Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUD50P04-23-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50p0423e3-datasheets-3248.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 20А | 40В | 3,1 Вт Ta 45,4 Вт Tc | P-канал | 1880пФ при 20В | 23 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 20 А Тс | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н10-34П-Т4-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n1034pt4e3-datasheets-3267.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 5,9А | 20 В | 2,5 Вт Та 56 Вт Тс | 100 В | N-канал | 1800пФ при 25В | 34 мОм при 7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,9 А Та 20 А Тс | 30 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM110P04-04L-GE3 | Вишай Силиконикс | $33,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm110p0404lge3-datasheets-3225.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 375 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 15 нс | 45 нс | 112 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 40В | 40В | 375 Вт Тс | 240А | P-канал | 13980пФ при 20В | 4 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 120А Ц | 330 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД25Н04-25-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud25n0425e3-datasheets-3228.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 1,437803г | 1 | Одинокий | 3 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 510пФ | 5 нс | 47нс | 5 нс | 15 нс | 25А | 20 В | 40В | 3 Вт Та 33 Вт Тс | 25мОм | 40В | N-канал | 510пФ при 25 В | 25 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 25А Ц | 20 НК при 10 В | 25 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD25N04-25-T4-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud25n0425e3-datasheets-3228.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 40В | 3 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 510пФ при 25 В | 25 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 25А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE804DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie804dft1ge3-datasheets-3195.pdf | 10-ПоларПАК® (левый) | 10 | 5,2 Вт | 1 | 10-ПоларПАК® (левый) | 3нФ | 37А | 20 В | 150 В | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 38мОм | 150 В | N-канал | 3000пФ при 50В | 38 мОм при 7,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 37А Тц | 105 НК при 10 В | 38 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE854DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie854dft1ge3-datasheets-2529.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | Без свинца | Нет СВХК | 14,2 мОм | 10 | Нет | Одинокий | 5,2 Вт | 1 | 10-ПоларПАК® (Л) | 3,1 нФ | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 30 нс | 13,2А | 20 В | 100 В | 100 В | 2,5 В | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 14,2 мОм | 100 В | N-канал | 3100пФ при 50В | 14,2 мОм при 13,2 А, 10 В | 4,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 75 НК при 10 В | 14,2 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7840BDP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7840bdpt1e3-datasheets-3139.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 15 недель | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-С5 | 17 нс | 14нс | 14 нс | 39 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,8 Вт Та | 50А | 0,0085Ом | 20 мДж | N-канал | 8,5 мОм при 16,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 21 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE800DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie800dft1e3-datasheets-6364.pdf | 10-ПоларПАК® (С) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Н4 | 15 нс | 20,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 50А | 60А | 0,0072Ом | 80 мДж | N-канал | 1600пФ при 15В | 7,2 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sir432dpt1ge3-datasheets-3206.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 5 Вт Та 54 Вт Тс | 8,6А | 40А | 0,0306Ом | 14,5 мДж | N-канал | 1170пФ при 50В | 30,6 мОм при 8,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 28,4 А Тс | 32 НК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE862DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sie862dft1ge3-datasheets-3210.pdf | 10-ПоларПАК® (У) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 30 нс | 20нс | 15 нс | 40 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 30А | 0,0038Ом | 80 мДж | N-канал | 3100пФ при 15 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 50А Ц | 75 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS424DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sis424dnt1ge3-datasheets-3213.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 5 | 15 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | S-XDSO-C5 | 15 нс | 13нс | 10 нс | 20 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,7 Вт Та 39 Вт Тс | 60А | 0,0064Ом | 45 мДж | N-канал | 1200пФ при 10В | 6,4 мОм при 19,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 35А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| СУД40Н02-08-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud40n0208e3-datasheets-3216.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | 2 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 71 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 120 нс | 20 нс | 45 нс | 40А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 600мВ | 8,3 Вт Та 71 Вт Тс | 0,0085Ом | 20 В | N-канал | 2660пФ при 20 В | 600 мВ | 8,5 мОм при 20 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 40А Ц | 35 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIJ484DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $3,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sij484dpt1ge3-datasheets-3219.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 260 | 40 | 5 Вт | 1 | 22 нс | 13нс | 12 нс | 26 нс | 35А | 20 В | 30В | 1,2 В | 5 Вт Та 27,7 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 15В | 6,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 35А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJ400DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sij400dpt1ge3-datasheets-3222.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 69,4 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г5 | 48 нс | 66нс | 20 нс | 49 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 5 Вт Та 69,4 Вт Тс | 26,3А | 0,004 Ом | 30В | N-канал | 7765пФ при 15 В | 2,5 В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 32А Тк | 150 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI7888DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7888dpt1ge3-datasheets-3136.