Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5HP01S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | СК-75, СОТ-416 | 3 | 1 | 13 нс | 10 нс | 150 нс | 100 нс | 70 мА | 20 В | 50В | 17Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ХН01СС-ТЛ-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 3-СМД, плоский вывод | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТЛ01Н60ЗТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndtl01n60zt1g-datasheets-7259.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 14 недель | 15Ом | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мА | 600В | 2 Вт Тс | N-канал | 92пФ при 25 В | 15 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 250 мА Тс | 4,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ХН01М-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5hn01mtlh-datasheets-7229.pdf | СК-70, СОТ-323 | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | 150 мВт Та | 50В | N-канал | 6,2 пФ при 10 В | 7,5 Ом при 50 мА, 10 В | 100 мА Та | 1,4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛЗ24НСТРЛ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirlz24nstrl-datasheets-7299.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18А | 55В | 3,8 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 480пФ при 25В | 60 мОм при 11 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18А Тк | 15 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HN01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,437803г | 1 | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | 50В | 5,8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntzs3151pt5g-datasheets-4006.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 8 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | Одинокий | Другие транзисторы | 5 нс | 12нс | 18 нс | 23,7 нс | 860 мА | 8В | 20 В | 170мВт Та | -20В | P-канал | 458пФ при 16В | 150 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 860 мА Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТЛ01Н60ЗТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndtl01n60zt1g-datasheets-7259.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 недели | 15Ом | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мА | 600В | 2 Вт Тс | N-канал | 92пФ при 25 В | 15 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 250 мА Тс | 4,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р2К1ЦЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r2k1ceakma1-datasheets-4724.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 22 Вт Тс | 6А | 11 мДж | N-канал | 140пФ при 100В | 2,1 Ом при 760 мА, 10 В | 3,5 В @ 60 мкА | 2,3 А Тс | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c604nlwfaft1g-datasheets-2820.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 287А | Одинокий | 60В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 1,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 40А Та 287А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c404nlaft1g-datasheets-9931.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | 10 | Полевой транзистор общего назначения | 352А | Одинокий | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 12168пФ при 25 В | 0,75 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 352А Ц | 181 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c404nlaft1g-datasheets-9931.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | 10 | Полевой транзистор общего назначения | 352А | Одинокий | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 12168пФ при 25 В | 0,75 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 352А Ц | 181 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3461-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3461tlw-datasheets-0703.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Олово | 1 | 3-КПН | 140пФ | 7,5 нс | 7,3 нс | 43 нс | 23 нс | 350 мА | 10 В | 250 В | 1 Вт Та | 5Ом | N-канал | 140пФ при 20В | 6,5 Ом при 170 мА, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 350 мА Та | 2,1 нк @ 4,5 В | 6,5 Ом | 2,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HP01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Другие транзисторы | 13 нс | 10 нс | 150 нс | 100 нс | 70 мА | 20 В | Одинокий | П-КАНАЛ | 0,25 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ХН01С-ТЛ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 1 | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | 50В | 5,8 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C404NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c404nlaft1g-datasheets-9931.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | 10 | Полевой транзистор общего назначения | 352А | Одинокий | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 12168пФ при 25 В | 0,75 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 352А Ц | 181 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1345-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sch1345tlh-datasheets-7237.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 4 недели | 8,193012мг | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 6 | 1 | 1 Вт | Другие транзисторы | 4,5 А | 10 В | Одинокий | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 1220пФ при 10В | 49 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 4,5 А Та | 11 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c646nlaft3g-datasheets-1559.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 93А | Одинокий | 60В | 3,7 Вт Та 79 Вт Тс | N-канал | 2164пФ при 25 В | 4,7 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Та 93А Ц | 33,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К604НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c604nlwfaft1g-datasheets-2820.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 287А | Одинокий | 60В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 1,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 40А Та 287А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К442НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c442nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,7 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 72нс | 8,4 нс | 28 нс | 127А | 20 В | Одинокий | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | 40В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 2,8 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 27А Та 127А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ02Н60ЗТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 2 Вт Тс | N-канал | 170пФ при 25В | 8 Ом при 700 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 300 мА Тс | 7,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C442NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 127А | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 25 В | 2,8 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 27А Та 127А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HP01M-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5hp01mtle-datasheets-7213.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | Нет | 150 мВт | 1 | 3-MCP | 6,2 пФ | 13 нс | 10 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 20 В | 50В | 150 мВт Та | 22Ом | P-канал | 6,2 пФ при 10 В | 22 Ом при 40 мА, 10 В | 70 Та мА | 1,32 НК при 10 В | 22 Ом | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HP01SS-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | 3-СМД, плоский вывод | совместимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HP01SS-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2015 год | 3-СМД, плоский вывод | 13 нс | 10 нс | 150 нс | 100 нс | 70 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HP01C-TB-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 10 нс | 150 нс | 100 нс | -70мА | 20 В | Одинокий | П-КАНАЛ | 0,25 Вт | -50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07А | 22Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К442НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c442nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 72нс | 8,4 нс | 28 нс | 127А | 16В | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 25 В | 2,8 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 27А Та 127А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HN01C-TB-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1994 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1 | Одинокий | 100 мА | 20 В | 50В | 7,5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р1К5СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipd60r1k5ceauma1-datasheets-9259.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 343,085929мг | да | 1 | Одинокий | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 8 нс | 7нс | 20 нс | 40 нс | 3,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 28 Вт Тс | 5А | 8А | 26 мДж | N-канал | 200пФ при 100В | 1,5 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,5 В @ 90 мкА | 3,1 А Тс | 9,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1458-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1458h-datasheets-7145.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 6 нс | 11нс | 60 нс | 12 нс | 1А | 30В | 600В | 1 Вт Та 38 Вт Тс | N-канал | 65пФ при 20В | 13 Ом при 500 мА, 10 В | 1А Та | 3,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
