Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4409DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4409dyt1e3-datasheets-6284.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 2,2 Вт | 1 | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 13 нс | 900 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,2 Вт Ta 4,6 Вт Tc | 150 В | P-канал | 332пФ при 50 В | 1,2 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4472DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4472dyt1e3-datasheets-8391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,1 Вт | 1 | 16 нс | 12нс | 7 нс | 20 нс | 7,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 5,9 Вт Tc | 0,047Ом | 150 В | N-канал | 1735пФ при 50В | 4,5 В | 45 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 43 НК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4403bdyt1e3-datasheets-8348.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,35 Вт | 1 | Не квалифицирован | 45нс | 70 нс | 150 нс | 7,3А | 8В | КРЕМНИЙ | -450мВ | 1,35 Вт Та | 20 В | P-канал | 17 мОм при 9,9 А, 4,5 В | 1 В при 350 мкА | 7.3А Та | 50 НК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4654DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4654dyt1e3-datasheets-7077.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 30 нс | 10 нс | 10 нс | 50 нс | 18,6А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Ta 5,9 Вт Tc | 0,004 Ом | 25 В | N-канал | 3770пФ при 15 В | 4 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 28,6 А Тс | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4620DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4620dyt1e3-datasheets-8539.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 30 | 2 Вт | 1 | 16 нс | 36нс | 17 нс | 21 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | 6А | 40А | 0,035 Ом | 30 В | N-канал | 1040пФ при 15В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6А Та 7,5А Ц | 13 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4829DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4829dyt1e3-datasheets-6923.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 1 | Не квалифицирован | 2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | 2А | 0,215 Ом | P-канал | 210пФ при 10В | 215 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 8 нк @ 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5402BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5402bdct1e3-datasheets-8444.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,3 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 27 нс | 6,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1В | 1,3 Вт Та | 4,9А | 0,035 Ом | 30 В | N-канал | 35 мОм при 4,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,9А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4446DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4446dyt1e3-datasheets-8321.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,1 Вт | 1 | 7 нс | 11нс | 8 нс | 27 нс | 3,9 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,6 В | 1,1 Вт Та | 30А | 0,04 Ом | N-канал | 700пФ при 20В | 40 мОм при 5,2 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 3,9А Та | 12 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4102dyt1e3-datasheets-6209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 4,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 12 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 2,4 Вт Ta 4,8 Вт Tc | 0,0027А | 100В | N-канал | 370пФ при 50В | 158 мОм при 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,8 А Тс | 11 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1403CDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1403cdlt1ge3-datasheets-1941.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,05 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 7,512624 мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 1 | 600мВт | 1 | Другие транзисторы | 18 нс | 26нс | 18 нс | 30 нс | 2,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600мВ | 600 мВт Ta 900 мВт Tc | 20 В | P-канал | 281пФ при 10 В | 140 мОм при 1,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,1 А Тс | 8 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ24НСТРЛПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfz24nstrrpbf-datasheets-7326.pdf | 55В | 17А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,668 мм | 4699 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 2 | 70мОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 3,8 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 4,9 нс | 34 нс | 27 нс | 19 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,8 Вт Та 45 Вт Тс | 68А | 55В | N-канал | 370пФ при 25В | 70 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 17А Тк | 20 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1406DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1406dht1ge3-datasheets-1976.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 27 нс | 47нс | 29 нс | 54 нс | 3,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 65 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3.1А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1417EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1417edht1e3-datasheets-7948.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 600 нс | 1,4 мкс | 4,9 мкс | 4,9 мкс | 2,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Та | 0,085Ом | P-канал | 85 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,7А Та | 8 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1422DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1422dht1ge3-datasheets-2026.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 7,512624 мг | Неизвестный | 26мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 1,56 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,56 Вт Ta 2,8 Вт Tc | 4А | 12 В | N-канал | 725пФ при 6В | 400 мВ | 26 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Тк | 20 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2327DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2327dst1e3-datasheets-8010.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | -490 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | -4,5 В | 750мВт Та | 2,45 Ом | -200В | P-канал | 510пФ при 25 В | -4,5 В | 2,35 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 380 мА Та | 12 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3505TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfr3505pbf-datasheets-0154.