Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные МОП-транзисторы(33658)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Дата проведения проверки исходного URL Поставщик пакета оборудования Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Максимальное двойное напряжение питания Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Выключить Тайм-Макс (toff) Время включения-Макс (тонна) Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
PMV16UN,215 ПМВ16УН,215 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmv16un215-datasheets-4007.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 2013-06-14 00:00:00 20 В 510мВт Та N-канал 670пФ при 10 В 18 мОм при 5,8 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 5,8А Та 11 НК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
2SJ652 2SJ652 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ Истощения Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sj6521e-datasheets-1821.pdf ТО-220-3 Полный пакет Без свинца 3 3 да Нет 8541.29.00.95 Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) 3 Одинокий 30 Вт 1 33 нс 210 нс 180 нс 310 нс 28А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 2 Вт Та 30 Вт Тс ТО-220АБ 112А 0,0555Ом -60В P-канал 4360пФ при 20В 38 мОм при 14 А, 10 В 28А Та 80 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
BS108ZL1G BS108ZL1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-bs108g-datasheets-3469.pdf 200В 250 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 5,2 мм 5,33 мм 4,19 мм Без свинца 3 8Ом 3 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Медь, Серебро, Олово Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕТ НИЖНИЙ 260 3 Одинокий 40 350 мВт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 15 нс 15 нс 250 мА 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 350мВт Та 0,25 А 200В N-канал 150пФ при 25В 8 Ом при 100 мА, 2,8 В 1,5 В при 1 мА 250 мА Та 2В 2,8В ±20 В
2SK4177-DL-E 2СК4177-ДЛ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4177dl1e-datasheets-7498.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 4 Нет Одинокий 1,65 Вт 1 12 нс 37нс 59 нс 152 нс 2А 20 В 1500В 80 Вт Тс 1,5 кВ N-канал 380пФ при 30В 13 Ом при 1 А, 10 В 2А Та 37,5 НК при 10 В 10 В ±20 В
NTD4863NT4G NTD4863NT4G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/onsemiconductor-ntd4863na1g-datasheets-3067.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,38 мм 6,22 мм Без свинца 2 6 недель 4 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 1,95 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Р-ПССО-Г2 11,5 нс 16,5 нс 16,5 нс 20,2 нс 11,3А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,27 Вт Ta 36,6 Вт Tc 9,2А 98А 60,5 мДж 25 В N-канал 990пФ при 12 В 9,3 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 9,2А Та 49А Ц 13,5 НК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
2SK4066-DL-E 2SK4066-ДЛ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2006 г. ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 4,7 мОм 3 Нет Одинокий 90 Вт 1 80 нс 630 нс 750 нс 860 нс 3,6А 20 В 1,65 Вт Та 90 Вт Тс 60В N-канал 12500пФ при 20В 4,7 мОм при 50 А, 10 В 100А Та 220 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
2SK4066-E 2СК4066-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2006 г. ТО-220-3, короткая вкладка 3 Нет Одинокий 1,65 Вт 80 нс 630 нс 750 нс 860 нс 100А 20 В 1,65 Вт Та 90 Вт Тс 60В N-канал 12500пФ при 20В 4,7 мОм при 50 А, 10 В 100А Та 220 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
2SK3745LS 2SK3745LS ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3745ls1e-datasheets-4044.pdf ТО-220-3 Полный пакет 3 3 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) 3 Одинокий 35 Вт 1 12 нс 37нс 59 нс 152 нс 2А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1500В 2 Вт Та 35 Вт Тс ТО-220АБ 2А 4А 42 мДж 1,5 кВ N-канал 380пФ при 30В 13 Ом при 1 А, 10 В 2А Та 37,5 НК при 10 В 10 В ±20 В
2SK3746 2СК3746 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 150°С, ТДж Поднос 1 (без блокировки) Сквозное отверстие МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk37461e-datasheets-4192.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 3 3 Нет Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) 3 Одинокий 2,5 Вт 1 12 нс 37нс 59 нс 152 нс 2А 20 В 1,5 кВ КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1500В 2,5 Вт Та 110 Вт Тс 2А 4А 42 мДж 1,5 кВ N-канал 380пФ при 30В 3,5 В 13 Ом при 1 А, 10 В 2А Та 37,5 НК при 10 В 10 В ±20 В
PMN28UN,135 ПМН28УН,135 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1997 год /files/nexperiausainc-pmn28un135-datasheets-3964.pdf СК-74, СОТ-457 3,1 мм 1 мм 1,7 мм Без свинца 6 4.535924г Нет СВХК 6 EAR99 Нет 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 Одинокий 30 1,75 Вт 1 8 нс 15 нс 15 нс 53 нс 5,7А 8В 12 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 700мВ 1,75 Вт Тс 0,04 Ом 12 В N-канал 740пФ при 10 В 34 мОм при 2 А, 4,5 В 700 мВ @ 1 мА 5,7 А Тс 10,1 нк при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