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5,969 мм | 1,0668 мм | 5,0038 мм | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 20 | 1,8 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 11нс | 11 нс | 24 нс | 9,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,8 Вт Та | 50А | 20 мДж | N-канал | 12 мОм при 12,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 9.4А Та | 10,5 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI7886ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7886adpt1e3-datasheets-3150.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 506,605978мг | 4мОм | 1 | Одинокий | ПауэрПАК® СО-8 | 6,45 нФ | 17 нс | 14нс | 43 нс | 158 нс | 15А | 12 В | 30В | 1,9 Вт Та | 4мОм | 30В | N-канал | 6450пФ при 15 В | 4 мОм при 25 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 60 НК при 4,5 В | 4 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7682DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7682dpt1e3-datasheets-6650.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 18 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 27,5 Вт Тс | 17,5А | 50А | 0,009 Ом | 30В | N-канал | 1595пФ при 15В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Ц | 38 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9410BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si9410bdyt1e3-datasheets-0261.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 15 нс | 11 нс | 30 нс | 8,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 30В | 1В | 1,5 Вт Та | 6,2А | 0,024 Ом | N-канал | 1 В | 24 мОм при 8,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6.2А Та | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE806DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie806dft1e3-datasheets-6367.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Н4 | 85 нс | 41,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 60А | 0,0021 Ом | 125 мДж | 30В | N-канал | 13000пФ при 15В | 1,7 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 60А Ц | 250 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE848DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie848dft1ge3-datasheets-2513.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | Без свинца | 2,2 МОм | 10 | Нет | Одинокий | 5,2 Вт | 1 | 10-ПоларПАК® (Л) | 6,1 нФ | 45 нс | 30 нс | 40 нс | 70 нс | 43А | 20 В | 30В | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 1,6 мОм | 30В | N-канал | 6100пФ при 15В | 1,6 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 138 НК при 10 В | 1,6 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE844DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie844dft1e3-datasheets-3152.pdf | 10-ПоларПАК® (У) | 4 | 10 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-N4 | 25 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 20,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 25 Вт Тс | 44,5А | 60А | 0,007Ом | 31 мДж | 30В | N-канал | 2150пФ при 15В | 7 мОм при 12,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 44,5 А Тс | 44 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7866ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7866adpt1e3-datasheets-6244.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 2,4 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 18 нс | 105 нс | 9 нс | 49 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800мВ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 35А | 70А | 20 В | N-канал | 5415пФ при 10 В | 2,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Ц | 125 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| SIE830DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФЕТ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie830dft1e3-datasheets-6381.pdf | 10-ПоларПАК® (С) | 10 | Нет | Одинокий | 5,2 Вт | Полномочия общего назначения FET | 35 нс | 105 нс | 95 нс | 70 нс | 27А | 12 В | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 50А | 30В | N-канал | 5500пФ при 15В | 4,2 мОм при 16 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 50А Ц | 115 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE836DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie836dft1ge3-datasheets-2516.pdf | 10-ПоларПАК® (Ш) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Н4 | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 4,1А | 30В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 18,3А | 15А | 0,13 Ом | 1,25 мДж | 200В | N-канал | 1200пФ при 100В | 130 мОм при 4,1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18,3 А Тс | 41 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE816DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie816dft1ge3-datasheets-3162.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | Без свинца | 7,4 мОм | 10 | Нет | Одинокий | 5,2 Вт | 1 | 10-ПоларПАК® (Л) | 3,1 нФ | 22 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 19,8А | 20 В | 60В | 5,2 Вт Та 125 Вт Тс | 7,4 мОм | 60В | N-канал | 3100пФ при 30 В | 7,4 мОм при 19,8 А, 10 В | 4,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 77 НК при 10 В | 7,4 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9434BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si9434bdyt1e3-datasheets-6300.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Р-ПДСО-Г8 | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | МС-012АА | 0,04 Ом | 20 В | P-канал | 40 мОм при 6,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 18 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7856ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7856adpt1e3-datasheets-3144.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 3,7 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,9 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C5 | 21 нс | 15 нс | 15 нс | 100 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 30В | N-канал | 3,7 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та | 55 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7856ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7856adpt1e3-datasheets-3144.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,9 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 21 нс | 15 нс | 30 нс | 100 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 0,0037Ом | 30В | N-канал | 3,7 мОм при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А Та | 55 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7886ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7886adpt1e3-datasheets-3150.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 506,605978мг | 8 | 1 | Одинокий | ПауэрПАК® СО-8 | 6,45 нФ | 17 нс | 14нс | 14 нс | 158 нс | 15А | 12 В | 30В | 1,9 Вт Та | 4мОм | N-канал | 6450пФ при 15 В | 4 мОм при 25 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 60 НК при 4,5 В | 4 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В |
