Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Стабильность частоты | Эмкость нагрузки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СУД50П04-40П-Т4-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0440pt4e3-datasheets-3311.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 40мОм | 1 | Одинокий | 6А | 20 В | 40В | 2,4 Вт Та 24 Вт Тс | P-канал | 1555пФ при 20 В | 40 мОм при 5 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 6А Та 8А Ц | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП60Н10-18П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup60n1018pe3-datasheets-3313.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Неизвестный | 18,3 мОм | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 10 нс | 8 нс | 18 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 4,5 В | 3,75 Вт Ta 150 Вт Tc | ТО-220АБ | N-канал | 2600пФ при 50В | 4,5 В | 18,3 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 75 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ70Н04-07Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum70n0407le3-datasheets-3318.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 1,437803г | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 20нс | 15 нс | 40 нс | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 100 Вт Tc | 0,0074Ом | 40В | N-канал | 2800пФ при 25В | 7,4 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 70А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-16П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0316pe3-datasheets-3289.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 16мОм | 1 | Одинокий | 15А | 20 В | 30В | 6,5 Вт Ta 40,8 Вт Tc | N-канал | 1150пФ при 25В | 16 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП90Н08-6М8П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup90n086m8pe3-datasheets-3325.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 3 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 11нс | 10 нс | 24 нс | 90А | 20 В | 75В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 272 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | 0,0068Ом | 75В | N-канал | 4620пФ при 30В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90А Ц | 115 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП40П10-43-ГЭ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup40p1043ge3-datasheets-3330.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 В | 2 Вт Та 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | P-канал | 4600пФ при 50В | 43 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 36А Тк | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5215trpbf-datasheets-4211.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 6 мм | 850 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 58МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | ПКФН (5х6) | 1,35 нФ | 6,7 нс | 6,3 нс | 2,9 нс | 11 нс | 5А | 20 В | 150 В | 60 нс | 58мОм | 150 В | N-канал | 1350пФ при 50В | 5 В | 58 мОм при 16 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 5А Та 27А Ц | 32 НК при 10 В | 58 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н06-5М5П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sum90n065m5pe3-datasheets-3287.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 1,437803г | Нет СВХК | 5,5 МОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | ТО-263 (Д2Пак) | 4,7 нФ | 16 нс | 10 нс | 8 нс | 25 нс | 90А | 20 В | 60В | 3,75 Вт Ta 272 Вт Tc | 5,5 мОм | 60В | N-канал | 4700пФ при 30 В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90А Ц | 120 НК при 10 В | 5,5 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-16П-Е3 | Вишай Силиконикс | 2,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0316pe3-datasheets-3289.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет СВХК | 3 | Одинокий | 6,5 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,15 нФ | 20нс | 12 нс | 25 нс | 15А | 20 В | 30В | 30В | 6,5 Вт Ta 40,8 Вт Tc | 16мОм | 30В | N-канал | 1150пФ при 25В | 16 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 НК при 4,5 В | 16 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ40Н02-12П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum40n0212pe3-datasheets-3291.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 10 нс | 9 нс | 24 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Та 83 Вт Тс | 90А | 20 В | N-канал | 1000пФ при 10В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Ц | 12 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ411ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | 156,25 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib411dkt1e3-datasheets-6312.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | Без свинца | 3 | 66мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 2,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-N3 | 25 частей на миллион | 15пФ | 40 нс | 75 нс | 45 нс | -9А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 4,8А | -20В | P-канал | 470пФ при 10В | -1 В | 66 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 15 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н08-7М6П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum90n087m6pe3-datasheets-3297.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 32 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | 3,75 Вт Ta 150 Вт Tc | 200А | 75В | N-канал | 3528пФ при 30 В | 7,6 мОм при 30 А, 10 В | 4,8 В при 250 мкА | 90А Ц | 90 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9424BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 3,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si9424bdyt1e3-datasheets-6263.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 нс | 40 нс | 70 нс | 130 нс | -7,1А | 9В | КРЕМНИЙ | 20 В | -450мВ | 1,25 Вт Та | 5,6А | 0,025 Ом | -20В | P-канал | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 5,6А Та | 40 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД45П03-15-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud45p0315e3-datasheets-3272.pdf | -30В | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | 70 Вт | ТО-252, (Д-Пак) | 3,2 нФ | 15 нс | 18нс | 47 нс | 60 нс | 13А | 20 В | 30В | 4 Вт Та 70 Вт Тс | 15мОм | P-канал | 3200пФ при 25 В | 15 мОм при 13 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 125 НК при 10 В | 15 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-12П-Е3 | Вишай Силиконикс | 2,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0312pe3-datasheets-3274.