Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVTJD4105CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД25П03ЛТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 37нс | 16 нс | 15 нс | 25А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 75А | 0,08 Ом | 200 мДж | P-канал | 1260пФ при 25В | 80 мОм при 25 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Ц | 20 НК при 5 В | 4В 5В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||
| NVD5413NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd5413nt4g-datasheets-0113.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 4 | 30А | 60В | 68 Вт Тс | N-канал | 1725пФ при 25В | 26 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 46 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТДВ2955-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 2013 год | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4926NET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntmfs4926net1g-datasheets-0959.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 30 В | 30 В | 920 мВт Ta 21,6 Вт Tc | 0,012 Ом | N-канал | 1004пФ при 15В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 9А Та 44А Ц | 17,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5862NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nvd5862nt4g-datasheets-0920.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 16 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 4,1 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 70нс | 60 нс | 35 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 4,1 Вт Ta 115 Вт Tc | 98А | 0,0057Ом | 205 мДж | N-канал | 6000пФ при 25В | 5,7 мОм при 48 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18А Та 98А Ц | 82 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| НДФ05Н50Ж | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndf05n50zh-datasheets-0961.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 30 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 11 нс | 15 нс | 14 нс | 24 нс | 5,5 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 30 Вт Тс | ТО-220АБ | 20А | 500В | N-канал | 632пФ при 25 В | 1,5 Ом при 2,2 А, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 5,5 А Тс | 28 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| NTDV6414ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4925NET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntmfs4925net1g-datasheets-0928.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 48А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 30 В | 30 В | 920 мВт Ta 23,2 Вт Tc | 16,7А | 0,001 Ом | N-канал | 1264пФ при 15В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 9,7А Та 48А Ц | 21,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СБВС138ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОТ-23 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВБ60Н06Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 25,5 нс | 180,7 нс | 142,5 нс | 94,5 нс | 60А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,4 Вт Ta 150 Вт Tj | 180А | 0,014 Ом | 454 мДж | N-канал | 3220пФ при 25В | 14 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 60А Та | 81 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||
| НВТЕ4151PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 9 недель | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТДВ20Н06Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd20n06t4g-datasheets-3486.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 2 недели | 3 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 9,5 нс | 60,5 нс | 37,1 нс | 27,1 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,88 Вт Ta 60 Вт Tj | 60А | 0,046Ом | 170 мДж | N-канал | 1015пФ при 25В | 46 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20А Та | 30 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| НВМС4816NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | 780мВт | 8 | Одинокий | 8 нс | 3,8 нс | 8 нс | 21,6 нс | 6,8А | 20 В | 30 В | N-канал | 1060пФ при 25В | 10 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8А Та | 9,2 НК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV18N06LT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd18n06lt4g-datasheets-9113.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9,9 нс | 79нс | 38 нс | 19 нс | 18А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,1 Вт Ta 55 Вт Tj | 54А | 0,065 Ом | 72 мДж | N-канал | 675пФ при 25В | 65 мОм при 9 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 18А Та | 22 НК при 5 В | 5В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||
| НВЦ4409НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | Без свинца | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTDV2955PT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД24N06LT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 62,5 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 9,4 нс | 97нс | 52 нс | 23 нс | 24А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,36 Вт Ta 62,5 Вт Tj | 72А | 0,045 Ом | N-канал | 1140пФ при 25В | 45 мОм при 10 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 24А Тк | 32 НК при 5 В | 5В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||
| NVTJD4401NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД12Н10Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ10Н60Ж | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ndf10n60zg-datasheets-9413.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 16,12 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 39 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 15 нс | 31 нс | 23 нс | 40 нс | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 39 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 40А | 0,75 Ом | 600В | N-канал | 1645пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 100 мкА | 10А Ц | 68 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvd6415anlt4g-datasheets-0911.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3/2 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 91нс | 71 нс | 40 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 83 Вт Тс | 80А | 0,056Ом | 79 мДж | N-канал | 1024пФ при 25В | 52 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23А Тк | 20 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NCV8440STT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ncv8440astt1g-datasheets-4947.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 3 | 4 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | 2,6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 59В | 52В | 1,69 Вт Та | 10А | 0,95 Ом | 110 мДж | N-канал | 155пФ при 35В | 110 мОм при 2,6 А, 10 В | 1,9 В при 100 мкА | 2,6А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 3,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||
| НДФ11Н50Ж | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndf11n50zh-datasheets-0883.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 15 нс | 32нс | 23 нс | 40 нс | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500В | 500В | 39 Вт Тс | ТО-220АБ | 44А | 0,52 Ом | 420 мДж | N-канал | 1645пФ при 25В | 520 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 100 мкА | 12А Ц | 69 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| НСТР4501NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nstr4501nt1g-datasheets-1161.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 6,5 нс | 12нс | 3 нс | 12 нс | 3,2А | 12 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 10А | 0,08 Ом | N-канал | 200пФ при 10В | 80 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 3.2А Та | 6 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ1606Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 178А | 60В | 2,1 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 25В | 6,3 мОм при 20 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 12А Та 178А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ298Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 58А | 100В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 50В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 58А Ц | 27 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТБВ45Н06ЛТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 28 недель | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 13 нс | 341 нс | 158 нс | 36 нс | 45А | 15 В | 60В | 2,4 Вт Ta 125 Вт Tj | N-канал | 1700пФ при 25В | 28 мОм при 22,5 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 45А Та | 32 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТБВ75Н06Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 25 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 2,4 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 75А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 225А | 0,0095Ом | 844 мДж | N-канал | 4510пФ при 25 В | 9,5 мОм при 37,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 75А Та | 130 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVB5405NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 116А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3 Вт Та 150 Вт Тс | 16,5А | 280А | 0,0058Ом | 800 мДж | N-канал | 4000пФ при 32В | 5,8 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16,5 А Та 116 А Тс | 88 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В |
