Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF8306MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf8306mtrpbf-datasheets-0425.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 7 | Нет | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 4,11 нФ | 16 нс | 34 нс | 19 нс | 19 нс | 23А | 20 В | 30 В | 2,1 Вт Та 75 Вт Тс | 25мОм | 30 В | N-канал | 4110пФ при 15 В | 2,5 мОм при 23 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 23А Та 140А Ц | 38 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 2,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ412Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob412l-datasheets-1251.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 150 Вт | 1 | 60А | 25 В | 100В | 2,6 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 3220пФ при 50В | 15,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 60 А Тс | 54 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ442 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 150 Вт | 1 | 105А | 20 В | 40В | 3,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 20 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 21А Та 105А Ц | 90 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4136 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $4,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 25 В | 2,1 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 734пФ при 12,5 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Ц | 16,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLH6224TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlh6224trpbf-datasheets-9910.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | Нет СВХК | 3МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | 3,6 Вт | 8-PQFN (5x6) | 3,71 нФ | 9,4 нс | 23нс | 36 нс | 67 нс | 28А | 12 В | 20 В | 800мВ | 57 нс | 3мОм | 20 В | N-канал | 3710пФ при 10 В | 800 мВ | 3 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,1 В @ 50 мкА | 28А Та 105А Ц | 86 НК при 10 В | 3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4120 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 20 В | 2,5 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 900пФ при 10 В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Ц | 18 НК @ 10 В | 2,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4124 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | 54А | 100В | 3,1 Вт Ta 150 Вт Tc | N-канал | 2420пФ при 50В | 21 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,5 А Та 54 А Тс | 38 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3710C | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc3710c-datasheets-1243.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 130,492855мг | 4 | 1 | СОТ-89 | 350пФ | 220 мА | 250 В | 1,4 Вт Та | 10Ом | 250 В | N-канал | 350пФ при 25В | 10 Ом при 220 мА, 0 В | Режим истощения | 10 Ом | 0 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3730C | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3730ctr-datasheets-3829.pdf | ТО-243АА | 130,492855мг | 4 | 1 | СОТ-89 | 200пФ | 350В | 1,6 Вт Та | N-канал | 200пФ при 25В | 35 Ом при 140 мА, 0 В | Режим истощения | 30 Ом | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД210 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod210-datasheets-1244.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 150 Вт | 1 | 70А | 20 В | 30 В | 2,7 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 70А Ц | 58 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД200 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 36А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 14А Та 36А Ц | 16 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД208 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 62 Вт | 1 | 18А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 2210пФ при 15В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 18А Та 54А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4450 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2002 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7А | 40В | 3,1 Вт Та | N-канал | 516пФ при 20 В | 30 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А Та | 13 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3438 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3А | 20 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 320пФ при 10В | 62 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 3,8 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI4410ZGPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfi4410zgpbf-datasheets-1066.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | Нет | 47 Вт | 1 | ТО-220АБ Фул-Пак | 4,91 нФ | 23 нс | 15 нс | 43 нс | 27 нс | 43А | 30 В | 100В | 47 Вт Тс | 100В | N-канал | 4910пФ при 50В | 9,3 мОм при 26 А, 10 В | 4 В при 150 мкА | 43А Тц | 110 НК при 10 В | 9,3 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4442 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $9,51 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 3,1А | 25 В | 75В | 3,1 Вт Та | N-канал | 350пФ при 37,5 В | 130 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3.1А Та | 6,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4922NET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntmfs4922net1g-datasheets-0964.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 2,72 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 36,2 нс | 9,4 нс | 39,3 нс | 29,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 930 мВт Ta 69,44 Вт Tc | 0,003Ом | 30 В | N-канал | 5505пФ при 15 В | 2 м Ом при 30 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17,1А Та 147А Ц | 76,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ462Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Полномочия общего назначения FET | 7А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | 35А | N-канал | 2400пФ при 30В | 17,7 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Та 35А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV5805NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd5805nt4g-datasheets-3672.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | Нет | 47 Вт | ДПАК | 1,725 нФ | 51А | 40В | N-канал | 1725пФ при 25В | 9,5 мОм при 15 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 51А Ц | 80 НК при 10 В | 9,5 мОм | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4146 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 2,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 55А | 30 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 2440пФ при 15В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та 55А Ц | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB5426NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntp5426ng-datasheets-3086.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 15 нс | 100 нс | 95 нс | 105 нс | 120А | 20 В | 60В | 215 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 25 В | 6 м Ом при 60 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 120А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3720C | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3720ctr-datasheets-3228.pdf | ТО-243АА | 130,492855мг | 4 | 1 | СОТ-89 | 350пФ | 350В | 1,4 Вт Та | N-канал | 350пФ при 25В | 22 Ом при 130 мА, 0 В | Режим истощения | 22 Ом | 0 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМСД6Н303Р2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г8 | 6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 6А | 30А | 0,032Ом | 325 мДж | 30 В | N-канал | 950пФ при 24В | 32 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6А Та | 30 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV5804NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntd5804nt4g-datasheets-3677.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 15 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 71 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11,8 нс | 18,7 нс | 5,9 нс | 26,8 нс | 69А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 71 Вт Тс | 0,0075Ом | N-канал | 2850пФ при 25В | 8,5 мОм при 30 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 69А Тк | 45 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НТДВ20Н06ЛТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 22 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9,6 нс | 98нс | 62 нс | 25 нс | 20А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,36 Вт Ta 60 Вт Tj | 60А | 0,048Ом | 128 мДж | N-канал | 990пФ при 25 В | 48 мОм при 10 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Та | 32 НК при 5 В | 5В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NVTJD4158CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6811STR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6811strpbf-datasheets-9669.pdf | DirectFET™ Изометрический SQ | Без свинца | 3,7 МОм | 6 | Нет | 2,1 Вт | 1 | DIRECTFET™ SQ | 1,59 нФ | 8,7 нс | 19нс | 5,5 нс | 11 нс | 74А | 16В | 25 В | 2,1 Вт Та 32 Вт Тс | 5,4 мОм | 25 В | N-канал | 1590пФ при 13В | 3,7 мОм при 19 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 19А Та 74А Ц | 17 НК при 4,5 В | 3,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6898MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6898mtrpbf-datasheets-8240.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 25 В | 2,1 Вт Та 78 Вт Тс | N-канал | 5435пФ при 13В | 1,1 мОм при 35 А, 10 В | 2,1 В @ 100 мкА | 35А Та 213А Ц | 62 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6894MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6894mtrpbf-datasheets-5005.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | Без свинца | 1,3 МОм | 7 | Нет | 2,1 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 4,16 нФ | 16 нс | 42нс | 14 нс | 20 нс | 32А | 16В | 25 В | 2,1 Вт Та 54 Вт Тс | 1,7 мОм | 25 В | N-канал | 4160пФ при 13В | 1,3 мОм при 33 А, 10 В | 2,1 В @ 100 мкА | 32А Та 160А Ц | 39 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 1,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД5407NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntd5407nt4g-datasheets-8339.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 2,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 7,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,9 Вт Та 75 Вт Тс | 75А | 0,026Ом | N-канал | 1000пФ при 32В | 26 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 7,6 А Та 38 А Ц | 20 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В |
