Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7368DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7368dpt1ge3-datasheets-6503.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5,5 мОм | Одинокий | 1,7 Вт | ПауэрПАК® СО-8 | 20нс | 20 нс | 65 нс | 13А | 16 В | 20 В | 1,7 Вт Та | 5,5 мОм | 20 В | N-канал | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 13А Та | 25 НК при 4,5 В | 5,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7156DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $3,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7156dpt1e3-datasheets-6505.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 8 | Одинокий | 5,4 Вт | 1 | ПауэрПАК® СО-8 | 6,9 нФ | 32нс | 25 нс | 56 нс | 29А | 20 В | 40В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,5 мОм | 40В | N-канал | 6900пФ при 20 В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 155 НК при 10 В | 3,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7368DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7368dpt1ge3-datasheets-6503.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | 1,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 22 нс | 20нс | 20 нс | 65 нс | 13А | 16 В | 1,7 Вт Та | 20 В | N-канал | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 13А Та | 25 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5449DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5449dct1e3-datasheets-6469.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 85мОм | Одинокий | 1,3 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 35 нс | 3,1А | 12 В | 30 В | 1,3 Вт Та | 85мОм | 30 В | P-канал | 85 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 3.1А Та | 11 НК при 4,5 В | 85 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7356ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7356adpt1ge3-datasheets-6511.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | 3мОм | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 25 нс | 18нс | 31 нс | 95 нс | 31А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 40А | 70А | 30 В | N-канал | 6215пФ при 15 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Ц | 145 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| SI6404DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6404dqt1ge3-datasheets-6476.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | Неизвестный | 8 | 1 | Одинокий | 1,08 Вт | 1 | 8-ЦСОП | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 100 нс | 8,6А | 12 В | 30 В | 1,08 Вт Та | 9мОм | 30 В | N-канал | 600 мВ | 9 мОм при 11 А, 10 В | 600 мВ при 250 мкА | 8,6А Та | 48 НК при 4,5 В | 9 мОм | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5475DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5475dct1e3-datasheets-6481.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 15 нс | 20нс | 80 нс | 122 нс | 5,5 А | 8В | 12 В | 1,3 Вт Та | 31мОм | -12В | P-канал | 31 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 450 мВ @ 1 мА (мин) | 5,5 А Та | 29 НК при 4,5 В | 31 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7358ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7358adpt1e3-datasheets-6483.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 5 | 506,605978мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С5 | 21 нс | 10 нс | 10 нс | 83 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 0,0042Ом | 30 В | N-канал | 4650пФ при 15 В | 4,2 мОм при 23 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та | 40 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| SI5461EDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5461edct1e3-datasheets-6485.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,0988 мм | 1,0922 мм | 1,7018 мм | Без свинца | 8 | 45мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,5 мкс | 4,5 мкс | 4,5 мкс | 27 мкс | -6,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 1,3 Вт Та | 4,5 А | -20В | P-канал | 45 мОм при 5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 4,5 А Та | 20 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7358ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7358adpt1e3-datasheets-6483.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 506,605978мг | 4,2 мОм | 1 | Одинокий | ПауэрПАК® СО-8 | 4,65 нФ | 21 нс | 10 нс | 27 нс | 83 нс | 14А | 20 В | 30 В | 1,9 Вт Та | 4,2 мОм | N-канал | 4650пФ при 15 В | 4,2 мОм при 23 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та | 40 НК при 4,5 В | 4,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7160DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7160dpt1ge3-datasheets-0207.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 8,7 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 5 Вт | 1 | Р-ПДСО-С5 | 29 нс | 115 нс | 21 нс | 43 нс | 17,8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 27,7 Вт Тс | 60А | 20 мДж | 30 В | N-канал | 2970пФ при 15В | 8,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 66 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI5853CDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5853cdct1e3-datasheets-6493.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 104мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 5 нс | 15 нс | 15 нс | 20 нс | -4А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,5 Вт Ta 3,1 Вт Tc | 4А | P-канал | 350пФ при 10В | 104 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Тк | 11 НК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||
| SI5479DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5479dut1ge3-datasheets-6496.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 21мОм | Одинокий | 3,1 Вт | PowerPAK® ChipFet Single | 1,81 нФ | 77 нс | 16А | 8В | 12 В | 3,1 Вт Ta 17,8 Вт Tc | 21мОм | 12 В | P-канал | 1810пФ при 6В | 21 мОм при 6,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16А Ц | 51 НК при 8 В | 21 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5480DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5480dut1e3-datasheets-8552.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 4 | 16мОм | да | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н4 | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 30А | 30 В | N-канал | 1230пФ при 15В | 16 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Ц | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5404BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5404bdct1e3-datasheets-1082.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 24 недели | 84,99187мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 12нс | 10 нс | 25 нс | 7,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 1,5 В | 1,3 Вт Та | 5,4А | 20А | N-канал | 28 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,4А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4890BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 2,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4890bdyt1ge3-datasheets-0957.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е4 | Серебро (Ag) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 10 нс | 8 нс | 20 нс | 16А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,6 В | 2,5 Вт Ta 5,7 Вт Tc | 60А | 20 мДж | 30 В | N-канал | 1535пФ при 15В | 12 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||
