Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3879DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3879dvt1e3-datasheets-6215.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 19,986414мг | 6 | 1 | 6-ЦОП | 480пФ | -5А | 12 В | 20 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 70мОм | -20В | P-канал | 480пФ при 10В | 70 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5А Ц | 14,5 НК при 10 В | 70 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4324DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4324dyt1ge3-datasheets-6256.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет | Одинокий | 8-СО | 3,51 нФ | 30 нс | 135 нс | 13 нс | 30 нс | 24А | 20 В | 30 В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 3,2 мОм | N-канал | 3510пФ при 15 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 85 НК при 10 В | 3,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3473DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3473dvt1e3-datasheets-8163.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 19,986414мг | 6 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 1 | 25 нс | 50 нс | 110 нс | 130 нс | -5,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 1,1 Вт Та | 0,023Ом | P-канал | 23 мОм при 7,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,9А Та | 33 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4438DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4438dyt1e3-datasheets-6261.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 3,5 Вт | 1 | Не квалифицированный | 36 нс | 210 нс | 18 нс | 47 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 70А | 0,0027Ом | N-канал | 4645пФ при 15 В | 2,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 36А Тк | 126 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SI3493DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3493dvt1e3-datasheets-6170.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | 20 нс | 40 нс | 85 нс | 125 нс | 5,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 Вт Та | 0,027Ом | 20 В | P-канал | 27 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.3А Та | 32 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4451DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4451dyt1e3-datasheets-9087.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 32 недели | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 55 нс | 235 нс | 315 нс | 10А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 1,5 Вт Та | -12В | P-канал | 8,25 мОм при 14 А, 4,5 В | 800 мВ при 850 мкА | 10А Та | 120 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4448DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4448dyt1e3-datasheets-0578.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 38 нс | 22нс | 33 нс | 240 нс | 50А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 1В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 32А | N-канал | 12350пФ при 6В | 1,7 мОм при 20 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 50А Ц | 150 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI3424BDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3424bdvt1ge3-datasheets-2612.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Неизвестный | 6 | Нет | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 6-ЦОП | 735пФ | 18 нс | 85нс | 12 нс | 17 нс | 8А | 20 В | 30 В | 3В | 2,1 Вт Ta 2,98 Вт Tc | 28мОм | 30 В | N-канал | 735пФ при 15В | 3 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А Тк | 19,6 НК при 10 В | 28 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4322DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4322dyt1e3-datasheets-8262.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | неизвестный | Одинокий | 3,1 Вт | 36 нс | 18А | 20 В | 3,1 Вт Ta 5,4 Вт Tc | 30 В | N-канал | 1640пФ при 15В | 8,5 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 18А Тк | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3867DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3867dvt1e3-datasheets-8279.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 17 нс | 31 нс | 30 нс | 32 нс | -5,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -1,4 В | 1,1 Вт Та | 3,9А | 0,051 Ом | 20 В | P-канал | -1,4 В | 51 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,9А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI3495DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3495dvt1e3-datasheets-8237.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 19 нс | 36нс | 106 нс | 200 нс | -7А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -350мВ | 1,1 Вт Та | 5,3А | 0,024 Ом | -20В | P-канал | 24 мОм при 7 А, 4,5 В | 750 мВ при 250 мкА | 5.3А Та | 38 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3457BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3457bdvt1e3-datasheets-8154.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,14 Вт | 1 | Другие транзисторы | 7 нс | 10 нс | 22 нс | 30 нс | -3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | -3В | 1,14 Вт Та | 0,054 Ом | 30 В | P-канал | -3 В | 54 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,7А Та | 19 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3460DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3460dvt1ge3-datasheets-6204.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 13 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 1 | 15 нс | 30 нс | 30 нс | 70 нс | 6,8А | 8В | КРЕМНИЙ | 450 мВ | 1,1 Вт Та | 0,027Ом | 20 В | N-канал | 450 мВ | 27 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 1 мА (мин) | 5.1А Та | 20 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3456CDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3456cdvt1ge3-datasheets-6168.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 19,986414мг | 6 | 1 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 6-ЦОП | 460пФ | 20 нс | 12нс | 10 нс | 15 нс | 6,1А | 20 В | 30 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 34мОм | N-канал | 460пФ при 15В | 34 мОм при 6,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 12 НК при 10 В | 34 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4102dyt1e3-datasheets-6209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | Одинокий | 2,4 Вт | 1 | 8-СО | 370пФ | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 12 нс | 2,7А | 20 В | 100 В | 2,4 Вт Ta 4,8 Вт Tc | 158мОм | N-канал | 370пФ при 50В | 158 мОм при 2,7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,8 А Тс | 11 НК при 10 В | 158 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3441BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3441bdvt1e3-datasheets-8075.