Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6201PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6201trpbf-datasheets-6209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 29 нс | 100 нс | 265 нс | 320 нс | 27А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 В | 2,5 Вт Та | 120 нс | 0,00245Ом | 20 В | N-канал | 8555пФ при 16 В | 2,45 мОм при 27 А, 4,5 В | 1,1 В при 100 мкА | 27А Та | 195 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМЛ2502ГТРПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irlml2502gtrpbf-datasheets-0567.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 45МОм | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7,5 нс | 10 нс | 26 нс | 54 нс | 4,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,25 Вт Та | 20 В | N-канал | 740пФ при 15В | 45 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4.2А Та | 12 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLH5034TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irlh5034trpbf-datasheets-3753.pdf | 8-PowerVDFN | 5 мм | 810 мкм | 5,1562 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 3,6 Вт | 156 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 4,73 нФ | 21 нс | 54нс | 21 нс | 31 нс | 100А | 16 В | 40В | 1В | 38 нс | 2,7 мОм | 40В | N-канал | 4730пФ при 25 В | 1 В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В @ 150 мкА | 29А Та 100А Ц | 82 НК при 10 В | 2,4 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5106TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irfh5106tr2pbf-datasheets-0464.pdf | 8-PowerVDFN | 5,9944 мм | 838,2 мкм | 5 мм | Без свинца | 5 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 40 | 114 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 8,1 нс | 13нс | 9,5 нс | 23 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 3,6 Вт Та 114 Вт Тс | 400А | 0,0056Ом | 96 мДж | 60В | N-канал | 3090пФ при 25В | 2 В | 5,6 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 21А Та 100А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7934TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 2 (1 год) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7934trpbf-datasheets-9817.pdf | 8-PowerTDFN | 5,2324 мм | 1,1684 мм | 6,1468 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3,5 МОм | 8 | Нет | 3,1 Вт | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 3,1 нФ | 12 нс | 16 нс | 7,5 нс | 14 нс | 24А | 20 В | 30 В | 1,8 В | 30 нс | 3,5 мОм | 30 В | N-канал | 3100пФ при 15 В | 1,8 В | 3,5 мОм при 24 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 24А Та 76А Ц | 30 НК при 4,5 В | 3,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5210TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/infineontechnologies-irfh5210trpbf-datasheets-7209.pdf | 8-PowerVDFN | 5,9944 мм | 838,2 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 14,9 МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 2,57 нФ | 7,2 нс | 9,7 нс | 6,5 нс | 21 нс | 100А | 20 В | 100В | 2В | 44 нс | 14,9 мОм | 100В | N-канал | 2570пФ при 25В | 2 В | 14,9 мОм при 33 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 10А Та 55А Ц | 59 НК при 10 В | 14,9 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5007TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5007trpbf-datasheets-6033.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1468 мм | 990,6 мкм | 5,15 мм | Без свинца | Нет СВХК | 5,9 МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 4,29 нФ | 10 нс | 14 нс | 11 нс | 30 нс | 100А | 20 В | 75В | 4В | 47 нс | 5,9 мОм | 75В | N-канал | 4290пФ при 25 В | 4 В | 5,9 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 150 мкА | 17А Та 100А Ц | 98 НК при 10 В | 5,9 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5006TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irfh5006trpbf-datasheets-9786.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1468 мм | 990,6 мкм | 5,15 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 3,6 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 4,175 нФ | 9,6 нс | 13нс | 12 нс | 30 нс | 100А | 20 В | 60В | 4В | 42 нс | 4,1 мОм | 60В | N-канал | 4175пФ при 30 В | 4 В | 4,1 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 150 мкА | 21А Та 100А Ц | 100 НК при 10 В | 4,1 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5106TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5106tr2pbf-datasheets-0464.pdf | 8-PowerVDFN | 5,9944 мм | 838,2 мкм | 5 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 114 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 2,46 нФ | 8,1 нс | 13нс | 9,5 нс | 23 нс | 100А | 20 В | 60В | 4В | 42 нс | 5,6 мОм | 60В | N-канал | 3090пФ при 25В | 4 В | 5,6 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 21А Та 100А Ц | 75 НК при 10 В | 4,3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh5110trpbf-datasheets-0650.pdf | 8-PowerVDFN | 5,9944 мм | 838,2 мкм | 5 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 3,6 Вт | Одинокий | 114 Вт | 1 | 8-PQFN (5x6) | 3,152 нФ | 7,8 нс | 9,6 нс | 6,4 нс | 22 нс | 63А | 20 В | 100В | 4В | 51 нс | 12,4 мОм | 100В | N-канал | 3152пФ при 25 В | 4 В | 12,4 мОм при 37 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 11А Та 63А Ц | 72 НК при 10 В | 12,4 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6465DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6465dqt1ge3-datasheets-6474.