Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK4196LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4196ls-datasheets-0007.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | ОДИНОКИЙ | 3 | 30 Вт | 1 | 13 нс | 32нс | 18 нс | 39 нс | 5,5 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | ТО-220АБ | 21А | N-канал | 360пФ при 30В | 1,56 Ом при 2,8 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 5,5 А Та | 14,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3827 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3827-datasheets-0012.pdf | ТО-220-3 | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 30 нс | 68нс | 110 нс | 300 нс | 40А | 20 В | 100В | 1,75 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 20 В | 34 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 40А Та | 79 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ665-ДЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sj665dle-datasheets-0015.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | да | 27А | 100В | 1,65 Вт Та 65 Вт Тс | P-канал | 4200пФ при 20 В | 77 мОм при 14 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 27А Та | 74 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4099LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4099ls-datasheets-9958.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | ОДИНОКИЙ | 3 | 2 Вт | 1 | Не квалифицирован | 16 нс | 37нс | 8,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,94 Ом | 215 мДж | N-канал | 750пФ при 30 В | 940 мОм при 4 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 6,9 А Тс | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R660CFDFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r660cfdfksa1-datasheets-9962.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 62,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | 9 нс | 8нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 62,5 Вт Тс | 6А | 0,66 Ом | N-канал | 615пФ при 100 В | 660 мОм при 2,1 А, 10 В | 4,5 В при 200 мкА | 6А Тк | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р660CFDXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp65r660cfdxksa1-datasheets-9968.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 62,5 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 17А | 0,66 Ом | 115 мДж | N-канал | 615пФ при 100 В | 660 мОм при 2,1 А, 10 В | 4,5 В при 200 мкА | 6А Тк | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р280С6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r280c6xksa1-datasheets-9973.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 13 нс | 11нс | 12 нс | 105 нс | 13,8А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | 39А | 0,28 Ом | 290 мДж | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП100Н04С4Х2АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-ipi100n04s4h2aksa1-datasheets-9841.pdf | ТО-220-3 | 10 мм | 15,65 мм | 4,4 мм | 3 | 14 недель | 3 | EAR99 | 75А | 40В | Без галогенов | НЕТ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 18 нс | 19 нс | 100А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | 115 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0027Ом | 280 мДж | N-канал | 7180пФ при 25 В | 2,7 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 70 мкА | 100А Ц | 90 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3820-ДЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3820dle-datasheets-9924.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 60мОм | 3 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 50 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 34 нс | 62 нс | 185 нс | 26А | 20 В | Одинокий | 100В | 1,65 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 20 В | 60 мОм при 13 А, 10 В | 26А Та | 44 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUZ73ALHXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-buz73alhxksa1-datasheets-9925.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | 15 нс | 60нс | 40 нс | 100 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 200В | 200В | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 22А | 0,6 Ом | 120 мДж | N-канал | 840пФ при 25В | 600 мОм при 3,5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 5,5 А Тс | 5В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП120Н04С402АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipb120n04s402atma1-datasheets-8226.pdf | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 27 нс | 16 нс | 30 нс | 120А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 158 Вт Тс | ТО-220АБ | 480А | 0,0021 Ом | 480 мДж | N-канал | 10740пФ при 25В | 2,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 110 мкА | 120А Ц | 134 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП120Н04С401АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipp120n04s401aksa1-datasheets-9936.pdf | ТО-220-3 | 10 мм | 15,65 мм | 4,4 мм | 3 | 14 недель | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 34 нс | 41 нс | 120А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | 188 Вт Тс | ТО-220АБ | 480А | 0,0019Ом | 750 мДж | N-канал | 14000пФ при 25В | 1,9 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 140 мкА | 120А Ц | 176 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI65R110CFDXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp65r110cfdxksa1-datasheets-4596.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | 3 | Без галогенов | Одинокий | ПГ-ТО262-3 | 3,24 нФ | 11нс | 6 нс | 68 нс | 31,2А | 20 В | 650В | 277,8 Вт Тс | 110мОм | N-канал | 3240пФ при 100В | 110 мОм при 12,7 А, 10 В | 4,5 В @ 1,3 мА | 31,2 А Тс | 118 НК при 10 В | 110 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН012-25YLC,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-psmn01225ylc115-datasheets-9945.pdf | СК-100, СОТ-669 | не_совместимо | 4 | 2013-06-14 00:00:00 | 25В | 26 Вт Тс | N-канал | 528пФ при 12 В | 12,6 мОм при 10 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 33А Тк | 8,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3821-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3821dle-datasheets-9911.