Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУК724Р5-30С,118 | Нексперия США Инк. | 2,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk724r530c118-datasheets-5499.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | не_совместимо | 3 | 30 В | 157 Вт Тс | N-канал | 3760пФ при 25В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 62 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7607-30Б,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/nexperiausainc-buk760730b118-datasheets-5507.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 157 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 51 нс | 44 нс | 51 нс | 108А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 157 Вт Тс | 75А | 0,007Ом | 30 В | N-канал | 2427пФ при 25 В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК764Р3-40Б,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk764r340b118-datasheets-5495.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 254 Вт Тс | 176А | 706А | 0,0043Ом | 961 мДж | N-канал | 4824 пФ при 25 В | 4,3 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 69 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК725Р0-40С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/nexperiausainc-buk725r040c118-datasheets-5485.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 12 недель | 3 | Олово | Нет | 3 | Одинокий | 157 Вт | 27 нс | 73нс | 63 нс | 82 нс | 75А | 20 В | 40В | 157 Вт Тс | 40В | N-канал | 3820пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 75А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА60R520E6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa60r520e6xksa1-datasheets-5529.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 12 нс | 10 нс | 9 нс | 75 нс | 8,1А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 29 Вт Тс | ТО-220АБ | 22А | 0,52 Ом | N-канал | 512пФ при 100 В | 520 мОм при 2,8 А, 10 В | 3,5 В @ 230 мкА | 8.1А Ц | 23,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC6296 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 3,3 мм | 750 мкм | 3,3 мм | 165,33333мг | Нет СВХК | 8 | да | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 10 нс | 3нс | 8 нс | 27 нс | 11,5А | 20 В | 1,8 В | 900 мВт Ta 2,1 Вт Tc | 30 В | N-канал | 2141пФ при 15В | 1,8 В | 10,5 мОм при 11,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11,5А Та | 19 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК754Р0-40С,127 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk754r040c127-datasheets-5380.pdf | ТО-220-3 | совместимый | 3 | 40В | 203 Вт Тк | N-канал | 5708пФ при 25 В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 100А Ц | 97 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК763Р6-40С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk763r640c118-datasheets-5355.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 40 нс | 95нс | 92 нс | 129 нс | 100А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 203 Вт Тк | 668А | 292 мДж | N-канал | 5708пФ при 25 В | 3,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 100А Ц | 97 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R750E6BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ipd60r750e6btma1-datasheets-5371.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 48 Вт Тс | 15,7А | 0,75 Ом | 72 мДж | N-канал | 373пФ при 100 В | 750 мОм при 2 А, 10 В | 3,5 В @ 170 мкА | 5,7 А Тс | 17,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН017-30ЛЛ,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-ВДФН Открытая площадка | ДА | 8 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 30 В | 37 Вт Тс | 15А | N-канал | 526пФ при 15 В | 17 мОм при 5 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 15А Ц | 10 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR6225PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlr6225trpbf-datasheets-8439.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 12 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | Одинокий | 63 Вт | 9,7 нс | 37нс | 52 нс | 63 нс | 100А | 12 В | 800мВ | 63 Вт Тс | 53 нс | 20 В | N-канал | 3770пФ при 10 В | 800 мВ | 4 мОм при 21 А, 4,5 В | 1,1 В @ 50 мкА | 100А Ц | 72 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДПФ5Н50ТИДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УниФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdpf5n50tydtu-datasheets-5283.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, формованные выводы | 2565 г | 3 | Нет | Одинокий | 13 нс | 22нс | 20 нс | 28 нс | 5А | 30 В | 500В | 28 Вт Тс | N-канал | 640пФ при 25В | 1,4 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 5А Ц | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $5,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1072xt1e3-datasheets-7794.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 31 нс | 31 нс | 9 нс | 1,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 236мВт Та | 0,093Ом | N-канал | 280пФ при 15В | 93 мОм при 1,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р520Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipp60r520e6xksa1-datasheets-5287.pdf | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 3 | Одинокий | 66 Вт | 1 | 12 нс | 10 нс | 9 нс | 75 нс | 8,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 66 Вт Тс | ТО-220АБ | 22А | 0,52 Ом | 650В | N-канал | 512пФ при 100 В | 520 мОм при 2,8 А, 10 В | 3,5 В @ 230 мкА | 8.1А Ц | 23,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК0908НСАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-bsc0908nsatma1-datasheets-5231.