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 860мВт | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 55нс | 40 нс | 30 нс | -2,45А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | -850мВ | 860мВт Та | 0,09 Ом | -20В | P-канал | -850 мВ | 90 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 2,45 А Та | 8 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI3879DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3879dvt1e3-datasheets-6215.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Одинокий | 2 Вт | 6-ЦОП | 480пФ | 80 нс | 10 нс | 20 нс | 5А | 12 В | 20 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 70мОм | 20 В | P-канал | 480пФ при 10В | 70 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5А Ц | 14,5 НК при 10 В | 70 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3481DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3481dvt1e3-datasheets-8160.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | 11 нс | 14 нс | 35 нс | 60 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,14 Вт Та | 4А | 0,048Ом | -30В | P-канал | 48 мОм при 5,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А Та | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3853DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3853dvt1e3-datasheets-8210.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 830мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 1,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 830мВт Та | 0,2 Ом | 20 В | P-канал | 200 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 500 мВ при 250 мкА (мин) | 1,6 А Та | 4нК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4176dyt1e3-datasheets-5845.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 506,605978мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | 10 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,4 Вт Та 5 Вт Тс | 0,02 Ом | N-канал | 490пФ при 15В | 20 мОм при 8,3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12А Ц | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3812DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3812dvt1e3-datasheets-8226.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 830мВт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10 нс | 30 нс | 6 нс | 14 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 600мВ | 830мВт Та | 2А | 0,125 Ом | 20 В | N-канал | 600 мВ | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 2А Та | 4нК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4158dyt1ge3-datasheets-6228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 30 | 3 Вт | 1 | 37 нс | 20 нс | 32 нс | 68 нс | 25,8А | 16В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт Та 6 Вт Тс | 0,0026Ом | 20 В | N-канал | 5710пФ при 10 В | 2,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 36,5 А Тс | 132 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4362BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4362bdyt1ge3-datasheets-6232.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | неизвестный | Одинокий | 3 Вт | 29А | 12 В | 3 Вт Та 6,6 Вт Тс | 30 В | N-канал | 4800пФ при 15В | 4,6 мОм при 19,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 29А Тц | 115 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4320DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4320dyt1ge3-datasheets-6183.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 13 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | 27 нс | 21нс | 43 нс | 107 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,6 Вт Та | 0,003Ом | 30 В | N-канал | 6500пФ при 15В | 3 м Ом при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А Та | 70 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4320DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4320dyt1ge3-datasheets-6183.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | 27 нс | 21нс | 21 нс | 107 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,6 Вт Та | 0,003Ом | N-канал | 6500пФ при 15В | 3 м Ом при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А Та | 70 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4104dyt1e3-datasheets-6191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 9 нс | 9нс | 8 нс | 10 нс | 3,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 4,6А | 4 мДж | N-канал | 446пФ при 50В | 105 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ6342ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irl6342trpbf-datasheets-7675.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 150°С | 6 нс | 12нс | 14 нс | 33 нс | 9,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 В | 2,5 Вт Та | 20 нс | 79А | 30 В | N-канал | 1025пФ при 25В | 1,1 В | 14,6 мОм при 9,9 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 9,9А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1413DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1413dht1e3-datasheets-6146.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Нет | СК-70-6 (СОТ-363) | 13 нс | 32нс | 42 нс | 34 нс | 2,3А | 8В | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 115 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 800 мВ при 100 мкА | 2,3А Та | 8,5 нк @ 4,5 В | 115 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3445DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3445dvt1ge3-datasheets-6159.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 50 нс | 60 нс | 110 нс | -5,6А | 8В | КРЕМНИЙ | 2 Вт Та | 20А | 0,042 Ом | 8В | P-канал | 42 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 25 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н08-6М2П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum90n086m2pe3-datasheets-4955.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | Нет | 3,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 11нс | 10 нс | 24 нс | 90А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 240А | 0,0062Ом | 75В | N-канал | 4620пФ при 30В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 90А Ц | 115 НК при 10 В |
