Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4462DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4462dyt1e3-datasheets-8318.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10 нс | 12нс | 15 нс | 10 нс | 1,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 4В | 1,3 Вт Та | 1,15 А | N-канал | 480 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,15 А Та | 9 нк @ 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4636DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4636dyt1ge3-datasheets-4992.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2,5 Вт | 1 | 32 нс | 87нс | 19 нс | 43 нс | 17А | 16В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Ta 4,4 Вт Tc | 30 В | N-канал | 2635пФ при 15 В | 8,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 17А Тк | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4682DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4682dyt1e3-datasheets-6344.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 8-СО | 1595 нФ | 55нс | 8 нс | 23 нс | 16А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Ta 4,45 Вт Tc | 9,4 мОм | N-канал | 1595пФ при 15В | 9,4 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 38 НК при 10 В | 9,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4406DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4406dyt1e3-datasheets-6305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,88 мм | 3,18 мм | 3,91 мм | 186,993455мг | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 8-СО | 21 нс | 15 нс | 30 нс | 100 нс | 13А | 20 В | 30 В | 1,6 Вт Та | 4,5 мОм | 30 В | N-канал | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А Та | 50 НК при 4,5 В | 4,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4493DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4493dyt1e3-datasheets-6333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 7,75 мОм | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г8 | 110 нс | 140 нс | 220 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,5 Вт Та | МС-012АА | -20В | P-канал | 7,75 мОм при 14 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 10А Та | 110 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4684DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4684dyt1ge3-datasheets-6354.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Не квалифицированный | 16А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Ta 4,45 Вт Tc | 50А | 0,0094Ом | 20 мДж | 30 В | N-канал | 2080пФ при 15В | 9,4 мОм при 16 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4466DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $16,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4466dyt1e3-datasheets-8333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1 | 20 нс | 15 нс | 15 нс | 150 нс | 9,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 1,5 Вт Та | МС-012АА | 50А | 0,009 Ом | N-канал | 9 мОм при 13,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 9,5А Та | 60 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3805DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3805dvt1e3-datasheets-6320.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 6 | 13 недель | 19,986414мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | 30 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 18 нс | 40 нс | 40 нс | 18 нс | -3,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,1 Вт Ta 1,4 Вт Tc | 3А | 0,084Ом | -20В | P-канал | 330пФ при 10В | 84 мОм при 3 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,3 А Тс | 12 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ1324С | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirf1324strl7p-datasheets-9462.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 39 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 190 нс | 120 нс | 83 нс | 195А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 300 Вт Тс | 270 мДж | 24В | N-канал | 7590пФ при 24 В | 1,65 мОм при 195 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 195А Ц | 240 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4660DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4660dyt1ge3-datasheets-0598.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПДСО-Г8 | 25 нс | 14 нс | 22 нс | 95 нс | 17,2А | 16В | 25 В | 3,1 Вт Ta 5,6 Вт Tc | 23,1А | N-канал | 2410пФ при 15В | 5,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23.1А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4354DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4354dyt1ge3-datasheets-6331.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Р-ПДСО-Г8 | 8 нс | 10 нс | 9 нс | 28 нс | 9,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 0,0165Ом | 30 В | N-канал | 16,5 мОм при 9,5 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 9,5А Та | 10,5 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4493DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4493dyt1e3-datasheets-6333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г8 | 110 нс | 150 нс | 150 нс | 220 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | МС-012АА | 0,00775Ом | 20 В | P-канал | 7,75 мОм при 14 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 10А Та | 110 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4411DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4411dyt1e3-datasheets-6287.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 10мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | 18 нс | 15 нс | 15 нс | 140 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 9А | 30 В | P-канал | 10 мОм при 13 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9А Та | 65 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4404DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4404dyt1ge3-datasheets-6289.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 3,5 Вт | 1 | Р-ПДСО-Г8 | 20 нс | 15 нс | 40 нс | 105 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,6 Вт Та | 0,0065Ом | 30 В | N-канал | 6,5 мОм при 23 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та | 55 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4411DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4411dyt1e3-datasheets-6287.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет | Одинокий | 1,5 Вт | 8-СО | 18 нс | 15 нс | 75 нс | 140 нс | 9А | 20 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 10мОм | 30 В | P-канал | 10 мОм при 13 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9А Та | 65 НК при 5 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4390DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4390dyt1ge3-datasheets-6295.