| SI6466ADQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6466adqt1ge3-datasheets-6466.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 14МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,05 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 27 нс | 34 нс | 34 нс | 76 нс | 8,1А | 8В | КРЕМНИЙ | -450мВ | 1,05 Вт Та | 20 В | N-канал | -450 мВ | 14 мОм при 8,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 6,8А Та | 27 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI5449DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5449dct1e3-datasheets-6469.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1 | Одинокий | 1,3 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 13 нс | 14нс | 14 нс | 35 нс | -4,3А | 12 В | 30 В | 1,3 Вт Та | 85мОм | P-канал | 85 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 3.1А Та | 11 НК при 4,5 В | 85 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5475BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5475bdct1ge3-datasheets-6471.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | 15 нс | 72 нс | 65 нс | 7,7А | 8В | КРЕМНИЙ | 2,5 Вт Ta 6,3 Вт Tc | 12 В | P-канал | 1400пФ при 6В | 28 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Та | 40 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6465DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6465dqt1ge3-datasheets-6474.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 8-ЦСОП | 30 нс | 60нс | 130 нс | 210 нс | 8,8А | 8В | 8В | 1,5 Вт Та | 12мОм | -8В | P-канал | 12 мОм при 8,8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 8,8А Та | 80 НК при 4,5 В | 12 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6404DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6404dqt1ge3-datasheets-6476.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 8-ЦСОП | 35 нс | 35 нс | 50 нс | 100 нс | 8,6А | 12 В | 30 В | 1,08 Вт Та | 9мОм | N-канал | 9 мОм при 11 А, 10 В | 600 мВ при 250 мкА | 8,6А Та | 48 НК при 4,5 В | 9 мОм | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5441DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5441dct1e3-datasheets-6398.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | Одинокий | 1,3 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 20 нс | 35 нс | 45 нс | 65 нс | 3,9А | 12 В | 20 В | 1,3 Вт Та | 55мОм | 20 В | P-канал | 55 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,9А Та | 22 НК при 4,5 В | 55 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4483EDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4483edyt1e3-datasheets-8377.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | 10 мкс | 20 мкс | 50 мкс | 42 мкс | -14А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 3В | 1,5 Вт Та | 10А | -30В | P-канал | 3 В | 8,5 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5913DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5913dct1e3-datasheets-6447.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 8 | 15 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 1 | Другие транзисторы | 18 нс | 40 нс | 40 нс | 18 нс | 3,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,7 Вт Ta 3,1 Вт Tc | 4А | -20В | P-канал | 330пФ при 10В | 84 мОм при 3,7 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 12 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||
| SI4884BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4884bdyt1e3-datasheets-0139.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 506,605978мг | 9мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 8 нс | 11нс | 8 нс | 22 нс | 16,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | 2,5 Вт Ta 4,45 Вт Tc | N-канал | 1525пФ при 15В | 9 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,5 А Тс | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI4486EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4486eyt1e3-datasheets-8380.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 100В | 1,8 Вт Та | N-канал | 25 мОм при 7,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 5,4А Та | 44 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4831BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4831bdyt1ge3-datasheets-6455.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 8-СО | 625пФ | 24 нс | 5,1А | 20 В | 30 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 42мОм | 30 В | P-канал | 625пФ при 15В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 26 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 42 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5406DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5406dct1e3-datasheets-8438.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | Неизвестный | 20мОм | 8 | 1 | Одинокий | 1206-8 ЧипFET™ | 17 нс | 46нс | 26 нс | 54 нс | 9,5А | 8В | 12 В | 600мВ | 1,3 Вт Та | 20мОм | N-канал | 20 мОм при 6,9 А, 4,5 В | 600 мВ при 1,2 мА (мин) | 6,9А Та | 20 НК при 4,5 В | 20 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4858DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4858dyt1ge3-datasheets-6391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 10 нс | 10 нс | 83 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,6 Вт Та | 13А | 0,00525Ом | N-канал | 5,25 мОм при 20 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 13А Та | 40 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4880DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4880dyt1e3-datasheets-6423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8,5 мОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Г8 | 14 нс | 9нс | 30 нс | 46 нс | 13А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 50А | 30 В | N-канал | 8,5 мОм при 13 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 25 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В |