IRFH8330TR2PBF IRFH8330TR2PBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh8330trpbf-datasheets-7208.pdf 8-PowerTDFN 5,85 мм 1,17 мм 5 мм Без свинца Нет СВХК 6,6 МОм 8 Нет 3,3 Вт Одинокий 3,3 Вт 1 ПКФН (5х6) 1,45 нФ 9,2 нс 15 нс 5,7 нс 10 нс 17А 20 В 30В 1,8 В 21 нс 6,6 мОм 30В N-канал 1450пФ при 25В 1,8 В 6,6 мОм при 20 А, 10 В 2,35 В @ 25 мкА 17А Та 56А Ц 20 НК при 10 В 6,6 мОм
BUK6207-55C,118 БУК6207-55С,118 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год /files/nexperiausainc-buk620755c118-datasheets-3810.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 12 недель 3 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Олово Нет е3 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 3 Одинокий 128 Вт 1 Р-ПССО-Г2 18 нс 44нс 78 нс 165 нс 90А 16 В 55В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 158 Вт Тс 55В N-канал 5160пФ при 25В 7,8 мОм при 25 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 90А Ц 82 НК при 10 В 10 В ±20 В
PMZ270XN,315 ПМЗ270ХН,315 Нексперия США Инк. 1,69 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmz270xn315-datasheets-3873.pdf СК-101, СОТ-883 Без свинца 3 340МОм 3 EAR99 Нет 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА НИЖНИЙ 3 Одинокий 2,5 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 5 нс 11нс 6 нс 11 нс 2,15А 12 В 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,5 Вт Тс 20 В N-канал 34пФ при 20В 340 мОм при 200 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 2,15 А Тс 0,72 НК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±12 В
BSP100,135 100 135 БСП Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -65°С~150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS /files/nexperiausainc-bsp100135-datasheets-3876.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм Без свинца 4 4.535924г Нет СВХК 4 EAR99 Олово Нет е3 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 40 8,3 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 6 нс 8нс 15 нс 21 нс 6А 20 В 30В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 8,3 Вт Тс 3,5 А 30В N-канал 250пФ при 20В 75нс 2 В 100 мОм при 2,2 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 3.2А Та 6 нк @ 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
PMN38EN,135 ПМН38РУ,135 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmn38en135-datasheets-3900.pdf СК-74, СОТ-457 6 2013-06-14 00:00:00 30В 1,75 Вт Тс N-канал 495пФ при 25В 38 мОм при 3 А, 10 В 2 В @ 1 мА 5,4 А Тс 6,1 нк @ 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
PHT6N06LT,135 PHT6N06LT,135 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1998 год ТО-261-4, ТО-261АА 4 EAR99 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПДСО-Г4 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 1,8 Вт Ta 8,3 Вт Tc 2,5 А 10А 0,15 Ом 50 пФ 15 мДж N-канал 330пФ при 25В 76нс 77нс 150 мОм при 5 А, 5 В 2 В @ 1 мА 2,5 А Та 4,5 НК при 5 В 5В ±13 В
SUD50P10-43-E3 СУД50П10-43-Е3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -50°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p1043e3-datasheets-3907.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 3 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 8,3 Вт 1 Другие транзисторы Р-ПССО-Г2 30 нс 115 нс 60 нс 80 нс 9,4А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 100 В 8,3 Вт Ta 136 Вт Tc 50А 80 мДж -100В P-канал 5230пФ при 50В 43 мОм при 9,4 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 38А Тц 160 НК при 10 В 10 В ±20 В
SUM90P10-19-E3 СУМ90П10-19-Е3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum90p1019e3-datasheets-3910.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 Нет е3 Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 13,6 Вт 1 Другие транзисторы Р-ПССО-Г2 30 нс 720 нс 610 нс 125 нс 17А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 В 13,6 Вт Ta 375 Вт Tc 90А 90А -100В P-канал 12000пФ при 50В 19 мОм при 20 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 90А Ц 330 НК при 10 В 10 В ±20 В
IRFH8318TR2PBF IRFH8318TR2PBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2008 год /files/infineontechnologies-irfh8318trpbf-datasheets-5635.pdf 8-PowerTDFN 5,85 мм 1,17 мм 5 мм Без свинца Нет СВХК 3,1 МОм 8 Нет 3,6 Вт Одинокий 3,6 Вт 1 ПКФН (5х6) 3,18 нФ 15 нс 33нс 12 нс 18 нс 27А 20 В 30В 1,8 В 24 нс 3,1 мОм 30В N-канал 3180пФ при 10 В 1,8 В 3,1 мОм при 20 А, 10 В 2,35 В при 50 мкА 27А Та 120А Ц 41 НК при 10 В 3,1 мОм