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 157,991892мг | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30 нс | 60нс | 60 нс | 210 нс | 8,8А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 30А | -8В | P-канал | 12 мОм @ 8,8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 8,8А Та | 80 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7447ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7447adpt1e3-datasheets-6636.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | Одинокий | 5,4 Вт | 1 | Р-ПДСО-С5 | 20 нс | 25нс | 98 нс | 82 нс | 21,5А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Ta 83,3 Вт Tc | 35А | 60А | 0,0065Ом | 30 В | P-канал | 4650пФ при 15 В | 6,5 мОм при 24 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 35А Ц | 150 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7446BDP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7446bdpt1ge3-datasheets-6615.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 8 | Одинокий | 1,9 Вт | 1 | ПауэрПАК® СО-8 | 3,076 нФ | 16 нс | 16 нс | 120 нс | 12А | 20 В | 30 В | 1,9 Вт Та | 7,5 мОм | 30 В | N-канал | 3076пФ при 15 В | 7,5 мОм при 19 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та | 33 НК при 5 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5463EDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5463edct1e3-datasheets-8486.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 62мОм | 8 | 1 | Одинокий | 1206-8 ЧипFET™ | 1,85 мкс | 3,2 мкс | 3,2 мкс | 1,9 мкс | -51А | 12 В | 20 В | 1,25 Вт Та | 62мОм | -20В | P-канал | 62 мОм при 4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 3,8А Та | 15 НК при 4,5 В | 62 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6443DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6443dqt1e3-datasheets-7408.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 12МОм | 8 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 8-ЦСОП | 21нс | 68 нс | 115 нс | 7,3А | 20 В | 30 В | 1,05 Вт Та | 12мОм | 30 В | P-канал | 12 мОм при 8,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7.3А Та | 60 НК при 5 В | 12 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4453DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4453dyt1ge3-datasheets-6438.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 8-СО | 110 нс | 235 нс | 235 нс | 410 нс | 10А | 8В | 12 В | 1,5 Вт Та | 6,5 мОм | -12В | P-канал | 6,5 мОм при 14 А, 4,5 В | 900 мВ при 600 мкА | 10А Та | 165 НК при 5 В | 6,5 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4654DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 13,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4654dyt1e3-datasheets-7077.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 30 нс | 10 нс | 10 нс | 50 нс | 18,6А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Ta 5,9 Вт Tc | 0,004 Ом | 25 В | N-канал | 3770пФ при 15 В | 4 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 28,6 А Тс | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7601DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7601dnt1ge3-datasheets-0272.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 8 | 1 | Одинокий | 3,8 Вт | 1 | PowerPAK® 1212-8 | 1,87 нФ | 18 нс | 112нс | 80 нс | 53 нс | 11,5А | 12 В | 20 В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 19мОм | P-канал | 1870пФ при 10В | 19,2 мОм при 11 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 16А Ц | 27 НК при 5 В | 19,2 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4829DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4829dyt1e3-datasheets-6923.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 45нс | 10 нс | 15 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | 2А | 0,215 Ом | P-канал | 210пФ при 10В | 215 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 8 нк @ 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4324DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4324dyt1ge3-datasheets-6256.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 3,2 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 30 нс | 135 нс | 13 нс | 30 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 36А | 70А | 30 В | N-канал | 3510пФ при 15 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 36А Тк | 85 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7457DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7457dpt1e3-datasheets-6639.