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет СВХК | 3 | Нет | Одинокий | 46,8 мВт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,6 нФ | 9 нс | 15нс | 12 нс | 20 нс | 17,5А | 20 В | 30В | 3В | 6,5 Вт Ta 46,8 Вт Tc | 12мОм | N-канал | 1600пФ при 25В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | 12 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД40Н02-3М3П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud40n023m3pe3-datasheets-3276.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,3 мОм | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 40 нс | 30 нс | 33 нс | 67 нс | 24,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,3 Вт Та 79 Вт Тс | 40А | 100А | 20 В | N-канал | 6520пФ при 10 В | 3,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 24,4 А Та 40 А Тс | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-06П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sud50n0306pe3-datasheets-3279.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | Неизвестный | 6,5 МОм | 2 | Одинокий | 8,3 Вт | ТО-252, (Д-Пак) | 3,1 нФ | 12 нс | 12нс | 10 нс | 30 нс | 30А | 20 В | 30В | 8,3 Вт Та 88 Вт Тс | 6,5 мОм | 30В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 3 В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 84А Ц | 30 НК при 4,5 В | 6,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ110П08-11-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum110p0811e3-datasheets-3282.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 1 | Одинокий | ТО-263 (Д2Пак) | 11,5 нФ | 25 нс | 410 нс | 470 нс | 145 нс | 110А | 20 В | 80В | 13,6 Вт Ta 375 Вт Tc | 11,1 мОм | P-канал | 11500пФ при 40В | 11,1 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 280 НК при 10 В | 11,1 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ75Н15-18П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum75n1518pe3-datasheets-3284.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 18мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 30 | 3,12 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 10 нс | 8 нс | 25 нс | 75А | 20 В | 150 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 3,12 Вт Ta 312,5 Вт Tc | 150 В | N-канал | 4180пФ при 75В | 4,5 В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 75А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР406ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir406dpt1ge3-datasheets-3244.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 22 нс | 20нс | 10 нс | 28 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 48 Вт Тс | 27А | 70А | 45 мДж | 25 В | N-канал | 2083пФ при 10 В | 3,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0423e3-datasheets-3248.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 22 нс | 12нс | 9 нс | 36 нс | 8,2А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | 40В | 3,1 Вт Ta 45,4 Вт Tc | 20А | 50А | 20 мДж | P-канал | 1880пФ при 20В | 23 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 20 А Тс | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н10-18П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n1018pe3-datasheets-3250.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 18,5 МОм | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 30 | 136,4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 10 нс | 8 нс | 18 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт Та 136,4 Вт Тс | 100 В | N-канал | 2600пФ при 50В | 18,5 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 50 А Тс | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н04-05Л-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0405le3-datasheets-3253.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 1,437803г | 1 | Одинокий | 136 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 5,6 нФ | 15 нс | 20нс | 11 нс | 65 нс | 115А | 20 В | 40В | 136 Вт Тс | 5,4 мОм | 40В | N-канал | 5600пФ при 25В | 5,4 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 115А Ц | 135 НК при 10 В | 5,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-09П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0309pge3-datasheets-3255.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 9,5 мОм | 1 | Одинокий | 63А | 20 В | 30В | 7,5 Вт Ta 65,2 Вт Tc | N-канал | 2200пФ при 25В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 63А Тк | 16 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD35N05-26L-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd35n0526lge3-datasheets-3259.pdf | 4,75 мм | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 1,437803г | 2,26 Ом | 3 | Олово | Нет | 3 Вт | 1% | 50 частей по миллион/°С | Проволочная обмотка | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,175 нФ | 5 нс | 18нс | 100 нс | 20 нс | 30А | 20 В | 55В | 50 Вт Тс | 20мОм | 55В | N-канал | 1175пФ при 25В | 20 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 18 НК при 5 В | 20 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н04-16П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0416pe3-datasheets-3262.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 1,437803г | EAR99 | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 3,1 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 120 нс | 36 нс | 40 нс | 9,8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 35,7 Вт Tc | 50А | 20 мДж | 40В | N-канал | 1655пФ при 20 В | 16 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 9,8 А Та 20 А Тс | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0423e3-datasheets-3248.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 20А | 40В | 3,1 Вт Ta 45,4 Вт Tc | P-канал | 1880пФ при 20В | 23 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 20 А Тс | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н10-34П-Т4-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n1034pt4e3-datasheets-3267.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 5,9А | 20 В | 2,5 Вт Та 56 Вт Тс | 100 В | N-канал | 1800пФ при 25В | 34 мОм при 7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,9 А Та 20 А Тс | 30 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR874DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir874dpt1ge3-datasheets-3233.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,9 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С5 | 14 нс | 12нс | 9 нс | 19 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 3,9 Вт Ta 29,8 Вт Tc | 50А | 0,0094Ом | 20 мДж | N-канал | 985пФ при 15 В | 9,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Ц | 27 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-T4E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 450пФ | 8,4А | 60В | 1,7 Вт Ta 20,8 Вт Tc | P-канал | 450пФ при 25В | 155 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,4 А Тс | 19 НК при 10 В | 155 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
