| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН7210 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | 8 | Нет | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 50А | 20 В | Одинокий | 30 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2380пФ при 15В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 30А Та 50А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД425 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Другие транзисторы | 50А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 71 Вт Тс | P-канал | 2200пФ при 15В | 17 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 9А Та 50А Ц | 38 НК при 10 В | 5В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6508 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8 | Нет | 41 Вт | 1 | 8-ДФН (5х6) | 2,01 нФ | 32А | 30 В | 4,2 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 15В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 29А Та 32А Ц | 49 НК при 10 В | 3,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6504 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6504-datasheets-0721.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | 83 Вт | 1 | 85А | 20 В | 30 В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2719пФ при 15 В | 1,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 51А Та 85А Ц | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ264Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Полномочия общего назначения FET | 140А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 30 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 19А Та 140А Ц | 94 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7200 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | Полевой транзистор общего назначения | 40А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 15,8 А Та 40 А Тс | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ1606Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | 60В | 2,1 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 25В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 12А Та 178А Ц | 102 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7244 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | Без свинца | 5 | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2435пФ при 30 В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Та 50А Ц | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6232 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | 83 Вт | 1 | 85А | 20 В | 40В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3800пФ при 20В | 2,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 22А Та 85А Ц | 51 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6514 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6514-datasheets-0747.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 30А | 30 В | 4,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 30А Ц | 22,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6200Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 5,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 24А | 30 В | 1,95 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 13А Та 24А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4728 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4728-datasheets-0641.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 4463пФ при 15 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Ц | 72 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4726 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4726-datasheets-0650.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 20А | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 3800пФ при 15В | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 20А Та | 73 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6416 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 22А | 30 В | 2,4 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1430пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 14А Та 22А Ц | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30Н60КС6 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | ИНН | ОДИНОКИЙ | 3 | 219 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 9 нс | 17нс | 48 нс | 74 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 219 Вт Тс | ТО-220АБ | 89А | 636 мДж | N-канал | 2267пФ при 25 В | 125 мОм при 14,5 А, 10 В | 3,5 В при 960 мкА | 30А Ц | 88 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН6244 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | 83 Вт | 1 | 85А | 20 В | 60В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 4610пФ при 30 В | 4,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15А Та 85А Ц | 64 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД518 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod518-datasheets-0513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 54А | 20 В | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 46А | N-канал | 951пФ при 15 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 15А Та 54А Ц | 22,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6408Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6408l-datasheets-0517.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | совместимый | 30 В | 2,4 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14,5 А Та 25 А Тс | 36 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6246 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 8 | 83 Вт | 1 | 80А | 20 В | 60В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3420пФ при 30В | 6,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13А Та 80А Ц | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R310CFDFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r310cfdxksa2-datasheets-9481.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 11 нс | 7,5 нс | 7 нс | 45 нс | 11,4А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104,2 Вт Тс | 290 мДж | N-канал | 1100пФ при 100В | 310 мОм при 4,4 А, 10 В | 4,5 В @ 440 мкА | 11,4 А Тс | 41 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОД472А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod472a-datasheets-9959.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 25 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 55А | N-канал | 2200пФ при 12,5 В | 5,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8306MTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf8306mtrpbf-datasheets-0425.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | Без свинца | 7 | EAR99 | Нет | 75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 34 нс | 19 нс | 19 нс | 23А | 20 В | Одинокий | 2,1 Вт Та 75 Вт Тс | 30 В | N-канал | 4110пФ при 15 В | 2,5 мОм при 23 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 23А Та 140А Ц | 38 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6428 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 43А | 80А | 0,0145Ом | N-канал | 770пФ при 15 В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 43А Ц | 17,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4724 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7,7А | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 900пФ при 15 В | 17,5 мОм при 10,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,7А Та | 16 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6202 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 24А | 30 В | 4,2 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 15В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 21А Та 24А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ84F50B2 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt84f50l-datasheets-0302.pdf | ТО-247-3 Вариант | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | 60 нс | 70нс | 50 нс | 155 нс | 84А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 1135 Вт Тс | 270А | 0,065 Ом | N-канал | 13500пФ при 25В | 65 мОм при 42 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 84А Тк | 340 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОД2610 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 13 недель | Нет | 1 | 46А | 20 В | 60В | 2,5 Вт Ta 71,5 Вт Tc | N-канал | 2410пФ при 30 В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 10А Та 46А Ц | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4722 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4722-datasheets-0449.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 1100пФ при 15В | 14 мОм при 11,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,5А Та | 20 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4304 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4304-datasheets-0320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 3,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,6 Вт Та | N-канал | 1920пФ при 15В | 6 м Ом при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18А Та | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ298 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0479.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | ТО-262 | 1,67 нФ | 58А | 100В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 50В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 58А Ц | 27 НК при 10 В | 14,5 мОм | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.