 нс | 24 нс | 90А | 20 В | 75В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 272 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | 0,0068Ом | 75В | N-канал | 4620пФ при 30В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП40П10-43-ГЭ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup40p1043ge3-datasheets-3330.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 В | 2 Вт Та 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | P-канал | 4600пФ при 50В | 43 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 36А Тк | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5215trpbf-datasheets-4211.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 6 мм | 850 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 58МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 1,35 нФ | 6,7 нс | 6,3 нс | 2,9 нс | 11 нс | 5А | 20 В | 150 В | 60 нс | 58мОм | 150 В | N-канал | 1350пФ при 50В | 5 В | 58 мОм при 16 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 5А Та 27А Ц | 32 НК при 10 В | 58 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП85Н04-03-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup85n0403e3-datasheets-3341.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 90 нс | 125 нс | 95 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,75 Вт Та 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 240А | 40В | N-канал | 6860пФ при 25 В | 3,5 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 85А Ц | 250 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП60Н06-12П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup60n0612pge3-datasheets-3346.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6.000006г | 12мОм | 3 | EAR99 | Нет | 3 | 1 | Одинокий | 3,25 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 11нс | 8 нс | 16 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 3,25 Вт Та 100 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 80 мДж | N-канал | 1970 пФ при 30 В | 12 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 55 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
