Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EC4401C-TL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ec4401ctl-datasheets-4119.pdf | 4-УФДФН | 4 | Одинокий | 150 мВт | 4-ECSP1008 | 7пФ | 150 мА | 10 В | 30 В | 150 мВт Та | 3,7 Ом | 30 В | N-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 150 мА Та | 1,58 НК при 10 В | 3,7 Ом | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2801-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-emh2801tlh-datasheets-4120.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2 мм | 750 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 24 недели | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 8 | Одинокий | 1 Вт | 7,1 нс | 21нс | 32 нс | 37 нс | 3А | 10 В | 1 Вт Та | 20 В | P-канал | 320пФ при 10В | 85 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3А Та | 4нК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3477-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 4,5 А | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 410пФ при 10 В | 38 мОм при 2 А, 4,5 В | 4,5 А Та | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6341-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6341tle-datasheets-4123.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 7,5 нс | 26нс | 35 нс | 45 нс | 5А | 20 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 5А | -30В | P-канал | 430пФ при 10В | 59 мОм при 3 А, 10 В | 5А Та | 10 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P08-26-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0826e3-datasheets-4091.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Одинокий | 8,3 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 5,16 нФ | 50 нс | 65 нс | 90 нс | 12,9А | 20 В | 80В | 8,3 Вт Ta 136 Вт Tc | 26мОм | -80В | P-канал | 5160пФ при 40 В | 26 мОм при 12,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Ц | 155 НК при 10 В | 26 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4065-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | Нет | Одинокий | 1,65 Вт | 80 нс | 460 нс | 640 нс | 930 нс | 100А | 20 В | 1,65 Вт Та 90 Вт Тс | 75В | N-канал | 12200пФ при 20В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 100А Та | 220 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01СС-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01sstle-datasheets-4093.pdf | СК-81 | 1,4 мм | 600 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | 0,1 А | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3748 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3748-datasheets-4062.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 3 | Одинокий | 3 Вт | 1 | Не квалифицирован | 17 нс | 75нс | 116 нс | 360 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 3 Вт Та 65 Вт Тс | 4А | 8А | 7Ом | 1,5 кВ | N-канал | 790пФ при 30 В | 7 Ом при 2 А, 10 В | 4А Та | 80 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl4001-datasheets-4063.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 3 | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Не квалифицирован | 4,1А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 37 Вт Тс | ТО-220АБ | 6,5 А | 900В | N-канал | 850пФ при 30В | 2,7 Ом при 3,25 А, 10 В | 4.1А Та | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD50N04-09H-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd50n0409hge3-datasheets-3988.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | 83 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 14нс | 8 нс | 23 нс | 50А | 20 В | ОСУШАТЬ | 3,8 В | 0,009 Ом | 76 мДж | 40В | N-канал | 4240пФ при 25В | 3,8 В | 9 м Ом при 20 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 50А Ц | 76 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-3lp01ctbh-datasheets-4067.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 250мВт Та | 0,1 А | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3747 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk37471e-datasheets-4415.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 10Ом | 3 | Олово | Одинокий | 3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 37нс | 59 нс | 152 нс | 2А | 20 В | 1500В | 3,5 В | 3 Вт Та 50 Вт Тс | 4А | 1,5 кВ | N-канал | 380пФ при 30В | 13 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 37,5 НК при 10 В | 10 В | ±35 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4221 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-2sk4221-datasheets-4074.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 44 нс | 156 нс | 94 нс | 224 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 90А | 0,24 Ом | 608 мДж | 500В | N-канал | 2250пФ при 30 В | 240 мОм при 13 А, 10 В | 26А Та | 87 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3747-МГ8 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | Нет | 3 Вт | Одинокий | 3 Вт | 1 | 12 нс | 37нс | 59 нс | 152 нс | 2А | 20 В | 1500В | 1,5 кВ | N-канал | 380пФ при 30В | 13 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 37,5 НК при 10 В | 10 В | ±35 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LN01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 1994 г. | /files/onsemiconductor-3ln01ctbh-datasheets-4075.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 150 мА | 10 В | 30 В | 250мВт Та | 0,15 А | N-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 150 мА Та | 1,58 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LP01M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5lp01mtlh-datasheets-4077.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 150 мВт | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | -50В | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН49РУ,135 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmn49en135-datasheets-3975.