Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5461EDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5461edct1e3-datasheets-6485.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,5 мкс | 4,5 мкс | 15 мкс | 27 мкс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | 0,045 Ом | 20 В | P-канал | 45 мОм при 5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 4,5 А Та | 20 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7402DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7402dnt1e3-datasheets-6584.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | S-XDSO-C5 | 35 нс | 65нс | 65 нс | 110 нс | 13А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 50А | 0,0057Ом | 12 В | N-канал | 5,7 мОм при 20 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 13А Та | 55 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5401DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5401dct1e3-datasheets-8433.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 32мОм | Одинокий | 1,3 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 115 нс | 5,2А | 8В | 20 В | 1,3 Вт Та | 32мОм | 20 В | P-канал | 32 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.2А Та | 25 НК при 4,5 В | 32 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7392DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7392dpt1e3-datasheets-6589.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-XDSO-C5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,8 Вт Та | 9А | 50А | 0,00975Ом | 45 мДж | N-канал | 9,75 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9А Та | 15 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7407DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7407dnt1ge3-datasheets-6592.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 12мОм | Одинокий | 1,5 Вт | PowerPAK® 1212-8 | 200 нс | 9,9А | 8В | 12 В | 1,5 Вт Та | 12мОм | 12 В | P-канал | 12 мОм при 15,6 А, 4,5 В | 1 В @ 400 мкА | 9,9А Та | 59 НК при 4,5 В | 12 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7156DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7156dpt1e3-datasheets-6505.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 506,605978мг | 3,5 мОм | 1 | Одинокий | ПауэрПАК® СО-8 | 6,9 нФ | 50А | 20 В | 40В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,5 мОм | N-канал | 6900пФ при 20 В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 155 НК при 10 В | 3,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7196DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФЕТ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7196dpt1ge3-datasheets-0247.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 5 | 13 недель | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Р-ПДСО-С5 | 21 нс | 12нс | 12 нс | 22 нс | 15,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 41,6 Вт Тс | 50А | 20 мДж | 30 В | N-канал | 1577пФ при 15 В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16А Ц | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4890DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4890dyt1e3-datasheets-9379.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 13 нс | 8,5 нс | 17 нс | 35 нс | 11А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | 2,5 Вт Та | 50А | 30 В | N-канал | 12 мОм при 11 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 20 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6466ADQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6466adqt1ge3-datasheets-6466.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 14мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,05 Вт | 1 | 27 нс | 34 нс | 34 нс | 76 нс | 6,8А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,05 Вт Та | 20 В | N-канал | 14 мОм при 8,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 6,8А Та | 27 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7302DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7302dnt1e3-datasheets-9289.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 3,8 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 20 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 220В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 0,32 Ом | N-канал | 645пФ при 15В | 320 мОм при 2,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,4 А Тс | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5475BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5475bdct1ge3-datasheets-6471.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,0988 мм | 1,0922 мм | 1,7018 мм | Без свинца | 8 | 28мОм | 8 | EAR99 | Нет | 6А | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 12 В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | 10 нс | 15 нс | 72 нс | 65 нс | 7,7А | 8В | КРЕМНИЙ | 2,5 Вт Ta 6,3 Вт Tc | 12 В | P-канал | 1400пФ при 6В | 28 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Та | 40 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7380ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7380adpt1e3-datasheets-6567.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | Неизвестный | 3мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 17 нс | 13нс | 35 нс | 155 нс | 40А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 70А | 30 В | N-канал | 7785пФ при 15 В | 600 мВ | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 40А Ц | 185 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI1405BDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1405bdht1e3-datasheets-6571.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 7,512624 мг | 112мОм | 6 | Нет | 1 | Одинокий | 1,47 Вт | 1 | СК-70-6 (СОТ-363) | 305пФ | 10 нс | 26нс | 26 нс | 16 нс | 1,6А | 8В | 8В | 1,47 Вт Ta 2,27 Вт Tc | 205мОм | P-канал | 305пФ при 4В | 112 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,6 А Тс | 5,5 нк @ 4,5 В | 112 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4831BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4831bdyt1ge3-datasheets-6455.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1 | 2 Вт | 1 | 8-СО | 625пФ | 8 нс | 8нс | 7 нс | 24 нс | -6,6А | 20 В | 30 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 42мОм | -30В | P-канал | 625пФ при 15В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 26 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 42 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6708S2TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6708s2tr1pbf-datasheets-6081.pdf | DirectFET™ Изометрический S1 | 30 В | 2,5 Вт Та 20 Вт Тс | N-канал | 1010пФ при 15В | 8,9 мОм при 13 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 13А Тк | 10 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4836DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4836dyt1ge3-datasheets-6582.