Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1051X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1051xt1ge3-datasheets-0074.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 32,006612мг | 6 | 1 | Одинокий | СК-89-6 | 560пФ | 7,2 нс | 36нс | 36 нс | 52 нс | 1,2А | 5В | 8В | 236мВт Та | 198мОм | P-канал | 560пФ при 4В | 122 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9,45 НК при 5 В | 122 мОм | 1,5 В 4,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF730ALPBF | Вишай Силиконикс | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf730aspbf-datasheets-5061.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,41 мм | 9,65 мм | 4,7 мм | 2.387001г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 74 Вт | И2ПАК | 600пФ | 10 нс | 22нс | 16 нс | 20 нс | 5,5 А | 30В | 400В | 74 Вт Тс | 1 Ом | 400В | N-канал | 600пФ при 25В | 1 Ом @ 3,3 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 22 НК при 10 В | 1 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6708S2TR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6708s2tr1pbf-datasheets-6081.pdf | DirectFET™ Изометрический S1 | 3,95 мм | 490 мкм | 3,95 мм | Нет СВХК | 6 | Нет | Одинокий | 20 Вт | 1 | ПРЯМОЙ ПТ S1 | 1,01 нФ | 9,1 нс | 27нс | 11 нс | 10 нс | 13А | 20 В | 30В | 1,8 В | 2,5 Вт Та 20 Вт Тс | 14,3 мОм | 30В | N-канал | 1010пФ при 15В | 1,8 В | 8,9 мОм при 13 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 13А Тк | 10 НК при 4,5 В | 8,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1305EDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1305edlt1e3-datasheets-7912.pdf | СК-70, СОТ-323 | СК-70-3 | 860 мА | 8В | 290мВт Та | P-канал | 280 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 860 мА Та | 4нК при 4,5 В | 280 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛР2905 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-auirlr2905trl-datasheets-5812.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 52 недели | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 110 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 84нс | 15 нс | 26 нс | 42А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 110 Вт Тс | ТО-252АА | 55В | N-канал | 1700пФ при 25В | 27 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 42А Тк | 48 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI3445ADV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3445advt1ge3-datasheets-6097.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 1 | 4,4А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,1 Вт Та | 0,042 Ом | -8В | P-канал | 42 мОм при 5,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4А Та | 19 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2341DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2341dst1e3-datasheets-6100.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | СОТ-23-3 (ТО-236) | 400пФ | 7 нс | 15 нс | 15 нс | 20 нс | 2,5 А | 20 В | 30В | 710мВт Та | 72мОм | P-канал | 400пФ при 15В | 72 мОм при 2,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,5 А Та | 15 НК при 10 В | 72 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3454CDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3454cdvt1e3-datasheets-6102.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,25 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 4 нс | 12нс | 12 нс | 8 нс | 3,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,25 Вт Ta 1,5 Вт Tc | 4,2А | 0,05 Ом | N-канал | 305пФ при 15В | 50 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,2 А Тс | 10,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9310TRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9310pbf-datasheets-8583.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Д-Пак | 270пФ | 11 нс | 10 нс | 24 нс | 25 нс | -1,8А | 20 В | 400В | 50 Вт Тс | 7Ом | -400В | P-канал | 270пФ при 25В | 7 Ом @ 1,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,8 А Тс | 13 НК при 10 В | 7 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФСЛ4310 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfsl4310-datasheets-6043.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,67 мм | 9,65 мм | 4,83 мм | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЕРХНИЗКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 260 | Одинокий | 40 | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 26 нс | 110 нс | 78 нс | 68 нс | 130А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 300 Вт Тс | 75А | 550А | 0,007Ом | 980 мДж | 100В | N-канал | 7670пФ при 50В | 7 мОм при 75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 75А Ц | 250 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFR2607ZTRL | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-auirfr2607ztrl-datasheets-6050.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | АЭК-Q101 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 110 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 59нс | 28 нс | 39 нс | 42А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 110 Вт Тс | ТО-252АА | 180А | 0,022 Ом | 96 мДж | 75В | N-канал | 1440пФ при 25В | 22 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 42А Тк | 51 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1037X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1037xt1e3-datasheets-6057.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | Одинокий | 170 мВт | СК-89 (СОТ-563Ф) | 15 нс | 15 нс | 30 нс | 770 мА | 8В | 20 В | 170мВт Та | 350мОм | 20 В | P-канал | 195 мОм при 770 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 770 мА Та | 5,5 нк @ 4,5 В | 195 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC30ASTRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc30astrlpbf-datasheets-5227.pdf | 3,6А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 510пФ | 9,8 нс | 13нс | 12 нс | 19 нс | 3,6А | 30В | 600В | 74 Вт Тс | 2,2 Ом | 600В | N-канал | 510пФ при 25В | 2,2 Ом @ 2,2 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 3,6 А Тс | 23 НК при 10 В | 2,2 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF730ASTRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf730aspbf-datasheets-5061.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 74 Вт | 1 | Д2ПАК | 600пФ | 10 нс | 22нс | 16 нс | 20 нс | 5,5 А | 30В | 400В | 74 Вт Тс | 1 Ом | 400В | N-канал | 600пФ при 25В | 1 Ом @ 3,3 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 22 НК при 10 В | 1 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1402DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1402dht1e3-datasheets-5976.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 111 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 5 нс | 12нс | 7 нс | 13 нс | 2,7А | 12 В | 30В | 950мВт Та | N-канал | 77 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 2,7А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛ3705ЗС | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirl3705z-datasheets-8586.