Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Рассеяние мощности при температуре окружающей среды, макс. | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4C09NT1G-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4c09nt1g-datasheets-6983.pdf | 8-PowerTDFN | 12 недель | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 52А | Одинокий | 30В | 760мВт Та | N-канал | 1252пФ при 15 В | 5,8 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 9А Та 52А Ц | 22,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3065ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp3065lvt13-datasheets-7426.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 5,7 нс | 11,8 нс | 23,9 нс | 21,8 нс | 5,1А | 20 В | 30В | 1,2 Вт Та | P-канал | 880пФ при 15В | 42 мОм при 4,9 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 5.1А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c646nlaft3g-datasheets-1559.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | Полевой транзистор общего назначения | 93А | Одинокий | 60В | 3,7 Вт Та 79 Вт Тс | N-канал | 2164пФ при 25 В | 4,7 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Та 93А Ц | 33,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р950С6АКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C6 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r950c6akma1-datasheets-7435.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 37 Вт Тс | 12А | 0,95 Ом | 46 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 950 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,4 А Тс | 13 нк @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р600С6АКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C6 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r600c6akma1-datasheets-7441.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 63 Вт Тс | 19А | 0,6 Ом | 133 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 7,3 А Тс | 20,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н550У1-35Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n550u135g-datasheets-7304.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 16 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8,2А | 600В | 94 Вт Тс | N-канал | 540пФ при 50В | 550 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,2 А Тс | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДДЛ01Н60З-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nddl01n60zt4g-datasheets-7276.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 800мА | 600В | 26 Вт Тс | N-канал | 92пФ при 25 В | 15 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 800 мА Та | 4,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4962НФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM7194TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfhm7194trpbf-datasheets-7353.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 16,9 мОм | 8 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н5 | 34А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 2,8 Вт Та 37 Вт Тс | 9,3А | 95А | 220 мДж | N-канал | 733пФ при 50 В | 16,4 мОм при 20 А, 10 В | 3,6 В при 50 мкА | 9,3А Та 34А Ц | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1601-A-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н550У1-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n550u135g-datasheets-7304.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 17 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 8,2А | Одинокий | 600В | 94 Вт Тс | 8,5 А | N-канал | 540пФ при 50В | 550 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,2 А Тс | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C410NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410nlaft3g-datasheets-3897.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 315А | Одинокий | 40В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 8862пФ при 25 В | 0,9 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 48А Та 315А Ц | 143 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4c08nt1g-datasheets-1316.pdf | 8-PowerTDFN | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 52А | Одинокий | 30В | 760мВт Та | N-канал | 1670пФ при 15В | 5,8 мОм при 18 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 9А Та 52А Ц | 18,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К646НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c646nlaft3g-datasheets-1559.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10,4 нс | 14,9 нс | 5,1 нс | 23,6 нс | 93А | 20 В | Одинокий | 3,7 Вт Та 79 Вт Тс | 60В | N-канал | 2164пФ при 25 В | 4,7 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Та 93А Ц | 33,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTP8G206NG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntp8g206ng-datasheets-7320.pdf | ТО-220-3 | 10,53 мм | 15,75 мм | 4,83 мм | Без свинца | 16 недель | Нет СВХК | 3 | да | 6,2 нс | 9,7 нс | 17А | 18В | 2,1 В | 96 Вт Тс | 600В | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 17А Тк | 9,3 нк при 4,5 В | 8В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C442NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 72нс | 8,4 нс | 28 нс | 127А | 20 В | Одинокий | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 25 В | 2,8 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 27А Та 127А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c612nlaft3g-datasheets-7806.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 235А | Одинокий | 60В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 6660пФ при 25 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 36А Та 235А Ц | 91 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1458-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1458h-datasheets-7145.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 3,949996 г | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Одинокий | 6 нс | 11нс | 60 нс | 12 нс | 1А | 30В | 1 Вт Та 38 Вт Тс | 600В | N-канал | 65пФ при 20В | 13 Ом при 500 мА, 10 В | 1А Та | 3,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К604НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c604nlwfaft1g-datasheets-2820.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 287А | Одинокий | 60В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 1,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 40А Та 287А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7184TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7184trpbf-datasheets-7339.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 4,8 мОм | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 128А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,9 Вт Ta 156 Вт Tc | 20А | 260А | 360 мДж | N-канал | 2320пФ при 50В | 4,8 мОм при 50 А, 10 В | 3,6 В @ 150 мкА | 20А Та 128А Ц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ03Н40ЗТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndt03n40zt3g-datasheets-7103.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 8 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500 мА | 400В | 2 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 50В | 3,4 Ом при 600 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 500 мА Тс | 6,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ХН01СС-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 3 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | 1 | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,15 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 5,8 Ом | 0,15 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД03Н40ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndt03n40zt3g-datasheets-7103.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 6 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 2,1А | 400В | 37 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 50В | 3,4 Ом при 600 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 2,1 А Тс | 6,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5HN01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,437803г | 1 | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 100 мА | 20 В | 50В | 5,8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntzs3151pt5g-datasheets-4006.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 8 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | Одинокий | Другие транзисторы | 5 нс | 12нс | 18 нс | 23,7 нс | 860 мА | 8В | 20 В | 170мВт Та | -20В | P-канал | 458пФ при 16В | 150 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 860 мА Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТЛ01Н60ЗТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndtl01n60zt1g-datasheets-7259.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 недели | 15Ом | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мА | 600В | 2 Вт Тс | N-канал | 92пФ при 25 В | 15 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 250 мА Тс | 4,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р2К1ЦЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r2k1ceakma1-datasheets-4724.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 22 Вт Тс | 6А | 11 мДж | N-канал | 140пФ при 100В | 2,1 Ом при 760 мА, 10 В | 3,5 В @ 60 мкА | 2,3 А Тс | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c604nlwfaft1g-datasheets-2820.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 287А | Одинокий | 60В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 1,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 40А Та 287А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c404nlaft1g-datasheets-9931.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | 10 | Полевой транзистор общего назначения | 352А | Одинокий | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 12168пФ при 25 В | 0,75 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 352А Ц | 181 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4c05nt1g001-datasheets-7274.pdf | 8-PowerTDFN | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 78А | Одинокий | 30В | 770мВт Та | N-канал | 1972пФ при 15В | 3,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11,9А Та 78А Ц | 14 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
