Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS5811NLTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-nttfs5811nltwg-datasheets-1252.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 800 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | Нет СВХК | 6,4 МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 33 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 30 нс | 12 нс | 21 нс | 53А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 1,7 В | 2,7 Вт Та 33 Вт Тс | 65 мДж | 40В | N-канал | 1570пФ при 25В | 1,7 В | 6,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 17А Та 53А Ц | 31 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0328DPB-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0328dpb01j0-datasheets-1309.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 16 недель | 5 | EAR99 | Золото | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 65 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 9,4 нс | 4,3 нс | 7,3 нс | 61,5 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 65 Вт Тс | 240А | 0,0029Ом | N-канал | 6380пФ при 10 В | 2,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 60А Та | 42 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntp6412ang-datasheets-3391.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 167 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 140 нс | 126 нс | 70 нс | 58А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100В | 167 Вт Тс | 240А | N-канал | 3500пФ при 25В | 18,2 мОм при 58 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 58А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4898НФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntmfs4898nft3g-datasheets-5237.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5,1 мм | 1,1 мм | 6,1 мм | Без свинца | 5 | 3МОм | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 930мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 73,5 Вт | 1 | 17,6 нс | 23нс | 8,3 нс | 28 нс | 13,2А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 234А | 228 мДж | 30 В | N-канал | 3233пФ при 12 В | 3 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 13,2А Та 117А Ц | 49,5 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3014SSS-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dms3014sss13-datasheets-1516.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1,55 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5,5 нс | 24,4 нс | 6,6 нс | 33,1 нс | 10,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,55 Вт Та | 63А | 30 В | N-канал | 2296пФ при 15 В | 13 мОм при 10,4 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 10,4А Та | 45,7 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD6415ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntd6415an1g-datasheets-5039.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 55МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 83 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 37нс | 37 нс | 30 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100В | 4В | 83 Вт Тс | 89А | 79 мДж | N-канал | 700пФ при 25В | 4 В | 55 мОм при 23 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 23А Тк | 29 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD5865NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntd5865n1g-datasheets-1172.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 18МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 52 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 17нс | 3,5 нс | 20 нс | 43А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 71 Вт Тс | 38А | 36 мДж | 60В | N-канал | 1261пФ при 25В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 43А Тц | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntd4960n35g-datasheets-1091.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 8МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1,68 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 20нс | 4 нс | 15 нс | 11,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,07 Вт Ta 35,71 Вт Tc | 8,9А | 30 В | N-канал | 1300пФ при 15В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,9 А Та 55 А Тс | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTF1N400 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf1n400-datasheets-1240.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 3 | 3 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 1А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4000В | 4000В | 160 Вт Тс | 1А | 3А | N-канал | 2530пФ при 25В | 60 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1А Тк | 78 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5811NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-nttfs5811nltwg-datasheets-1252.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 800 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 33 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 30 нс | 12 нс | 21 нс | 53А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 2,7 Вт Та 33 Вт Тс | 65 мДж | 40В | N-канал | 1570пФ при 25В | 1,7 В | 6,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 17А Та 53А Ц | 31 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS0308CS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdms0308cs-datasheets-1255.pdf | 8-PowerTDFN | 90мг | 56 | Нет | Одинокий | 65 Вт | 8-PQFN (5x6) | 4,225 нФ | 14 нс | 6нс | 5 нс | 35 нс | 22А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 65 Вт Тс | 3,5 мОм | 30 В | N-канал | 4225пФ при 15В | 3 мОм при 21 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 22А Та | 66 НК при 10 В | 3 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLS3036TRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irls3036trrpbf-datasheets-1267.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,668 мм | 4826 мм | 9,65 мм | 3 | Одинокий | 380 Вт | Д2ПАК | 11,21 нФ | 66 нс | 220 нс | 110 нс | 110 нс | 195А | 16 В | 60В | 380 Вт Тс | 2,4 мОм | 60В | N-канал | 11210пФ при 50В | 2,4 мОм при 165 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 195А Ц | 140 НК при 4,5 В | 2,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4800NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-nttfs4800ntwg-datasheets-5350.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 800 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 4,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | S-XDSO-F5 | 11,1 нс | 14 нс | 8,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 860 мВт Ta 33,8 Вт Tc | 5А | 57А | 0,027Ом | 36,6 мДж | N-канал | 964пФ при 15 В | 20 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5А Та 32А Ц | 16,6 НК при 10 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5820NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nttfs5820nltag-datasheets-9050.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 800 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 33 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | С-ПДСО-Ф5 | 10 нс | 28нс | 22 нс | 19 нс | 37А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 2,7 Вт Та 33 Вт Тс | 60В | N-канал | 1462пФ при 25В | 11,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11А Та 37А Ц | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1039xt1e3-datasheets-7770.