Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM830DTR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfhm830dtrpbf-datasheets-5035.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,8 Вт | 37 Вт | 1 | 9,8 нс | 20 нс | 6,7 нс | 9,1 нс | 20А | 20 В | 1,8 В | 24 нс | 30 В | N-канал | 1797пФ при 25В | 1,8 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 20А Та 40А Ц | 27 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQI27N25TU-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqi27n25tuf085-datasheets-5207.pdf&product=onsemiconductor-fqi27n25tuf085-6874464 | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 2.084г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Одинокий | 3,13 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 36 нс | 164 нс | 77 нс | 81 нс | 25,5А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 3,13 Вт Ta 417 Вт Tc | 600 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 110 мОм при 12,75 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 25,5 А Тс | 65 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р450Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp60r450e6xksa1-datasheets-5215.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 74 Вт Тс | ТО-220АБ | 26А | 0,45 Ом | 185 мДж | N-канал | 620пФ при 100В | 450 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9,2А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQA28N50_F109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqa28n50-datasheets-5727.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 500В | 310 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 25В | 160 мОм при 14,2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 28,4 А Тс | 140 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5414NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 9 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 58нс | 69 нс | 47 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 55 Вт Тс | 75А | 0,037Ом | N-канал | 1200пФ при 25В | 37 мОм при 24 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 24А Тк | 48 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R280E6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r280e6fksa1-datasheets-5235.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | да | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 11 нс | 9нс | 76 нс | 13,8А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | 39А | 0,28 Ом | 290 мДж | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В при 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6BTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r2k0c6btma1-datasheets-5240.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 22,3 Вт Тс | 6А | 2Ом | 11 мДж | N-канал | 140пФ при 100В | 2 Ом при 760 мА, 10 В | 3,5 В @ 60 мкА | 2,4 А Тс | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП037N08N3GE8181XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp037n08n3ge8181xksa1-datasheets-5250.pdf | ТО-220-3 | ПГ-ТО220-3 | 80В | 214 Вт Тс | N-канал | 8110пФ при 40 В | 3,75 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В при 155 мкА | 100А Ц | 117 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р600Е6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipp65r600e6xksa1-datasheets-5253.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 10 нс | 8нс | 11 нс | 64 нс | 7,3А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 63 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,6 Ом | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 7,3 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDFMJ2P023Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdfmj2p023z-datasheets-5093.pdf | 6-WFDFN Открытая площадка | 6 | Нет | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | СК-75, Микротранзистор | 400пФ | 5 нс | 4нс | 4 нс | 23 нс | 2,9 А | 8В | 20 В | 1,4 Вт Та | 112мОм | 20 В | P-канал | 400пФ при 10В | 112 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,9А Та | 6,5 нк при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 112 мОм | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛХМ630ТР2ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlhm630trpbf-datasheets-8249.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 3,2766 мм | 990,6 мкм | 3,3 мм | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,7 Вт | 37 Вт | 1 | 9,1 нс | 32нс | 43 нс | 65 нс | 21А | 12 В | 30 нс | 30 В | N-канал | 3170пФ при 25В | 800 мВ | 3,5 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,1 В @ 50 мкА | 21А Та 40А Ц | 62 НК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQA24N50_F109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРФЕТ® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqa24n50-datasheets-7869.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 500В | 290 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 25В | 200 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 120 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDME410NZT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdme410nzt-datasheets-4994.pdf | 6-PowerUFDFN | 1,6 мм | 500 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 25 недель | 30мг | Нет СВХК | 6 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | С-ПДСО-Н3 | 7,3 нс | 3,4 нс | 3,2 нс | 27 нс | 7А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВ | 2,1 Вт Та | 7А | 20 В | N-канал | 1025пФ при 10В | 700 мВ | 26 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7А Та | 13 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6404 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6404-datasheets-3036.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 85А | Одинокий | 30 В | 2,1 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 9000пФ при 15 В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Та 85А Ц | 155 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fdms2508sdc-datasheets-4972.pdf | 8-PowerTDFN | 90мг | Нет СВХК | 8 | Нет | Одинокий | 78 Вт | Двойное охлаждение™56 | 4,515 нФ | 14 нс | 5,9 нс | 4 нс | 34 нс | 49А | 20 В | 25 В | 1,7 В | 3,3 Вт Та 78 Вт Тс | 1,95 мОм | 25 В | N-канал | 4515пФ при 13В | 1,7 В | 1,95 мОм при 28 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 34А Та 49А Ц | 69 НК при 10 В | 1,95 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5802NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntd5802nt4g-datasheets-6843.