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-С5 | 60 нс | 7,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100В | 5,2 Вт Ta 83,3 Вт Tc | 28А | 35А | 0,042 Ом | 80 мДж | -100В | P-канал | 5230пФ при 50В | 42 мОм при 7,9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 28А ТЦ | 160 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6413DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6413dqt1ge3-datasheets-4786.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 157,991892мг | 10мОм | 8 | 1 | Одинокий | 8-ЦСОП | 55 нс | 120 нс | 120 нс | 305 нс | 7,2А | 8В | 20 В | 1,05 Вт Та | 10мОм | P-канал | 10 мОм при 8,8 А, 4,5 В | 800 мВ при 400 мкА | 7.2А Та | 105 НК при 5 В | 10 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7668ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7668adpt1e3-datasheets-6674.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5,15 мм | 1,04 мм | 6,15 мм | 5 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-С5 | 33 нс | 33нс | 14 нс | 56 нс | 31А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 40А | 70А | 0,003Ом | 30 В | N-канал | 8820пФ при 15 В | 3 м Ом при 25 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 40А Ц | 170 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7674DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7674dpt1ge3-datasheets-6654.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Одинокий | 5,4 Вт | ПауэрПАК® СО-8 | 5,91 нФ | 210 нс | 9 нс | 26 нс | 40А | 20 В | 30 В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,3 мОм | 30 В | N-канал | 5910пФ при 15 В | 3,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Ц | 90 НК при 10 В | 3,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7445DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 2,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7445dpt1ge3-datasheets-6617.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,0038 мм | Без свинца | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | 1 | Одинокий | 1,9 Вт | 1 | PowerPAK® 1212-8 | 40 нс | 45нс | 45 нс | 400 нс | -19А | 8В | -20В | 20 В | -1В | 1,9 Вт Та | 7,7 мОм | P-канал | 7,7 мОм при 19 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Та | 140 НК при 5 В | 7,7 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7664DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7664dpt1ge3-datasheets-6652.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 3,1 мОм | Одинокий | 5,4 Вт | ПауэрПАК® СО-8 | 7,77 нФ | 103нс | 9 нс | 41 нс | 40А | 12 В | 30 В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,1 мОм | 30 В | N-канал | 7770пФ при 15 В | 3,1 мОм при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 40А Ц | 125 НК при 10 В | 3,1 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7491DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7491dpt1e3-datasheets-6165.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | Неизвестный | 8,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C5 | 150 нс | 190 нс | 90 нс | 120 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -3В | 1,8 Вт Та | 11А | 50А | 30 В | P-канал | -3 В | 8,5 мОм при 18 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 85 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7668ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7668adpt1e3-datasheets-6674.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5,15 мм | 1,04 мм | 6,15 мм | 5 | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 33 нс | 33нс | 14 нс | 56 нс | 31А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 40А | 70А | 0,003Ом | 30 В | N-канал | 8820пФ при 15 В | 3 м Ом при 25 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 40А Ц | 170 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7440DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7440dpt1ge3-datasheets-6684.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-XDSO-C5 | 18 нс | 41 нс | 75 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 0,0065Ом | 30 В | N-канал | 6,5 мОм при 21 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та | 35 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7495DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7495dpt1e3-datasheets-6648.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 506,605978мг | 6,5 мОм | е3 | Чистая матовая банка | 260 | 1 | Одинокий | 30 | Другие транзисторы | 100 нс | 200 нс | 230 нс | 350 нс | 13А | 8В | 12 В | 1,8 Вт Та | -12В | P-канал | 6,5 мОм при 21 А, 4,5 В | 900 мВ при 1 мА | 13А Та | 140 НК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В |
