Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Прямой ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS2504SDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdms2504sdc-datasheets-4962.pdf | 8-PowerTDFN | 90мг | Нет СВХК | 8 | Нет | Одинокий | 104 Вт | 1 | 18 нс | 9нс | 5 нс | 44 нс | 42А | 20 В | 1,6 В | 3,3 Вт Та 104 Вт Тс | 25 В | N-канал | 7770пФ при 13В | 1,6 В | 1,25 мОм при 32 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 42А Та 49А Ц | 119 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdms2510sdc-datasheets-4968.pdf | 8-PowerTDFN | 90мг | Нет СВХК | 8 | Одинокий | 60 Вт | Двойное охлаждение™56 | 2,78 нФ | 10 нс | 4нс | 3 нс | 27 нс | 49А | 20 В | 25 В | 3,3 Вт Та 60 Вт Тс | 2,9 мОм | 25 В | N-канал | 2780пФ при 13В | 1,7 В | 2,9 мОм при 23 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 28А Та 49А Ц | 45 НК при 10 В | 2,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS2506SDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdms2506sdc-datasheets-4952.pdf | 8-PowerTDFN | 90мг | Нет СВХК | 8 | Нет | Одинокий | 89 Вт | 1 | 16 нс | 7,4 нс | 4,8 нс | 41 нс | 39А | 20 В | 1,7 В | 3,3 Вт Та 89 Вт Тс | 25 В | N-канал | 5945пФ при 13В | 1,7 В | 1,45 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 39А Та 49А Ц | 93 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП90Н04-3М3П-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysiliconix-sup90n043m3pge3-datasheets-5010.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | 1 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 7нс | 7 нс | 45 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | ТО-220АБ | N-канал | 5286пФ при 20 В | 3,3 мОм при 22 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 90А Ц | 131 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФХМ831ТР2ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfhm831tr2pbf-datasheets-5015.pdf | 8-PowerTDFN | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | 5 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 2,5 Вт | 1 | С-ПДСО-Н5 | 6,9 нс | 12нс | 4,7 нс | 6,2 нс | 14А | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 22 нс | 96А | 50 мДж | 30 В | N-канал | 1050пФ при 25В | 1,8 В | 7,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 14А Та 40А Ц | 16 нк @ 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДЗ3Н513ЗТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fdz3n513zt-datasheets-5002.pdf | 4-УФБГА, ВЛЦСП | 1 мм | 332 мкм | 1 мм | 4 | 42мг | Нет СВХК | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 1,1А | 3,1 нс | 1,9 нс | 2,7 нс | 9,6 нс | 1,1А | 5,5 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВ | 1 Вт Та | 300 мкА | 25 В | 29 нс | 0,52 Ом | 25 пФ | 30 В | N-канал | 85пФ при 15В | 700 мВ | 462 мОм при 300 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,1А Та | 1 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 3,2 В 4,5 В | +5,5 В, -0,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM830DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irfhm830dtrpbf-datasheets-5035.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Нет СВХК | 7,1 МОм | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 2,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 9,8 нс | 20нс | 6,7 нс | 9,1 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 2,8 Вт Та 37 Вт Тс | 40А | 30 В | N-канал | 1797пФ при 25В | 1,8 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 20А Та 40А Ц | 27 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-sud50n0607lge3-datasheets-3011.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | Полевой транзистор общего назначения | 96А | Одинокий | 60В | 1В | 136 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 25 В | 7,4 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 96А Тк | 144 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП50Н03-5М1П-ГЭ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sup50n035m1pge3-datasheets-4893.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 2,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 9нс | 9 нс | 35 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1В | 2,7 Вт Ta 59,5 Вт Tc | ТО-220АБ | 80 мДж | N-канал | 2780пФ при 15 В | 5,1 мОм при 22 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Ц | 66 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД06Н10-225Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sud06n10225le3-datasheets-4774.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | Нет СВХК | 200мОм | 3 | Нет | Одинокий | 20 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 240пФ | 7 нс | 8нс | 9 нс | 8 нс | 6,5 А | 20 В | 100В | 1В | 1,25 Вт Та 20 Вт Тс | 200мОм | 100В | N-канал | 240пФ при 25В | 1 В | 200 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 4 НК при 5 В | 200 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н02-04П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0204pe3-datasheets-4855.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 8,3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 20нс | 15 нс | 50 нс | 34А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8,3 Вт Ta 136 Вт Tc | 100А | 0,006Ом | 20 В | N-канал | 5000пФ при 10В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 60 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sud45p0309ge3-datasheets-4849.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,38 мм | 6,223 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | 1,437803г | Нет СВХК | 8,7 мОм | 3 | EAR99 | Олово | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 11нс | 12 нс | 40 нс | -45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -2,5 В | 2,1 Вт Ta 41,7 Вт Tc | -30В | P-канал | 2700пФ при 15 В | 8,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 45А Ц | 90 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н06-4М4П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,93 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum90n064m4pe3-datasheets-4852.