Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3LN01SS-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-3ln01sstlh-datasheets-4210.pdf | СК-75, СОТ-416 | 1,4 мм | 600 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 150 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 мВт Та | 0,15 А | 30 В | N-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 150 мА Та | 1,58 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4222 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sk4222-datasheets-4212.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 48 нс | 140 нс | 75 нс | 216 нс | 23А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 220 Вт Тс | 80А | 429 мДж | 600В | N-канал | 2250пФ при 30 В | 340 мОм при 11,5 А, 10 В | 23А Та | 81 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1341-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-sft1341tlw-datasheets-4213.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 50 нс | 80 нс | 81 нс | 10А | 10 В | Одинокий | 40В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | P-канал | 650пФ при 20В | 112 мОм при 5 А, 4,5 В | 10А Та | 8 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3455-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph3455tlh-datasheets-4216.pdf | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 1 Вт | Полномочия общего назначения FET | 4,2 нс | 4,7 нс | 5,7 нс | 15 нс | 3А | 20 В | 1 Вт Та | 3А | 35В | N-канал | 186пФ при 20В | 104 мОм при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1440-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sft1440e-datasheets-4219.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9,1 нс | 15 нс | 19 нс | 18 нс | 1,5 А | 30 В | 600В | 1 Вт Та 20 Вт Тс | N-канал | 130пФ при 30В | 8,1 Ом при 800 мА, 10 В | 1,5 А Та | 6,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС4841НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs4841nt1g-datasheets-4177.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 2 недели | 5 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 112 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13,5 нс | 66,5 нс | 7,5 нс | 15,5 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,7 Вт Та 112 Вт Тс | 89А | 336А | 30 В | N-канал | 1436пФ при 12 В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Та | 17 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1335-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-sch1335tlh-datasheets-4180.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 6,5 нс | 21нс | 33 нс | 33 нс | 2,5 А | 10 В | 12 В | 800мВт Та | P-канал | 270пФ при 6В | 112 мОм при 1 А, 4,5 В | 2,5 А Та | 3,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6347-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph6347tlw-datasheets-3100.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | Другие транзисторы | 10 нс | 48нс | 78 нс | 100 нс | 6А | 12 В | 20 В | 1,6 Вт Та | 6А | P-канал | 860пФ при 10 В | 39 мОм при 3 А, 4,5 В | 6А Та | 10,5 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6350-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cph6350tlw-datasheets-1048.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 6 | Одинокий | 7,4 нс | 27нс | 45 нс | 62 нс | 6А | 20 В | 30 В | 1,6 Вт Та | P-канал | 600пФ при 10В | 43 мОм при 3 А, 10 В | 6А Та | 13 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH1405-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-emh1405tlh-datasheets-4136.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 8 | Одинокий | Полномочия общего назначения FET | 9,5 нс | 25нс | 28 нс | 63 нс | 8,5 А | 20 В | 30 В | 1,5 Вт Та | N-канал | 820пФ при 10 В | 19 мОм при 4 А, 10 В | 8,5А Та | 15 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01SS-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-3lp01sstlh-datasheets-4138.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | 30 В | 150 мВт Та | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3703 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk37031e-datasheets-2031.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | совместимый | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | ТО-220АБ | 30А | 120А | 0,04 Ом | N-канал | 1780пФ при 20В | 26 мОм при 15 А, 10 В | 30А Та | 40 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6337-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mch6337tlh-datasheets-4141.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | Другие транзисторы | 8,4 нс | 45нс | 63 нс | 69 нс | 4,5 А | 10 В | 20 В | 1,5 Вт Та | -20В | P-канал | 670пФ при 10 В | 49 мОм при 3 А, 4,5 В | 4,5 А Та | 7,3 нК @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН8Р0-30YLC,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn8r030ylc115-datasheets-4145.pdf | СК-100, СОТ-669 | 30 В | 42 Вт Тс | N-канал | 848пФ при 15 В | 7,9 мОм при 15 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 54А Тк | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1435-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-sch1435tlw-datasheets-4149.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 4 недели | да | 3А | 30 В | 800мВт Та | N-канал | 265пФ при 10В | 89 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3А Та | 3,5 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1436-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sch1436tlh-datasheets-4153.