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,22 мм | Без свинца | 13МОм | 3 | Нет | 71А | 55В | Одинокий | 140 Вт | Д-Пак | 2,03 нФ | 13 нс | 74нс | 54 нс | 43 нс | 71А | 20 В | 55В | 140 Вт Тс | 13мОм | 55В | N-канал | 2030пФ при 25В | 13 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 93 НК при 10 В | 13 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1470DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1470dht1e3-datasheets-7986.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 66МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 51нс | 7,1 нс | 18 нс | 3,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Ta 2,8 Вт Tc | 5 мДж | 30 В | N-канал | 510пФ при 15 В | 600 мВ | 66 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 5.1А Тс | 7,5 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4004DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4004dyt1ge3-datasheets-2063.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 15 нс | 12нс | 9 нс | 17 нс | 12А | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-канал | 1280пФ при 10 В | 13,8 мОм при 11 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А Ц | 33 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3475DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si3475dvt1e3-datasheets-8173.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 1,61 Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 29нс | 14 нс | 23 нс | 750 мА | 20 В | 0,95 А | 200В | P-канал | 500пФ при 50В | 1,61 Ом при 900 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 950 мА Тс | 18 НК @ 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4104dyt1e3-datasheets-6191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Одинокий | 5 Вт | 1 | 9 нс | 9нс | 8 нс | 10 нс | 3,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 4,6А | 4 мДж | 100В | N-канал | 446пФ при 50В | 105 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3805DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3805dvt1e3-datasheets-6320.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 19,986414мг | Неизвестный | 84мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | 30 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 18 нс | 40 нс | 10 нс | 18 нс | -3,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -1,5 В | 1,1 Вт Ta 1,4 Вт Tc | 3А | -20В | P-канал | 330пФ при 10В | -1,5 В | 84 мОм при 3 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,3 А Тс | 12 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3447CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3447cdvt1e3-datasheets-4184.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 19,986414мг | 36МОм | 6 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 1 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 40 нс | 20 нс | 35 нс | 6,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 2 Вт Та 3 Вт Тс | 7,8А | P-канал | 910пФ при 6В | 36 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,8 А Тс | 30 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1405BDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1405bdht1e3-datasheets-6571.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | Нет | 1,47 Вт | 1 | СК-70-6 (СОТ-363) | 305пФ | 10 нс | 26нс | 7 нс | 16 нс | 1,6А | 8В | 8В | 1,47 Вт Ta 2,27 Вт Tc | P-канал | 305пФ при 4В | 112 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,6 А Тс | 5,5 нк @ 4,5 В | 112 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7494TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf7494pbf-datasheets-7371.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | Неизвестный | 44МОм | 8 | Нет | 2,5 Вт | 1 | 8-СО | 1783 нФ | 9 нс | 10 нс | 14 нс | 29 нс | 5,1А | 20 В | 150 В | 2,5 Вт Та | 44мОм | 150 В | N-канал | 1783пФ при 25 В | 44 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5.1А Та | 53 НК при 10 В | 44 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7707TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf7707trpbf-datasheets-1743.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 22МОм | 8 | 1,5 Вт | 1 | 8-ЦСОП | 2,361 нФ | -7А | 12 В | -20В | 20 В | 1,5 Вт Та | 14,3 мОм | -20В | P-канал | 2361пФ при 15 В | -1,2 В | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 7А Та | 47 НК при 4,5 В | 22 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 8-ЦСОП | 4,3 нФ | 40 нс | 130 нс | -8,6А | 12 В | 20 В | 1,5 Вт Тс | -20В | P-канал | 4300пФ при 15В | 15 мОм при 8,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 8,6 А Тс | 89 НК при 5 В | 15 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807ATRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/infineontechnologies-irf7807trpbf-datasheets-8459.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 25МОм | 8 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12 нс | 17нс | 6 нс | 25 нс | 8,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 66А | 30 В | N-канал | 25 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8.3А Та | 17 НК при 5 В | 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7604TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf7604trpbf-datasheets-1664.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 90мОм | 8 | Нет | Одинокий | 1,8 Вт | 1 | Микро8™ | 590пФ | 17 нс | 53нс | 38 нс | 31 нс | -3,6А | 12 В | 20 В | -700мВ | 1,8 Вт Та | 90мОм | -20В | P-канал | 590пФ при 15В | -700 мВ | 90 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 3,6А Та | 20 НК при 4,5 В | 90 мОм | 2,7 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3504TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfu3504pbf-datasheets-0091.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | Одинокий | 140 Вт | Д-Пак | 2,15 нФ | 53нс | 22 нс | 87А | 40В | 140 Вт Тс | 9,2 мОм | 40В | N-канал | 2150пФ при 25В | 9,2 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 71 НК при 10 В | 9,2 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7828TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf7828pbf-datasheets-0036.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2,5 Вт | 1 | 8-СО | 1,01 нФ | 6,3 нс | 2,7 нс | 7,3 нс | 9,7 нс | 13,6А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та | 12,5 мОм | 30 В | N-канал | 1010пФ при 15В | 12,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 13,6А Та | 14 НК при 5 В | 12,5 мОм | 4,5 В | ±20 В |