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Г8 | 35 нс | 41нс | 41 нс | 190 нс | 17А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 0,003Ом | 12 В | N-канал | 3 мОм при 25 А, 4,5 В | 400 мВ при 250 мкА (мин) | 17А Та | 75 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6473DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6473dqt1e3-datasheets-6434.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1 | Одинокий | 8-ЦСОП | 42 нс | 33нс | 95 нс | 220 нс | 6,2А | 8В | 20 В | 1,08 Вт Та | 12,5 мОм | -20В | P-канал | 12,5 мОм при 9,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 6.2А Та | 70 НК при 5 В | 12,5 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5857DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5857dut1e3-datasheets-5947.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 8 | 1 | PowerPAK® ChipFet, двойной | 480пФ | 5 нс | 15 нс | 10 нс | 25 нс | 6А | 12 В | 20 В | 2,3 Вт Ta 10,4 Вт Tc | 58мОм | P-канал | 480пФ при 10В | 58 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А Ц | 17 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 58 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5481DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5481dut1e3-datasheets-8531.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 3 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 8 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-XDSO-N3 | 6 нс | 25нс | 167 нс | 90 нс | 12А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 3,1 Вт Ta 17,8 Вт Tc | 20А | 0,022 Ом | -20В | P-канал | 1610пФ при 10 В | 22 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Ц | 50 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7136DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7136dpt1e3-datasheets-6027.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 9 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 5 Вт Та 39 Вт Тс | 29,5А | 70А | 0,0032Ом | 45 мДж | 20 В | N-канал | 3380пФ при 10 В | 1 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30А Ц | 78 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7138DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7138dpt1e3-datasheets-6038.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 260 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 8 нс | 30А | 20 В | 2В | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 60В | N-канал | 6900пФ при 30 В | 2 В | 7,8 мОм при 19,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 135 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4688DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4688dyt1ge3-datasheets-0576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 8-СО | 1,58 нФ | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | 8,9А | 20 В | 30 В | 1,4 Вт Та | 11мОм | N-канал | 1580пФ при 15В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,9А Та | 38 НК при 10 В | 11 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5473DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5473dct1e3-datasheets-8484.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 27мОм | 8 | 1 | Одинокий | 1206-8 ЧипFET™ | 25 нс | 50 нс | 90 нс | 145 нс | 5,9А | 8В | 12 В | 1,3 Вт Та | 27мОм | -12В | P-канал | 27 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,9А Та | 32 НК при 4,5 В | 27 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5858DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5858dut1e3-datasheets-5983.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 6 | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-XDSO-C6 | 20 нс | 65нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,3 Вт Ta 8,3 Вт Tc | 7,2А | 20А | 0,039 Ом | N-канал | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Ц | 16 НК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7186DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 1,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7186dpt1ge3-datasheets-0201.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 12,5 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 25 нс | 11нс | 10 нс | 32 нс | 14,5А | 20 В | 80В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 64 Вт Тс | 32А | 60А | 45 мДж | 80В | N-канал | 2840пФ при 40В | 12,5 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 70 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI5475DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5475dct1e3-datasheets-6481.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 31мОм | 8 | 1 | Одинокий | 1206-8 ЧипFET™ | 15 нс | 20нс | 80 нс | 122 нс | 5,5 А | 8В | 12 В | 1,3 Вт Та | 31мОм | P-канал | 31 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 450 мВ @ 1 мА (мин) | 5,5 А Та | 29 НК при 4,5 В | 31 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3407DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3407dvt1ge3-datasheets-9665.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 19,986414мг | 6 | 1 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 6-ЦОП | 1,67 нФ | 32 нс | 62нс | 38 нс | 53 нс | 7,5 А | 12 В | 20 В | 2 Вт Та 4,2 Вт Тс | 24мОм | P-канал | 1670пФ при 10 В | 24 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 63 НК при 10 В | 24 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5485DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5485dut1e3-datasheets-8566.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 25мОм | 1 | Одинокий | PowerPAK® ChipFet Single | 1,1 нФ | 7 нс | 15 нс | 80 нс | 50 нс | -12А | 12 В | 20 В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 25мОм | P-канал | 1100пФ при 10В | 25 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 42 НК при 8 В | 25 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7100DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7100dnt1e3-datasheets-6067.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,8 Вт | 1 | S-XDSO-C5 | 26,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 60А | 0,0035Ом | 8В | N-канал | 3810пФ при 4В | 3,5 мОм при 15 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 35А Ц | 105 НК при 8 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7356ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7356adpt1ge3-datasheets-6511.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 25 нс | 18нс | 31 нс | 95 нс | 31А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 40А | 70А | 0,004 Ом | N-канал | 6215пФ при 15 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Ц | 145 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
