Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН6408Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6408l-datasheets-0517.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | совместимый | 30 В | 2,4 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14,5 А Та 25 А Тс | 36 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6246 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 8 | 83 Вт | 1 | 80А | 20 В | 60В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3420пФ при 30В | 6,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13А Та 80А Ц | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6426 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | Нет | 42 Вт | 1 | 65А | 20 В | 30 В | 2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 2300пФ при 15 В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14А Та 65А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQT3P20TF-SB82100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqt3p20tf-datasheets-0073.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 200В | P-канал | 250пФ при 25В | 2,7 Ом при 335 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 670 мА Тс | 8 нк @ 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6418 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6418-datasheets-0421.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 36А | 30 В | 6 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 14А Та 36А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП57Д5УФБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp57d5ufb7-datasheets-0334.pdf | 3-УФДФН | 1 мм | 470 мкм | 600 мкм | Без свинца | 3 | 8Ом | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НИЖНИЙ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 425 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 425 МВт Та | 0,2 А | -50В | P-канал | 29пФ при 4В | 6 Ом при 100 мА, 4 В | 1 В при 250 мкА | 200 мА Та | 2,5 В 4 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4720 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 13А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1600пФ при 15В | 11 мОм при 13 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 13А Та | 30 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4413 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицирован | 15А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | 660 пФ | P-канал | 3500пФ при 15В | 7 м Ом при 15 А, 20 В | 3,5 В при 250 мкА | 15А Та | 61 НК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG4406LSS-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/diodesincorporated-dmg4406lss13-datasheets-0251.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 5,2 нс | 21,2 нс | 5,1 нс | 22,3 нс | 10,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 9,3А | 90А | 30 В | N-канал | 1281пФ при 15В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10,3А Та | 26,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ97N65LC6 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt97n65lc6-datasheets-0355.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 22 недели | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 25 нс | 60нс | 130 нс | 275 нс | 97А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 650В | 650В | 862 Вт Тс | N-канал | 7650пФ при 25 В | 41 мОм при 48,5 А, 10 В | 3,5 В при 2,96 мА | 97А Тц | 300 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ58F50J | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt58f50j-datasheets-0356.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 22 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАНИЕ УЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 58А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 540 Вт Тс | 270А | 0,065 Ом | N-канал | 13500пФ при 25В | 65 мОм при 42 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 58А Ц | 340 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3008СФГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmp3008sfg7-datasheets-0205.pdf | 8-PowerVDFN | 3,35 мм | 850 мкм | 3,35 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | 72,007789мг | Нет СВХК | 25мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 2,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | С-ПДСО-Н5 | 10,5 нс | 8,5 нс | 40 нс | 90 нс | 8,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 900мВт Та | P-канал | 2230пФ при 15В | 17 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 8,6А Та | 47 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ298Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 1,67 нФ | 33А | 100В | 2,1 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 15В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 33А Ц | 27 НК при 10 В | 14,5 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6424 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $9,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6424-datasheets-0389.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,9 нФ | 41А | 30 В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,7 В @ 250 мкА | 11А Та 41А Ц | 32 НК при 10 В | 8,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4718 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1950пФ при 15В | 9 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15А Та | 32 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ450Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 235пФ | 5,8А | 200В | 27 Вт Тс | N-канал | 235пФ при 25В | 700 мОм при 2,9 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5,8 А Тс | 4,4 НК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2918Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 58А | 100В | 2,1 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 50В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 13А Та 58А Ц | 53 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ94N65B2C3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt94n65b2c3g-datasheets-0406.pdf | ТО-247-3 Вариант | Без свинца | 3 | 22 недели | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 415 