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 4,4 мОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 23 нс | 15 нс | 8 нс | 36 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | 3,75 Вт Та 300 Вт Тс | 240А | 245 мДж | 60В | N-канал | 6190пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90А Ц | 160 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ110Н08-07П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum110n0807pe3-datasheets-4843.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 7мОм | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 5нс | 6 нс | 22 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 208,3 Вт Tc | 75В | N-канал | 4250пФ при 30 В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 110А Ц | 105 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н10-18П-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n1018pge3-datasheets-4825.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 10 нс | 8 нс | 18 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт Та 136,4 Вт Тс | 7,8А | 100В | N-канал | 2600пФ при 50В | 18,5 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 50 А Тс | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-E3 | Вишай Силиконикс | 2,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud08p06155le3-datasheets-4737.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | Нет СВХК | 155МОм | 3 | Нет | Одинокий | 2 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 450пФ | 5 нс | 14нс | 7 нс | 15 нс | -8,4А | 20 В | 60В | -2В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | 155 мОм | -60В | P-канал | 450пФ при 25В | 155 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,4 А Тс | 19 НК при 10 В | 155 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4128 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod4128-datasheets-1398.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 60А | 25 В | 2 Вт Та 75 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 12,5 В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 60А Ц | 80 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1242 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | 69А | 40В | 2,1 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1620пФ при 20В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 14А Та 69А Ц | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД421 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $8,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 12,5 А | 20 В | 2 Вт Та 18,8 Вт Тс | P-канал | 620пФ при 10 В | 75 мОм при 12,5 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 12,5 А Та | 4,6 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4490 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16А | 30 В | 2,8 Вт Та | N-канал | 2170пФ при 15В | 7,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Та | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4488 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4488-datasheets-1183.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 15А | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 6800пФ при 15 В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 112 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4454 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4454-datasheets-1256.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 6,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,1 Вт Та | 0,036Ом | 50 пФ | N-канал | 1450пФ при 50В | 36 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 23 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4771 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4771-datasheets-1258.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4А | Одинокий | 30 В | 2 Вт Та | 4А | P-канал | 350пФ при 15В | 68 мОм при 4 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 4А Та | 7 нк @ 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК6C3R3-75C,118 | Нексперия США Инк. | $3,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk6c3r375c118-datasheets-1126.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263СВ | 6 | 12 недель | 7 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 7 | 30 | 300 Вт | 1 | Р-ПССО-Г6 | 45 нс | 217нс | 165 нс | 384 нс | 181А | 20 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 0,0051Ом | 560 мДж | 75В | N-канал | 15800пФ при 25В | 3,4 мОм при 90 А, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 181А Ц | 253 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3714C | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-243АА | 130,492855мг | 4 | 1 | СОТ-89 | 100пФ | 350В | 1,4 Вт Та | N-канал | 100пФ при 25В | 14 Ом при 240 мА, 0 В | Режим истощения | 14 Ом | 0 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД254 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 100 Вт | 1 | 28А | 20 В | 150 В | 2,5 Вт Та 115 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 75В | 46 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 4,5 А Та 28 А Тс | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ442 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 150 Вт | 1 | 105А | 20 В | 40В | 3,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 20 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 21А Та 105А Ц | 90 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4136 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $4,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 25 В | 2,1 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 734пФ при 12,5 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Ц | 16,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLH6224TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlh6224trpbf-datasheets-9910.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | Нет СВХК | 3МОм | 8 | Нет | 3,6 Вт | 3,6 Вт | 8-PQFN (5x6) | 3,71 нФ | 9,4 нс | 23нс | 36 нс | 67 нс | 28А | 12 В | 20 В | 800мВ | 57 нс | 3мОм | 20 В | N-канал | 3710пФ при 10 В | 800 мВ | 3 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,1 В @ 50 мкА | 28А Та 105А Ц | 86 НК при 10 В | 3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4120 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 20 В | 2,5 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 900пФ при 10 В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Ц | 18 НК @ 10 В | 2,5 В 10 В | ±16 В |