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 8МОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 130 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 240 нс | 83 нс | 26 нс | 75А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 130 Вт Тс | 55В | N-канал | 2880пФ при 25 В | 8 мОм при 52 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 75А Ц | 60 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛР024Н | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-auirlr024ntrl-datasheets-5754.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 45 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 7,1 нс | 74нс | 29 нс | 20 нс | 17А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 45 Вт Тс | ТО-252АА | 72А | 0,08 Ом | 68 мДж | 55В | N-канал | 480пФ при 25В | 65 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Тк | 15 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1073xt1ge3-datasheets-0119.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 32,006612мг | 173 мОм | 1 | Одинокий | СК-89-6 | 265пФ | 26 нс | 28нс | 28 нс | 28 нс | 200 мА | 20 В | 30В | 236мВт Та | 243мОм | -30В | P-канал | 265пФ при 15В | 173 мОм при 980 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,45 НК при 10 В | 173 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI4121H-117P | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2013 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР5505 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfr5505trl-datasheets-5986.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 26 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 57 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 28нс | 16 нс | 20 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | -2В | 57 Вт Тс | ТО-252АА | 64А | -55В | P-канал | 650пФ при 25В | 110 мОм при 9,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| SI1405DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1405dlt1ge3-datasheets-6027.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 8 нс | 36нс | 30 нс | 33 нс | 1,6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 8В | 568мВт Та | 0,125 Ом | P-канал | 125 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 1,6 А Та | 7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR430ATRRPBF | Вишай Силиконикс | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu430apbf-datasheets-5314.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 111 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д-Пак | 490пФ | 8,7 нс | 27нс | 16 нс | 17 нс | 5А | 30В | 500В | 110 Вт Тс | 1,7 Ом | 500В | N-канал | 490пФ при 25В | 1,7 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5А Ц | 24 НК при 10 В | 1,7 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС4610 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfb4610-datasheets-3776.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 11,3 мм | 2 | 39 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 190 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 87нс | 70 нс | 53 нс | 73А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 190 Вт Тс | 290А | 100В | N-канал | 3550пФ при 50В | 2 В | 14 мОм при 44 А, 10 В | 4 В @ 100 мкА | 73А Тк | 140 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI1303DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1303dlt1e3-datasheets-7838.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 290мВт | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 31 нс | 14 нс | 12,5 нс | -720мА | 12 В | КРЕМНИЙ | 290мВт Та | 0,67А | 20 В | P-канал | 430 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 670 мА Та | 2,2 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1402DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1402dht1e3-datasheets-5976.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 28,009329мг | 6 | Нет | 1 | Одинокий | 950 МВт | 1 | СК-70-6 (СОТ-363) | 5 нс | 12нс | 12 нс | 13 нс | 2,7А | 12 В | 30В | 950мВт Та | 77мОм | 30В | N-канал | 77 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 2,7А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 77 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР48З | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfr48ztrl-datasheets-4194.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 26 недель | Нет СВХК | 11МОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 91 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 61нс | 35 нс | 40 нс | 42А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 91 Вт Тс | ТО-252АА | 250А | 55В | N-канал | 1720пФ при 25В | 11 мОм при 37 А, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 42А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| AUIRFR5505TRL | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-auirfr5505trl-datasheets-5986.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 57 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 28нс | 16 нс | 20 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 57 Вт Тс | ТО-252АА | 64А | 0,11 Ом | 150 мДж | 55В | P-канал | 650пФ при 25В | 110 мОм при 9,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Тк | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI1069X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1069xt1ge3-datasheets-0322.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 184мОм | Одинокий | 236мВт | СК-89-6 | 308пФ | 31 нс | 31 нс | 23 нс | 940 мА | 12 В | 20 В | 236мВт Та | 268мОм | 20 В | P-канал | 308пФ при 10В | 184 мОм при 940 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,86 НК при 5 В | 184 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР120З | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirfr120z-datasheets-5911.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 190МОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 35 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8,3 нс | 26нс | 23 нс | 27 нс | 8,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 35 Вт Тс | ТО-252АА | 20 мДж | 100В | N-канал | 310пФ при 25В | 2 В | 190 мОм при 5,2 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 8,7 А Тс | 10 нк @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛР2905Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-auirlr2905z-datasheets-5918.pdf&product=infineontechnologies-auirlr2905z-6874606 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 110 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 130 нс | 33 нс | 24 нс | 60А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 110 Вт Тс | ТО-252АА | 42А | 240А | 85 мДж | 55В | N-канал | 1570пФ при 25В | 13,5 мОм при 36 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 42А Тк | 35 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В |
