Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НВМФС5К404НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c404nt1g-datasheets-7136.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 378А | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 25В | 0,7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 53А Та 378А Ц | 128 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9410-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9410f085-datasheets-8021.pdf | 8-PowerTDFN | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | НЕ УКАЗАН | 40В | 75 Вт Тиджей | N-канал | 1790пФ при 20В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6002DPH-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | 1,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk6002dphe0t2-datasheets-8130.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 16 недель | EAR99 | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 2А | Одинокий | 600В | 30 Вт Тс | 2А | N-канал | 165пФ при 25В | 6,8 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 6,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c670nlwfaft1g-datasheets-4576.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 15 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 71А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 61 Вт Тс | 440А | 166 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,1 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та 71А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП037Н08Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp037n08n3ghksa1-datasheets-8136.pdf | ТО-220-3 | Нет | 214 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 8.11нФ | 23 нс | 79нс | 14 нс | 45 нс | 100А | 20 В | 80В | 214 Вт Тс | N-канал | 8110пФ при 40 В | 3,75 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В при 155 мкА | 100А Ц | 117 НК при 10 В | 3,75 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП084Н06Л3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp084n06l3ghksa1-datasheets-8140.pdf | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | 3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | Одинокий | 79 Вт | 1 | 15 нс | 26нс | 7 нс | 37 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 79 Вт Тс | ТО-220АБ | 200А | 0,0084Ом | N-канал | 4900пФ при 30 В | 8,4 мОм при 50 А, 10 В | 2,2 В @ 34 мкА | 50А Ц | 29 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП057Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp057n06n3ghksa1-datasheets-8144.pdf | ТО-220-3 | 60В | 115 Вт Тс | N-канал | 6600пФ при 30 В | 5,7 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 58 мкА | 80А Ц | 82 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPL60R255P6AUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipl60r255p6auma1-datasheets-7899.pdf | 4-PowerTSFN | Содержит свинец | 4 | 12 недель | 4 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 15,9А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 126 Вт Тс | 0,255 Ом | 352 мДж | N-канал | 1450пФ при 100В | 255 мОм при 6,4 А, 10 В | 4,5 В при 530 мкА | 15,9 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0629DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rjk0629dpe00j3-datasheets-8066.pdf | СК-83 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 85А | 60В | 100 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 10 В | 4,5 мОм при 43 А, 10 В | 85А Та | 85 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R520CPATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r520cpatma1-datasheets-8068.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | Нет | ПГ-ТО252-3 | 630пФ | 17 нс | 12нс | 16 нс | 74 нс | 6,8А | 20 В | 600В | 600В | 66 Вт Тс | N-канал | 630пФ при 100В | 520 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 6,8 А Тс | 31 НК при 10 В | 520 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р380П6БТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r380p6atma1-datasheets-8528.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 83 Вт Тс | 29А | 0,38 Ом | 210 мДж | N-канал | 877пФ при 100 В | 380 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,5 В при 320 мкА | 10,6 А Тс | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р380П6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r380p6atma1-datasheets-7962.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10,6А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | 29А | 0,38 Ом | 210 мДж | N-канал | 877пФ при 100 В | 380 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,5 В @ 320 мкА | 10,6 А Тс | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c423nlt1g-datasheets-1851.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150А | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 20 В | 2 м Ом при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 31А Та 150А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R950CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipd50r950ceauma1-datasheets-7430.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 4,3А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 53 Вт Тс | 12,8А | 0,95 Ом | 68 мДж | N-канал | 231пФ при 100 В | 950 мОм при 1,2 А, 13 В | 3,5 В при 100 мкА | 4,3 А Тс | 10,5 НК при 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA100JT17-227 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 18 недель | 160А | 1700В | 535 Вт Тс | 14400пФ при 800В | 10 м Ом при 100 А | 160А Ц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R650CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r650ceauma1-datasheets-3165.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 500В | 69 Вт Тс | N-канал | 342пФ при 100 В | 650 мОм при 1,8 А, 13 В | 3,5 В @ 150 мкА | 6.1А Ц | 15 НК при 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R500CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r500cebtma1-datasheets-9366.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3,949996 г | 3 | 1 | Одинокий | 57 Вт | 1 | ПГ-ТО252-3 | 433пФ | 6 нс | 5нс | 12 нс | 30 нс | 7,6А | 20 В | 500В | 57 Вт Тс | 500мОм | N-канал | 433пФ при 100 В | 500 мОм при 2,3 А, 13 В | 3,5 В при 200 мкА | 7,6 А Тс | 18,7 НК при 10 В | 500 мОм | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCM650ВНЕЗ | Нексперия США Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmcm650vnez-datasheets-7696.pdf | 6-XFBGA, WLCSP | 7 недель | 6,4А | 12 В | 556 мВт Ta 12,5 Вт Tc | N-канал | 1060пФ при 6В | 25 мОм при 3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 6.4А Та | 15,4 НК при 4,5 В | 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2400UFDQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn2400ufdq7-datasheets-8019.pdf | 3-PowerUDFN | 6 недель | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900 мА | 20 В | 400мВт Та | N-канал | 37пФ при 16В | 600 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 900 мА Та | 0,5 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R380CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r380ceauma1-datasheets-3571.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 500В | 98 Вт Тс | N-канал | 584 пФ при 100 В | 380 мОм при 3,2 А, 13 В | 3,5 В @ 260 мкА | 9,9 А Тс | 24,8 НК при 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП06CN10NGXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp06cn10ng-datasheets-1092.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 214 Вт Тс | ТО-220АБ | 100А | 400А | 0,0065Ом | 480 мДж | N-канал | 9200пФ при 50В | 6,5 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 180 мкА | 100А Ц | 139 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG2302UQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg2302uq13-datasheets-8054.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 5 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4,2А | 20 В | 800мВт Та | N-канал | 594,3 пФ при 10 В | 90 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В @ 50 мкА | 4.2А Та | 7 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-3lp01mtlh-datasheets-8056.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | 30В | 150 мВт Та | -30В | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПВ60Р330П6ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r330p6fksa1-datasheets-7831.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 12 недель | 3 | ПГ-ТО247-3 | 1,01 нФ | 12 нс | 7нс | 33 нс | 12А | 20 В | 600В | 600В | 93 Вт Тс | 297мОм | N-канал | 1010пФ при 100В | 330 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 370 мкА | 12А Ц | 22 НК при 10 В | 330 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД25Н06С4Л30АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd25n06s4l30atma2-datasheets-6894.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 29 Вт Тс | N-канал | 1220пФ при 25В | 30 мОм при 25 А, 10 В | 2,2 В @ 8 мкА | 25А Ц | 16,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА60Р330П6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r330p6fksa1-datasheets-7831.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 12 недель | 6.000006г | 3 | Без галогенов | 1 | PG-TO220-FP | 1,01 нФ | 12 нс | 7нс | 7 нс | 33 нс | 12А | 20 В | 600В | 600В | 32 Вт Тс | 297мОм | N-канал | 1010пФ при 100В | 330 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 370 мкА | 12А Ц | 22 НК при 10 В | 330 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c612nlaft3g-datasheets-7806.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 235А | Одинокий | 60В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 6660пФ при 25 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 36А Та 235А Ц | 91 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ06Н60ЗГ-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c670nlwfaft1g-datasheets-4576.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 71А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 61 Вт Тс | 440А | 166 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,1 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та 71А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c404nt1g-datasheets-7136.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 378А | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 25В | 0,7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 53А Та 378А Ц | 128 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