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,22 мм | 2,38 мм | 6,73 мм | Без свинца | 2 | 27 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 52нс | 8,5 нс | 39 нс | 101А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,5 Вт Ta 93,75 Вт Tc | 16,4А | 0,0078Ом | 240 мДж | N-канал | 5300пФ при 12 В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 16,4А Та 101А Ц | 100 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4969N-35G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd4969nt4g-datasheets-3069.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 26,3 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10 нс | 27нс | 6,4 нс | 13,3 нс | 12,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,38 Вт Ta 26,3 Вт Tc | 9,4А | 150А | 0,019 Ом | 15 мДж | 30 В | N-канал | 837пФ при 15 В | 9 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,4А Та 41А Ц | 9 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5826NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nttfs5826nltag-datasheets-8923.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 5 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 19 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Та 19 Вт Тс | 8А | 133А | 0,032Ом | 20 мДж | 60В | N-канал | 850пФ при 25В | 24 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А Та | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4965N-35G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntd4965nt4g-datasheets-2579.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 38,5 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 12,1 нс | 34,2 нс | 14,2 нс | 18,9 нс | 17,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,39 Вт Ta 38,5 Вт Tc | 68А | 248А | 0,01 Ом | 60 мДж | 30 В | N-канал | 1710пФ при 15 В | 4,7 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 68А Ц | 17,2 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD5862N-1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntd5862nt4g-datasheets-6351.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 3 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 4 | Одинокий | 115 Вт | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 18 нс | 70нс | 60 нс | 35 нс | 98А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 115 Вт Тс | 90А | 335А | 0,0057Ом | 205 мДж | 60В | N-канал | 6000пФ при 25В | 5,7 мОм при 45 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 98А Тц | 82 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFSC4821NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 8-PowerWDFN | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQA24N50F_F109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРФЕТ® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqa24n50f-datasheets-5396.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 500В | 290 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 25В | 200 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 120 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFSC4823NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 8-PowerWDFN | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD4685TF_SB82135 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ФДД4685 | Д-ПАК (ТО-252АА) | 40В | P-канал | 2380пФ при 20 В | 27 мОм при 8,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,4 А Та 32 А Тс | 27 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТП2955Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-220 | Одинокий | 62,5 Вт | 80 нс | 85 нс | 47 нс | -12А | 156мОм | -60В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9431A-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-fds9431af085-datasheets-4916.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 230,4 мг | 8 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 6,5 нс | 20 нс | 21 нс | 31 нс | 3,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 2,5 Вт Та | 0,13 Ом | -20В | P-канал | 405пФ при 10В | 130 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А Та | 8,5 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ85Н03-06П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sum85n0306pe3-datasheets-4831.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 6мОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 12нс | 10 нс | 30 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Ta 100 Вт Tc | 200А | 30 В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 85А Ц | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sud50p0413lge3-datasheets-4867.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | Неизвестный | 13МОм | 2 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 93,7 Вт | 1 | 15 нс | 18нс | 47 нс | 60 нс | -60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -3В | 3 Вт Та 93,7 Вт Тс | 50А | 80 мДж | 40В | P-канал | 3120пФ при 25В | 13 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 95 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4675-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds4675f085-datasheets-4925.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 46нс | 96 нс | 95 нс | -11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | -1,4 В | 2,4 Вт Та | -40В | P-канал | 4350пФ при 20 В | -1,4 В | 13 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 56 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н02-09П-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0209pe3-datasheets-4841.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 9,5 мОм | 3 | Нет | Одинокий | 9,5 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,3 нФ | 8 нс | 10 нс | 12 нс | 25 нс | 20А | 20 В | 20 В | 6,5 Вт Ta 39,5 Вт Tc | 9,5 мОм | 20 В | N-канал | 1300пФ при 10 В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16 НК при 4,5 В | 9,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