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | Нет | 30 нс | 68нс | 110 нс | 300 нс | 40А | 20 В | 100В | 1,65 Вт Та 65 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 20 В | 33 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 40А Та | 73 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R190C6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipw65r190c6fksa1-datasheets-9948.pdf | ТО-247-3 | 3 | 12 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 151 Вт Тс | 66А | 0,19 Ом | 485 мДж | N-канал | 1620пФ при 100В | 190 мОм при 7,3 А, 10 В | 3,5 В @ 730 мкА | 20,2 А Тс | 73 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4007 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-bfl4007-datasheets-9953.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | Нет | 8541.29.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 27 нс | 72нс | 48 нс | 122 нс | 8,7А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 49А | 0,68 Ом | 215 мДж | N-канал | 1200пФ при 30В | 680 мОм при 7 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 8,7А Та | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3817-ДЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 15мОм | 3 | Нет | 65 Вт | 26 нс | 230 нс | 230 нс | 255 нс | 60А | 20 В | 60В | 1,65 Вт Та 65 Вт Тс | N-канал | 3500пФ при 20 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 60А Та | 67 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЗ73А Ч | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-buz73ah3046-datasheets-9893.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 200В | 200В | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 5,5 А | 22А | 0,6 Ом | 120 мДж | N-канал | 530пФ при 25В | 600 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 5,5 А Тс | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ65R600C6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi65r600c6xksa1-datasheets-9901.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 12 недель | да | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 63 Вт Тс | 18А | 0,6 Ом | 142 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 7,3 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R280C6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-ipw65r280c6fksa1-datasheets-9906.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 13 нс | 11нс | 12 нс | 105 нс | 13,8А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | 39А | 0,28 Ом | 290 мДж | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3821-ДЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk3821dle-datasheets-9911.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | СМП-ФД | 4,2 нФ | 40А | 100В | 1,65 Вт Та 65 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 20 В | 33 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 40А Та | 73 НК при 10 В | 33 мОм | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА65R190C6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipa65r190c6xksa1-datasheets-9912.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 34 Вт | 1 | Не квалифицирован | 13 нс | 12нс | 10 нс | 133 нс | 20,2А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 34 Вт Тс | ТО-220АБ | 66А | 485 мДж | N-канал | 1620пФ при 100В | 190 мОм при 7,3 А, 10 В | 3,5 В @ 730 мкА | 20,2 А Тс | 73 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BUZ73LHXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 15 нс | 60нс | 40 нс | 100 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 200В | 200В | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 7А | 28А | 0,4 Ом | 120 мДж | N-канал | 840пФ при 25В | 400 мОм при 3,5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 7А Тк | 5В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ65R280C6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi65r280c6xksa1-datasheets-9836.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 12 недель | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 104 Вт Тс | 39А | 0,28 Ом | 290 мДж | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ100Н04С4Х2АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-ipi100n04s4h2aksa1-datasheets-9841.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | 3 | 14 недель | 3 | EAR99 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 18 нс | 13нс | 21 нс | 19 нс | 100А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 115 Вт Тс | 400А | 0,0027Ом | 280 мДж | N-канал | 7180пФ при 25 В | 2,7 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 70 мкА | 100А Ц | 90 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ50Р299CPXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipi50r299cpxksa1-datasheets-9857.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 8 недель | 3 | да | Без галогенов | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Не квалифицирован | 14 нс | 12 нс | 80 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 104 Вт Тс | 26А | 0,299 Ом | 289 мДж | 550В | N-канал | 1190пФ при 100В | 299 мОм при 6,6 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 12А Ц | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ50Р250CPXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipi50r250cpxksa1-datasheets-9863.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 8 недель | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 114 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 35 нс | 14 нс | 11 нс | 80 нс | 13А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 114 Вт Тс | 0,25 Ом | 345 мДж | N-канал | 1420пФ при 100В | 250 мОм при 7,8 А, 10 В | 3,5 В при 520 мкА | 13А Тк | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R190E6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r190e6fksa1-datasheets-9869.pdf | ТО-247-3 | 3 | 12 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 151 Вт Тс | 66А | 0,19 Ом | 485 мДж | N-канал | 1620пФ при 100В | 190 мОм при 7,3 А, 10 В | 3,5 В @ 730 мкА | 20,2 А Тс | 73 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р600С6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r600c6xksa1-datasheets-9878.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 12 нс | 9нс | 13 нс | 80 нс | 7,3А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 63 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,6 Ом | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 7,3 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