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 1,75 Вт Тс | N-канал | 350пФ при 30В | 47 мОм при 2 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 4,6 А Тс | 8,8 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP214-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-atp214tlh-datasheets-4082.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | Без свинца | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 60 Вт | Полномочия общего назначения FET | 30 нс | 240 нс | 250 нс | 360 нс | 75А | 20 В | 60 Вт Тс | 60В | N-канал | 4850пФ при 20 В | 8,1 мОм при 38 А, 10 В | 75А Та | 96 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4921НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntmfs4921nt3g-datasheets-4996.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5,1 мм | 1,1 мм | 6,1 мм | Без свинца | 5 | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 1 | 13,3 нс | 16,6 нс | 13,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 870 мВт Ta 38,5 Вт Tc | 0,0088А | 0,0108Ом | 30 В | N-канал | 1400пФ при 12В | 6,95 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,8 А Та 58,5 А Тс | 25 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4117LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4117ls-datasheets-4054.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 16 нс | 62нс | 56 нс | 101 нс | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 35 Вт Тс | ТО-220АБ | 10,4А | 47А | 0,42 Ом | 296 мДж | 400В | N-канал | 755пФ при 30 В | 420 мОм при 7,5 А, 10 В | 10,4 А Тс | 30,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP201-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-atp201tlh-datasheets-4088.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 6,5 мм | 1,5 мм | 7,3 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 30 Вт | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 230 нс | 39 нс | 51 нс | 35А | 20 В | 30 Вт Тс | 30 В | N-канал | 985пФ при 10 В | 17 мОм при 18 А, 10 В | 35А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP216-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-atp216tlh-datasheets-4055.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | 6,5 мм | 1,5 мм | 7,3 мм | Без свинца | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 27 нс | 90 нс | 105 нс | 220 нс | 35А | 10 В | 50В | 40 Вт Тс | N-канал | 2700пФ при 20В | 23 мОм при 18 А, 4,5 В | 35А Та | 30 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP613-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-atp613tlh-datasheets-4058.pdf | АТПАК (2 отверстия+вкладка) | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 70 Вт | 1 | 14,2 нс | 46нс | 20,4 нс | 37,6 нс | 5,5 А | 30 В | 500В | 70 Вт Тс | N-канал | 350пФ при 30В | 2 Ом при 2,75 А, 10 В | 5,5 А Та | 13,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4210 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4210-datasheets-4061.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 190 Вт Тс | 20А | 560 мДж | 900В | N-канал | 1500пФ при 30В | 1,3 Ом при 5 А, 10 В | 10А Та | 75 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN45EN,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/nexperiausainc-pmn45en135-datasheets-3981.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 5,2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,75 Вт Тс | 0,04 Ом | N-канал | 495пФ при 25В | 40 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 5,2 А Тс | 6,1 нк @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3704 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3704-datasheets-4025.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | Неизвестный | 14мОм | 3 | да | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 30 Вт | 1 | 26 нс | 175 нс | 210 нс | 265 нс | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,6 В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | ТО-220АБ | 180А | 60В | N-канал | 3500пФ при 20 В | 14 мОм при 23 А, 10 В | 45А Та | 67 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМВ16УН,215 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmv16un215-datasheets-4007.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 20 В | 510мВт Та | N-канал | 670пФ при 10 В | 18 мОм при 5,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,8А Та | 11 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ652 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sj6521e-datasheets-1821.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 30 Вт | 1 | 33 нс | 210 нс | 180 нс | 310 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | ТО-220АБ | 112А | 0,0555Ом | -60В | P-канал | 4360пФ при 20В | 38 мОм при 14 А, 10 В | 28А Та | 80 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS108ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-bs108g-datasheets-3469.pdf | 200В | 250 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 8Ом | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 15 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350мВт Та | 0,25 А | 200В | N-канал | 150пФ при 25В | 8 Ом при 100 мА, 2,8 В | 1,5 В при 1 мА | 250 мА Та | 2В 2,8В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4177-ДЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4177dl1e-datasheets-7498.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 4 | Нет | Одинокий | 1,65 Вт | 1 | 12 нс | 37нс | 59 нс | 152 нс | 2А | 20 В | 1500В | 80 Вт Тс | 1,5 кВ | N-канал | 380пФ при 30В | 13 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 37,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