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 20нс | 16 нс | 30 нс | 870 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 170мВт Та | 0,87А | -12В | P-канал | 165 мОм при 870 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 870 мА Та | 6 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД05Н50ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd05n50z1g-datasheets-4792.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 1,5 Ом | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 15 нс | 14 нс | 24 нс | 4,7А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 4,5 В | 83 Вт Тс | 3А | N-канал | 530пФ при 25В | 4,5 В | 1,5 Ом при 2,2 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 4,7 А Тс | 18,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| НДД02Н60ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ndd02n60z1g-datasheets-5213.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 4,8 Ом | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 57 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 7нс | 7 нс | 15 нс | 2,2А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 4,5 В | 57 Вт Тс | 9А | 600В | N-канал | 325пФ при 25В | 4,5 В | 4,8 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 2,2 А Тс | 16 НК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ06Н62ЗГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndf06n62zg-datasheets-1199.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 1,2 Ом | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 31 Вт | 1 | 13 нс | 19нс | 28 нс | 32 нс | 6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 31 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 20А | 620В | N-канал | 923пФ при 25 В | 1,2 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В при 100 мкА | 6А Ц | 32 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9317PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf9317trpbf-datasheets-0964.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 19 нс | 64нс | 120 нс | 160 нс | -16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -1,8 В | 2,5 Вт Та | 50 нс | 0,0066Ом | 330 мДж | -30В | P-канал | 2820пФ при 15В | -1,8 В | 6,6 мОм при 16 А, 10 В | 2,4 В при 50 мкА | 16А Та | 92 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ08Н60ЗГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndf08n60zg-datasheets-1121.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 35 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 14 нс | 22нс | 15 нс | 36 нс | 8,4А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 36 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,95 Ом | 600В | N-канал | 1140пФ при 25В | 950 мОм при 3,5 А, 10 В | 4,5 В при 100 мкА | 8,4 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4960N-1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd4960n35g-datasheets-1091.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 7,49 мм | 2,38 мм | Без свинца | 3 | 8МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,68 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 12 нс | 20нс | 4 нс | 15 нс | 11,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,07 Вт Ta 35,71 Вт Tc | 8,9А | 30 В | N-канал | 1300пФ при 15В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,9 А Та 55 А Тс | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД04Н50ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd04n50z1g-datasheets-1078.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | Нет СВХК | 2,7 Ом | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 61 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 9нс | 10 нс | 16 нс | 3А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 61 Вт Тс | 3А | 500В | N-канал | 308пФ при 25В | 2,7 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 3А Тк | 12 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntb6411ang-datasheets-4990.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 217 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 144 нс | 157 нс | 107 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100В | 217 Вт Тс | 77А | 285А | 470 мДж | N-канал | 3700пФ при 25В | 14 мОм при 72 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 77А Тк | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМКЕ4892НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmke4892nt1g-datasheets-1154.pdf | 5-ICEPAK | 3 | 5 | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-XBCC-N3 | 148А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,8 Вт Та 89 Вт Тс | 26А | 210А | 0,0026Ом | 290 мДж | N-канал | 4270пФ при 15 В | 2,6 мОм при 24 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 26А Та 148А Ц | 61 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМКБ4895НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmkb4895nt1g-datasheets-1156.pdf | 4-ICEPAK | 2 | 4 | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-XBCC-N2 | 66А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,2 Вт Та 42 Вт Тс | 15А | 120А | 0,006Ом | 80 мДж | N-канал | 1644 пФ при 15 В | 6 м Ом при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 15А Та 66А Ц | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD5865N-1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd5865n1g-datasheets-1172.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 3 | 18МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 4 | Одинокий | 52 Вт | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 10 нс | 17нс | 3,5 нс | 20 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 71 Вт Тс | 36 мДж | 60В | N-канал | 1261пФ при 25В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 43А Тц | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД03Н50ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd03n50z1g-datasheets-1020.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3,3 Ом | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 58 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 7нс | 7 нс | 15 нс | 2,6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 58 Вт Тс | N-канал | 329пФ при 25В | 3,3 Ом при 1,15 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 2,6 А Тс | 16 НК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6798MTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf6798mtr1pbf-datasheets-6282.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 6,35 мм | 506 мкм | 5,05 мм | 3 | 5 | EAR99 | Нет | НИЖНИЙ | 78 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XBCC-N3 | 15 нс | 31 нс | 16 нс | 20 нс | 37А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,8 Вт Та 78 Вт Тс | 197А | 300А | 0,0013Ом | 220 мДж | 25 В | N-канал | 6560пФ при 13В | 1,3 мОм при 37 А, 10 В | 2,35 В при 150 мкА | 37А Та 197А Ц | 75 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ11Н50ЗГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ndf11n50zh-datasheets-0883.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 39 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 15 нс | 32нс | 23 нс | 40 нс | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3,9 В | 39 Вт Тс | ТО-220АБ | 6,7А | 42А | 0,52 Ом | 420 мДж | 500В | N-канал | 1645пФ при 25В | 3,9 В | 520 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 100 мкА | 12А Ц | 69 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД5П06ВТ4ГВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mtd5p06vt4-datasheets-6398.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Одинокий | 40 Вт | 5А | 2,1 Вт Та 40 Вт Тс | 60В | P-канал | 510пФ при 25 В | 450 мОм при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5А Ц | 20 НК при 10 В | 10 В | ±15 В |