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,4 Вт | 1 | 16 нс | 6нс | 14 нс | 43 нс | 8,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт Та | 0,0095Ом | 30 В | N-канал | 9,5 мОм при 12,5 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 15 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4401DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4401dyt1ge3-datasheets-6298.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 17 нс | 18нс | 55 нс | 122 нс | -8,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 0,0155Ом | 40В | P-канал | 15,5 мОм при 10,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 8,7А Та | 50 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4384DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4384dyt1e3-datasheets-8258.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,47 Вт | 1 | 10 нс | 13нс | 13 нс | 45 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,47 Вт Та | N-канал | 8,5 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 18 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4406DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4406dyt1e3-datasheets-6305.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,88 мм | 3,18 мм | 3,91 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | 21 нс | 15 нс | 15 нс | 100 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,6 Вт Та | 0,0045Ом | N-канал | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А Та | 50 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4426DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4426dyt1e3-datasheets-7666.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | 506,605978мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | 40 нс | 40 нс | 40 нс | 90 нс | 6,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 0,025 Ом | 20 В | N-канал | 25 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 50 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2303BDS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2303bdst1e3-datasheets-8001.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 700мВт | 1 | Другие транзисторы | 55 нс | 40 нс | 40 нс | 10 нс | -1,49А | 20 В | КРЕМНИЙ | -3В | 700мВт Та | 0,2 Ом | 30 В | P-канал | 180пФ при 15В | -3 В | 200 мОм при 1,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 1,49А Та | 10 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2321DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2321dst1ge3-datasheets-6173.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 57мОм | 3 | Нет | Одинокий | 710мВт | 1 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 715пФ | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 60 нс | 2,9 А | 8В | 20 В | 710мВт Та | 57мОм | 20 В | P-канал | 715пФ при 6В | 57 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 2,9А Та | 13 НК при 4,5 В | 57 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4390DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si4390dyt1ge3-datasheets-6295.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 186,993455мг | 9,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | 16 нс | 6нс | 6 нс | 43 нс | 8,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 Вт Та | 30 В | N-канал | 9,5 мОм при 12,5 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 15 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4412ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4412adyt1ge3-datasheets-6274.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 15 нс | 6нс | 10 нс | 26 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | МС-012АА | 30А | 0,024 Ом | 30 В | N-канал | 24 мОм при 8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 5,8А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4438DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4438dyt1e3-datasheets-6261.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 17 нс | 86нс | 10 нс | 47 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 24А | 70А | 0,0027Ом | N-канал | 4645пФ при 15 В | 2,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 36А Тк | 126 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI1037X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $9,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1037xt1e3-datasheets-6057.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 195мОм | Нет | Одинокий | СК-89 (СОТ-563Ф) | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 30 нс | 770 мА | 8В | 20 В | 170мВт Та | 350мОм | -20В | P-канал | 195 мОм при 770 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 770 мА Та | 5,5 нк @ 4,5 В | 195 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4409DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4409dyt1e3-datasheets-6284.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 1,2 Ом | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,2 Вт | 1 | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 13 нс | 900 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,2 Вт Ta 4,6 Вт Tc | 150 В | P-канал | 332пФ при 50 В | 1,2 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3495DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3495dvt1e3-datasheets-8237.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 19 нс | 36нс | 106 нс | 200 нс | -7А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -350мВ | 1,1 Вт Та | 5,3А | 0,024 Ом | -20В | P-канал | 24 мОм при 7 А, 4,5 В | 750 мВ при 250 мкА | 5.3А Та | 38 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3457BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3457bdvt1e3-datasheets-8154.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,14 Вт | 1 | Другие транзисторы | 7 нс | 10 нс | 22 нс | 30 нс | -3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | -3В | 1,14 Вт Та | 0,054 Ом | 30 В | P-канал | -3 В | 54 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,7А Та | 19 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3483DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3483dvt1e3-datasheets-8221.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Одинокий | 1,14 Вт | 1 | 10 нс | 10 нс | 45 нс | 71 нс | 4,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,14 Вт Та | 0,035 Ом | 30 В | P-канал | 35 мОм при 6,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,7А Та | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