PMR290XN,115 ПМР290XN,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmr290xn115-datasheets-3913.pdf СК-75, СОТ-416 3 EAR99 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В 20 В 530мВт Тс 0,97А 0,35 Ом N-канал 34пФ при 20В 350 мОм при 200 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 970 мА Тс 0,72 НК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±12 В
SUP60N06-12P-E3 СУП60Н06-12П-Е3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчFET® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup60n0612pge3-datasheets-3346.pdf ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм 3 6.000006г 3 EAR99 Нет 3 1 Одинокий 3,25 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 11 нс 11нс 8 нс 16 нс 60А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 3,25 Вт Та 100 Вт Тс ТО-220АБ 80А 80 мДж N-канал 1970 пФ при 30 В 12 мОм при 30 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 60А Ц 55 НК при 10 В 10 В ±20 В
PMN40LN,135 ПМН40ЛН,135 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2001 г. /files/nxpusainc-pmn40ln135-datasheets-3897.pdf СК-74, СОТ-457 6 EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 6 НЕ УКАЗАН 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПДСО-Г6 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 30В 1,75 Вт Тс 5,4А 0,038Ом N-канал 555пФ при 25 В 38 мОм при 2,5 А, 10 В 2 В @ 1 мА 5,4 А Тс 13,8 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±15 В
BUK6215-75C,118 БУК6215-75С,118 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год /files/nexperiausainc-buk621575c118-datasheets-3843.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 12 недель 3 Олово 3 Одинокий 128 Вт 16,6 нс 37,4 нс 69 нс 126 нс 57А 20 В 75В 128 Вт Тс 75В N-канал 3900пФ при 25В 15 мОм при 15 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 57А Тк 61,8 НК при 10 В 10 В ±16 В
SUP90N15-18P-E3 СУП90Н15-18П-Е3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчFET® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Сквозное отверстие МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/vishaysiliconix-sup90n1518pe3-datasheets-3967.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 Нет СВХК 18мОм 3 да EAR99 Нет е3 Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером 3 Одинокий 3,75 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 15 нс 10 нс 8 нс 25 нс 90А 20 В 150 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,5 В 3,75 Вт Та 375 Вт Тс ТО-220АБ N-канал 4180пФ при 75В 18 мОм при 20 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 90А Ц 100 НК при 10 В 10 В ±20 В
BUK6209-30C,118 БУК6209-30С,118 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2007 год /files/nexperiausainc-buk620930c118-datasheets-3820.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 12 недель 3 Олово не_совместимо 3 Одинокий 80 Вт 1 9,2 нс 23нс 31,3 нс 45,5 нс 50А 16 В 30В 80 Вт Тс 30В N-канал 1760пФ при 25В 9,8 мОм при 12 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 50А Ц 30,5 НК при 10 В 10 В ±16 В
PMR400UN,115 ПМР400UN,115 NXP США Инк. $16,09
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmr400un115-datasheets-3805.pdf СК-75, СОТ-416 3 EAR99 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения Не квалифицированный Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 30В 530мВт Тс 0,8 А 0,48 Ом N-канал 43пФ при 25В 480 мОм при 200 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА 800 мА Тс 0,89 нк при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
BUK6228-55C,118 БУК6228-55С,118 Нексперия США Инк. 1,50 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk622855c118-datasheets-3838.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 12 недель 3 Олово не_совместимо 3 Одинокий 60 Вт 6,6 нс 21,9 нс 10,6 нс 22,5 нс 31А 20 В 55В 60 Вт Тс 55В N-канал 1340пФ при 25В 29 мОм при 10 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 31А Тц 20,2 НК при 10 В 10 В ±16 В
MTD6N20ET5G МТД6Н20ЕТ5Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mtd6n20et4-datasheets-6415.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 EAR99 не_совместимо е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200В 200В 1,75 Вт Та 50 Вт Тс 6А 18А 0,7 Ом 54 мДж N-канал 480пФ при 25В 700 мОм при 3 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 6А Тк 21 НК при 10 В 10 В ±20 В
PSMN011-30YL,115 ПСМН011-30ИЛ,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. СК-100, СОТ-669 не_совместимо 4 2013-06-14 00:00:00 30В 49 Вт Тс N-канал 726пФ при 15 В 10,7 мОм при 15 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 51А Тдж 14,8 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
PSMN5R9-30YL,115 ПСМН5Р9-30ИЛ,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. СК-100, СОТ-669 не_совместимо 4 2013-06-14 00:00:00 30В 63 Вт Тс N-канал 1226пФ при 15 В 6,1 мОм при 20 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 78А Тк 21,3 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)