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 560 мкм | 1,5 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 800мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 3,4 нс | 4нс | 4,2 нс | 10,4 нс | 1,8 А | 20 В | 30 В | 800мВт Та | N-канал | 88пФ при 10 В | 180 мОм при 900 мА, 10 В | 1,8 А Та | 2 нк @ 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3457-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-cph3457tlw-datasheets-0368.pdf | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 10 нс | 36 нс | 137 нс | 3А | 12 В | 30 В | 1 Вт Та | 3А | N-канал | 265пФ при 10В | 95 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3А Та | 3,5 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4026 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl40261e-datasheets-5416.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | Одинокий | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 37нс | 39 нс | 117 нс | 5А | 30 В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | 900В | N-канал | 650пФ при 30В | 3,6 Ом при 2,5 А, 10 В | 3,5 А Та | 33 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1439-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-sch1439tlh-datasheets-4161.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 560 мкм | 1,5 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 5,8 нс | 8нс | 9,7 нс | 21 нс | 3,5 А | 20 В | 1 Вт Та | 30 В | N-канал | 280пФ при 10В | 72 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 А Та | 5,6 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTP5863NG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-ntp5863ng-datasheets-4165.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 150 Вт | 1 | 10 нс | 34 нс | 9 нс | 25 нс | 97А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0078Ом | 157 мДж | 60В | N-канал | 3200пФ при 25 В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 97А Тц | 55 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6331-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mch6331tlh-datasheets-4167.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | 5,4 нс | 12нс | 19 нс | 26 нс | 3,5 А | 20 В | 1,5 Вт Та | 30 В | P-канал | 250пФ при 10В | 98 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 А Та | 5 нк @ 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3477-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 4,5 А | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 410пФ при 10 В | 38 мОм при 2 А, 4,5 В | 4,5 А Та | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6341-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6341tle-datasheets-4123.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 7,5 нс | 26нс | 35 нс | 45 нс | 5А | 20 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 5А | -30В | P-канал | 430пФ при 10В | 59 мОм при 3 А, 10 В | 5А Та | 10 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P08-26-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0826e3-datasheets-4091.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Одинокий | 8,3 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 5,16 нФ | 50 нс | 65 нс | 90 нс | 12,9А | 20 В | 80В | 8,3 Вт Ta 136 Вт Tc | 26мОм | -80В | P-канал | 5160пФ при 40 В | 26 мОм при 12,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Ц | 155 НК при 10 В | 26 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4065-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | Нет | Одинокий | 1,65 Вт | 80 нс | 460 нс | 640 нс | 930 нс | 100А | 20 В | 1,65 Вт Та 90 Вт Тс | 75В | N-канал | 12200пФ при 20В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 100А Та | 220 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01СС-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01sstle-datasheets-4093.pdf | СК-81 | 1,4 мм | 600 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3 | Одинокий | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | 0,1 А | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4826NET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4826net1g-datasheets-3605.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,16 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | 39,8 нс | 5,2 нс | 66А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 870 мВт Ta 41,7 Вт Tc | 9,5А | 0,0087Ом | 30 В | N-канал | 1850пФ при 12В | 5,9 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,5 А Та 66 А Тс | 20 НК @ 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4043LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4043ls-datasheets-4097.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | Неизвестный | 21мОм | 3 | да | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 3 | Одинокий | 20 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,3 В | 2 Вт Та 20 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 147 мДж | 30 В | N-канал | 3000пФ при 20В | 21 мОм при 10 А, 4 В | 20А Та | 37 НК при 4 В | 2,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BBS3002-DL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bbs3002dl1e-datasheets-0350.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 90 Вт | 1 | СМП-ФД | 13,2 нФ | 100А | 20 В | 60В | 90 Вт Тс | P-канал | 13200пФ при 20В | 5,8 мОм при 50 А, 10 В | 100А Та | 280 НК при 10 В | 5,8 мОм | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4126-datasheets-4099.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 2,5 Вт Та 170 Вт Тс | ТО-220АБ | 15А | 48А | 0,72 Ом | 132 мДж | N-канал | 1200пФ при 30В | 720 мОм при 6 А, 10 В | 15А Та | 45,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
