Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Прямое напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4888DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4888dyt1ge3-datasheets-6431.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 10 нс | 20 нс | 44 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,6 Вт Та | 0,007Ом | N-канал | 7 мОм при 16 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 11А Та | 24 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6473DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6473dqt1e3-datasheets-6434.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 157,991892мг | 12,5 МОм | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 80мВт | 1 | Не квалифицированный | 42 нс | 33нс | 33 нс | 220 нс | 6,2А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 1,08 Вт Та | P-канал | 12,5 мОм при 9,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 6.2А Та | 70 НК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5482DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5482dut1e3-datasheets-8529.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 8 | 1 | Одинокий | PowerPAK® ChipFet Single | 1,61 нФ | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 35 нс | 12А | 12 В | 30В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 15мОм | N-канал | 1610пФ при 15В | 15 мОм при 7,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 12А Ц | 51 НК при 10 В | 15 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4453DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4453dyt1ge3-datasheets-6438.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 8-СО | 110 нс | 235 нс | 285 нс | 410 нс | 10А | 8В | 12 В | 1,5 Вт Та | 6,5 мОм | -12В | P-канал | 6,5 мОм при 14 А, 4,5 В | 900 мВ при 600 мкА | 10А Та | 165 НК при 5 В | 6,5 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4850EY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4850eyt1e3-datasheets-8689.pdf | 60В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 506,605978мг | 8 | 1 | Одинокий | 1,7 Вт | 1 | 8-СО | 800мВ | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 6А | 20 В | 60В | 1,7 Вт Та | 22мОм | 60В | N-канал | 22 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Та | 27 НК при 10 В | 22 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6469DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6469dqt1ge3-datasheets-0848.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Не квалифицированный | 30 нс | 30 нс | 85 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 6А | 30А | 0,031 Ом | 8В | P-канал | 28 мОм при 6 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 40 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4886DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4886dyt1e3-datasheets-6381.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 2,95 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 14 нс | 5нс | 18 нс | 42 нс | 9,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,56 Вт Та | 0,01 Ом | 30В | N-канал | 10 мОм при 13 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 9,5А Та | 20 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5484DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5484dut1e3-datasheets-8519.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 8 | Нет | 1 | Одинокий | PowerPAK® ChipFet Single | 1,6 нФ | 5 нс | 15 нс | 10 нс | 35 нс | 12А | 12 В | 20 В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 16мОм | 20 В | N-канал | 1600пФ при 10В | 16 мОм при 7,6 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 12А Ц | 55 НК при 10 В | 16 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4346DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4346dyt1e3-datasheets-9282.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 13 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,31 Вт | 1 | 9 нс | 11нс | 7 нс | 40 нс | 5,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 1,31 Вт Та | 0,023Ом | 30В | N-канал | 23 мОм при 8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,9А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4862DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4862dyt1e3-datasheets-3887.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 32 недели | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 42 нс | 38нс | 50 нс | 120 нс | 17А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 0,0033Ом | 16В | N-канал | 3,3 мОм при 25 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 17А Та | 70 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4892DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4892dyt1e3-datasheets-6394.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 11нс | 10 нс | 24 нс | 8,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,6 Вт Та | 0,012 Ом | 30В | N-канал | 12 мОм при 12,4 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 8,8А Та | 10,5 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5445BDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5445bdct1e3-datasheets-8498.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 33МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 12 нс | 22нс | 50 нс | 75 нс | -71А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | 5,2А | -8В | P-канал | 33 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.2А Та | 21 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4880DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4880dyt1e3-datasheets-6423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8,5 мОм | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Г8 | 14 нс | 9нс | 30 нс | 46 нс | 13А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 50А | 30В | N-канал | 8,5 мОм при 13 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 25 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4880DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4880dyt1e3-datasheets-6423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Г8 | 14 нс | 9нс | 30 нс | 46 нс | 13А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 50А | 0,0085Ом | 30В | N-канал | 8,5 мОм при 13 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 25 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4886DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4886dyt1e3-datasheets-6381.