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | нет | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 34В | 34В | 2,5 Вт Та 30 Вт Тс | 14А | 200А | 0,0127Ом | 10 мДж | N-канал | 1220пФ при 15В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14А Та 49А Ц | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р3К3С6 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd60r3k3c6atma1-datasheets-9888.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 18,1 Вт Тс | 1,7 А | 4А | 6 мДж | N-канал | 93пФ при 100 В | 3,3 Ом при 500 мА, 10 В | 3,5 В при 40 мкА | 1,7 А Тс | 4,6 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R450E6BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r450e6btma1-datasheets-5327.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 74 Вт Тс | 26А | 0,45 Ом | 185 мДж | N-канал | 620пФ при 100В | 450 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9,2А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQPF19N20CYDTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 Полный пакет, формованные выводы | 2565 г | 3 | Нет | Одинокий | 43 Вт | 1 | 15 нс | 150 нс | 115 нс | 135 нс | 19А | 30 В | 200В | 43 Вт Тс | N-канал | 1080пФ при 25В | 170 мОм при 9,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 19А Тк | 53 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р750Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp60r750e6xksa1-datasheets-5339.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 48 Вт Тс | ТО-220АБ | 15,7А | 0,75 Ом | 72 мДж | N-канал | 373пФ при 100 В | 750 мОм при 2 А, 10 В | 3,5 В @ 170 мкА | 5,7 А Тс | 17,2 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y35-55Б,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk7y3555b115-datasheets-5344.pdf | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 55В | 60 Вт Тс | N-канал | 781пФ при 25 В | 35 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 28.43А Ц | 13,1 нк при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН014-60ЛС,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-ВДФН Открытая площадка | ДА | 8 | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 65 Вт Тс | 40А | N-канал | 1264пФ при 30 В | 14 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 40А Ц | 19,6 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R600E6BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd65r600e6btma1-datasheets-5361.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 63 Вт Тс | 18А | 0,6 Ом | 142 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 7,3 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р280Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r280e6xksa1-datasheets-5258.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 11 нс | 9нс | 76 нс | 13,8А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,28 Ом | 290 мДж | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В при 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р380Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r380e6xksa1-datasheets-5263.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 10 нс | 7нс | 8 нс | 57 нс | 10,6А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 29А | 0,38 Ом | N-канал | 710пФ при 100В | 380 мОм при 3,2 А, 10 В | 3,5 В при 320 мкА | 10,6 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р600Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp60r600e6xksa1-datasheets-5268.pdf | ТО-220-3 | 3 | 14 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 63 Вт Тс | ТО-220АБ | 19А | 0,6 Ом | 133 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 7,3 А Тс | 20,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р1К4С6 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipd60r1k4c6-datasheets-5273.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 28,4 Вт Тс | 3,2А | 8А | 26 мДж | N-канал | 200пФ при 100В | 1,4 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,5 В @ 90 мкА | 3,2 А Тс | 9,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФХМ830ТР2ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irfhm830trpbf-datasheets-3347.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,7 Вт | 37 Вт | 1 | 12 нс | 25нс | 9,2 нс | 13 нс | 21А | 20 В | 1,8 В | 26 нс | 30 В | N-канал | 2155пФ при 25 В | 1,8 В | 3,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 21А Та 40А Ц | 31 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА60Р450Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa60r450e6xksa1-datasheets-5187.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 1 | Не квалифицированный | 11 нс | 9нс | 10 нс | 70 нс | 9,2А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 Вт Тс | ТО-220АБ | 26А | 0,45 Ом | N-канал | 620пФ при 100В | 450 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9,2А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDP8443-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdp8443f085-datasheets-5194.pdf | ТО-220-3 | 3 | 1,8 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 188 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18,4 нс | 17,9 нс | 13,5 нс | 55 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 188 Вт Тс | ТО-220АБ | 20А | 40В | N-канал | 9310пФ при 25 В | 3,5 мОм при 80 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20А Та 80А Ц | 185 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM830DTR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfhm830dtrpbf-datasheets-5035.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,8 Вт | 37 Вт | 1 | 9,8 нс | 20 нс | 6,7 нс | 9,1 нс | 20А | 20 В | 1,8 В | 24 нс | 30 В | N-канал | 1797пФ при 25В | 1,8 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 20А Та 40А Ц | 27 НК при 10 В |