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 32 нс | 59нс | 167 нс | 498 нс | 94А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 650В | 650В | 833 Вт Тс | 282А | N-канал | 13940пФ при 25В | 35 мОм при 47 А, 10 В | 3,9 В @ 5,8 мА | 94А Тк | 580 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4423 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 17А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3033пФ при 15 В | 6,2 мОм при 15 А, 20 В | 2,6 В при 250 мкА | 17А Та | 57 НК при 10 В | 6В 20В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ43F60B2 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt43f60l-datasheets-4436.pdf | ТО-247-3 Вариант | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | 3 | 780 Вт | 1 | 48 нс | 55нс | 44 нс | 145 нс | 45А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 780 Вт Тс | ТО-247АД | N-канал | 8590пФ при 25 В | 150 мОм при 21 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 45А Ц | 215 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3014SFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dms3014sfg7-datasheets-0218.pdf | 8-PowerVDFN | 3,35 мм | 850 мкм | 3,35 мм | Без свинца | 5 | 72,007789мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 5,5 нс | 24,4 нс | 6,6 нс | 33,1 нс | 9,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Та | 9А | 30 В | N-канал | 4310пФ при 15 В | 13 мОм при 10,4 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 9,5А Та | 45,7 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДБ8880 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fdp8880-datasheets-2586.pdf | 30 В | 54А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 11,33 мм | Без свинца | 2 | 1,31247 г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 55 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 107 нс | 51 нс | 47 нс | 54А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 55 Вт Тс | 30 В | N-канал | 1240пФ при 15В | 2,5 В | 11,6 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 11А Та 54А Ц | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2065УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/diodesincorporated-dmn2065uw7-datasheets-0231.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 430мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 3,5 нс | 9,7 нс | 7,2 нс | 23,8 нс | 2,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 430мВт Та | 2,2А | 0,065 Ом | 20 В | N-канал | 400пФ при 10В | 56 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,8А Та | 5,4 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI9410BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si9410bdyt1e3-datasheets-0261.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | Неизвестный | 24мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 30 нс | 8,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 6,2А | 30 В | N-канал | 1 В | 24 мОм при 8,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6.2А Та | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2500УФБ4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn2500ufb47-datasheets-0201.pdf | 3-XFDFN | 1,05 мм | 350 мкм | 650 мкм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НИЖНИЙ | 260 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 7,4 нс | 12,3 нс | 26,7 нс | 810мА | 6В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460мВт Та | 1А | 0,4 Ом | 20 В | N-канал | 60,67 пФ при 16 В | 400 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 810 мА Та | 0,74 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2n7002s00z-datasheets-8182.pdf | 60В | 115 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 1,2 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 5Ом | 3 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 200мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 20 нс | 115 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 200мВт Та | 5 пФ | 60В | N-канал | 50пФ при 25В | 2,5 В | 7,5 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В при 1 мА | 115 мА Тс | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ56F60B2 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-apt56f60b2-datasheets-1083.pdf | ТО-247-3 Вариант | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,04 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 65 нс | 75нс | 60 нс | 190 нс | 60А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 1040 Вт Тс | ТО-247АБ | 56А | N-канал | 11300пФ при 25В | 110 мОм при 28 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 60А Ц | 280 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ47N65BC3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt47n65bc3g-datasheets-0294.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 22 недели | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 417 Вт | 1 | ТО-247 [Б] | 7,015 нФ | 18 нс | 27нс | 8 нс | 110 нс | 47А | 20 В | 650В | 417 Вт Тс | N-канал | 7015пФ при 25 В | 70 мОм при 30 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 47А ТЦ | 260 НК при 10 В | 70 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ84Ф50Л | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt84f50l-datasheets-0302.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 22 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 60 нс | 70нс | 50 нс | 155 нс | 84А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 1135 Вт Тс | 270А | 0,065 Ом | N-канал | 13500пФ при 25В | 65 мОм при 42 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 84А Тк | 340 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3012SFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dms3012sfg7-datasheets-0270.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 6 недель | 72,007789мг | Нет СВХК | 10мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 15,8 нс | 27,8 нс | 13,6 нс | 29,7 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 890мВт Та | 9,5А | N-канал | 4310пФ при 15 В | 10 мОм при 13,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А Та | 14,7 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В |