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 14 нс | 5нс | 5 нс | 42 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,56 Вт Та | 9,5А | N-канал | 800 мВ | 10 мОм при 13 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 9,5А Та | 20 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4646DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 4,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4646dyt1e3-datasheets-6335.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | Нет | 1 | 8-СО | 1,79 нФ | 23 нс | 13нс | 12 нс | 29 нс | 12А | 20 В | 30В | 3 Вт Та 6,25 Вт Тс | 11,5 мОм | 30В | N-канал | 1790пФ при 15В | 11,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 12А Ц | 45 НК при 10 В | 11,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5402DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5402dct1ge3-datasheets-6376.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | Одинокий | 1,3 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | 0,035 Ом | 30В | N-канал | 35 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,9А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4858DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4858dyt1ge3-datasheets-6391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 10 нс | 27 нс | 83 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 0,00525Ом | 30В | N-канал | 5,25 мОм при 20 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 13А Та | 40 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4892DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4892dyt1e3-datasheets-6394.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 12мОм | 8 | Нет | Одинокий | 1,6 Вт | 1 | 8-СО | 10 нс | 11нс | 11 нс | 24 нс | 8,8А | 20 В | 30В | 1,6 Вт Та | 12мОм | 30В | N-канал | 12 мОм при 12,4 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 8,8А Та | 10,5 НК при 5 В | 12 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5441DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5441dct1e3-datasheets-6398.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | Не квалифицированный | 35 нс | 35 нс | 65 нс | 3,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 1,3 Вт Та | 0,055 Ом | -20В | P-канал | 55 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,9А Та | 22 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4860DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4860dyt1ge3-datasheets-6401.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 12нс | 19 нс | 46 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 1,1А | 30В | N-канал | 8 мОм при 16 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 11А Та | 18 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4876DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4876dyt1e3-datasheets-8417.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 40 нс | 30 нс | 70 нс | 175 нс | 14А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 0,005 Ом | 20 В | N-канал | 5 мОм при 21 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 14А Та | 80 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4840DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4840dyt1e3-datasheets-8414.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 8-СО | 10А | 20 В | 40В | 1,56 Вт Та | 9мОм | 40В | N-канал | 3 В | 9 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 28 НК при 5 В | 9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5220TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irfh5220trpbf-datasheets-6361.pdf | 8-VQFN Открытая площадка | 5 | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 3,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 7,2 нс | 4,7 нс | 3,4 нс | 14 нс | 3,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,6 Вт Ta 8,3 Вт Tc | 20А | 47А | 0,0999Ом | 290 мДж | 200В | N-канал | 1380пФ при 50В | 99,9 мОм при 5,8 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 3,8 А Та 20 А Тс | 30 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4684DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $10,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4684dyt1ge3-datasheets-6354.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 8-СО | 2,08 нФ | 12 нс | 12нс | 11 нс | 45 нс | 12А | 12 В | 30В | 2,5 Вт Ta 4,45 Вт Tc | 9,4 мОм | N-канал | 2080пФ при 15В | 9,4 мОм при 16 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 45 НК при 10 В | 9,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3447BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3447bdvt1e3-datasheets-8101.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 46нс | 62 нс | 62 нс | -4,5А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 1,1 Вт Та | 0,04 Ом | 12 В | P-канал | 1 В | 40 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Та | 14 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4833ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4833adyt1e3-datasheets-8435.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 30 | 1 | 7 нс | 11нс | 8 нс | 19 нс | -4,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | 1,93 Вт Ta 2,75 Вт Tc | 20А | 0,072Ом | -30В | P-канал | 750пФ при 15В | 72 мОм при 3,6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 15 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5402DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5402dct1ge3-datasheets-6376.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | Одинокий | 2,5 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 4,9А | 20 В | 30В | 1,3 Вт Та | 35мОм | 30В | N-канал | 35 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,9А Та | 20 НК при 10 В | 35 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4354DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $14,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4354dyt1ge3-datasheets-6331.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | 8 нс | 10 нс | 9 нс | 28 нс | 9,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 30В | N-канал | 16,5 мОм при 9,5 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 9,5А Та | 10,5 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4493DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4493dyt1e3-datasheets-6333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г8 | 110 нс | 150 нс | 150 нс | 220 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | МС-012АА | 0,00775Ом | 20 В | P-канал | 7,75 мОм при 14 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 10А Та | 110 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В |
