Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFT1341-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1341tlw-datasheets-4213.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 8 недель | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 50 нс | 80 нс | 81 нс | 10А | 10 В | Одинокий | 40В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | -40В | P-канал | 650пФ при 20В | 112 мОм при 5 А, 4,5 В | 10А Та | 8 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB7030BL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fdb7030bl-datasheets-1754.pdf&product=onsemiconductor-fdb7030bl-6925434 | 30В | 60А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 1,31247 г | Нет СВХК | 9МОм | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | не_совместимо | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 12нс | 19 нс | 30 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 В | 60 Вт Тс | 30В | N-канал | 1760пФ при 15В | 9 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 60А Та | 24 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LN01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01ctbe-datasheets-6732.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 250 мВт | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 250мВт Та | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3710ZGPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf3710zgpbf-datasheets-1712.pdf | ТО-220-3 | 100В | 160 Вт Тс | N-канал | 2900пФ при 25В | 18 мОм при 35 А, 10 В | 4 В при 250 мА | 59А Тк | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛУ2905 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirlr2905trl-datasheets-5812.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 8 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | АЭК-Q101 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 110 Вт Тс | 42А | 160А | 0,03 Ом | 210 мДж | N-канал | 1700пФ при 25В | 27 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 42А Тк | 48 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sia448djt1ge3-datasheets-1655.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 3 | 13 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 2 | Двойной | 3,5 Вт | 1 | С-ПДСО-Н3 | 8 нс | 30 нс | 12А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400мВ | 3,5 Вт Ta 19,2 Вт Tc | 30А | 20 В | N-канал | 1380пФ @ 1В | 15 мОм при 12,4 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 12А Ц | 35 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW50R280CEFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp50r280cexksa1-datasheets-3458.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 52 недели | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 8 нс | 6,4 нс | 7,6 нс | 40 нс | 13А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 92 Вт Тс | 42,9А | 0,28 Ом | N-канал | 773пФ при 100 В | 280 мОм при 4,2 А, 13 В | 3,5 В при 350 мкА | 13А Тк | 32,6 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4806NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd4806n35g-datasheets-6879.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 6МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 4 | Одинокий | 2,14 Вт | 1 | 13,9 нс | 23,8 нс | 4,7 нс | 26 нс | 14А | 20 В | 1,4 Вт Та 68 Вт Тс | 30В | N-канал | 2142пФ при 12 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 11,3А Та 79А Ц | 23 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD4906NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd4906n35g-datasheets-9359.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 5,5 МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 4 | Одинокий | 1,38 Вт | 1 | 13 нс | 22 нс | 14А | 20 В | 1,38 Вт Ta 37,5 Вт Tc | 30В | N-канал | 1932пФ при 15В | 5,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 10,3А Та 54А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R950CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp50r380cexksa1-datasheets-0409.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 6 недель | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 25,7 Вт Тс | ТО-220АБ | 12,8А | 0,95 Ом | 68 мДж | N-канал | 231пФ при 100 В | 950 мОм при 1,2 А, 13 В | 3,5 В при 100 мкА | 4,3 А Тс | 10,5 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF4104GPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf4104gpbf-datasheets-1697.pdf | ТО-220-3 | 40В | 140 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 25В | 5,5 мОм при 75 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 75А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛЗ44ЗС | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-auirlz44zs-datasheets-5921.pdf | ТО-220АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Нет СВХК | 3 | 80 Вт | Одинокий | 80 Вт | 1,62 нФ | 14 нс | 160 нс | 42 нс | 25 нс | 51А | 16В | 55В | 13,5 мОм | 55В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF1902GPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | 2,5 Вт | 2,5 Вт | 8-СО | 310пФ | 5,9 нс | 13нс | 19 нс | 23 нс | 4,2А | 12 В | 20 В | 85мОм | 20 В | N-канал | 310пФ при 15В | 85 мОм при 4 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 4.2А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | 85 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛС4030-7П | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-auirls40307trl-datasheets-9907.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 7 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЕРХНИЗКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 370 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г6 | 53 нс | 160 нс | 87 нс | 110 нс | 190А | 16В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 370 Вт Тс | 0,0039Ом | 320 мДж | 100В | N-канал | 11490пФ при 50В | 3,9 мОм при 110 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 190А Ц | 140 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРСЛ3036 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irls3036trrpbf-datasheets-1267.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10 недель | 380 Вт | ТО-262 | 11,21 нФ | 195А | 60В | 380 Вт Тс | 1,9 мОм | 60В | N-канал | 11210пФ при 50В | 2,4 мОм при 165 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 195А Ц | 140 НК при 4,5 В | 2,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRLU3110Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-auirlu3110z-datasheets-1637.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 260 | Одинокий | 30 | 140 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 24 нс | 110 нс | 48 нс | 33 нс | 63А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 140 Вт Тс | 42А | 250А | 100В | N-канал | 3980пФ при 25В | 1 В | 14 мОм при 38 А, 10 В | 2,5 В @ 100 мкА | 42А Тк | 48 НК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К450НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 65 мкА | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К450НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nlwfaft1g-datasheets-4970.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | да | Олово | не_совместимо | е3 | 11 нс | 110 нс | 5 нс | 21 нс | 27А | 20 В | 40В | 3,7 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 20 В | 2,8 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К410НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc | N-канал | 6100пФ при 25В | 0,92 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 86 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К430НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4866BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4866bdyt1ge3-datasheets-4881.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | 5,3 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 13 нс | 12нс | 9 нс | 57 нс | 16,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 4,45 Вт Тс | 50А | 20 мДж | 12 В | N-канал | 5020пФ при 6В | 5,3 мОм при 12 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 21,5 А Тс | 80 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДПЛ070Н10БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndpl070n10bg-datasheets-8696.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 нс | 180 нс | 40 нс | 55 нс | 70А | 20 В | 100В | 4В | 2,1 Вт Та 72 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 50В | 10,8 мОм при 35 А, 15 В | 4 В при 1 мА | 70А Та | 26 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C442NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nwfaft1g-datasheets-0869.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 2,3 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДБА100Н10БТ4Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndba100n10bt4h-datasheets-8685.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 4 недели | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 40 нс | 385 нс | 52 нс | 68 нс | 100А | 20 В | 100В | 110 Вт Тс | N-канал | 2950пФ при 50В | 6,9 мОм при 50 А, 15 В | 4 В при 1 мА | 100А Та | 35 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDI9409-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdi9409f085-datasheets-8615.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 2.084г | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80А | 40В | 94 Вт Тиджей | N-канал | 2980пФ при 25В | 3,8 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 56 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1315DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1315dlt1ge3-datasheets-8442.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 15 недель | 124,596154 мг | Нет СВХК | 336мОм | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 15нс | 8 нс | 14 нс | -900мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -400мВ | 300 мВт Ta 400 мВт Tc | 0,9 А | -8В | P-канал | 112пФ при 4В | 336 мОм при 800 мА, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 900 мА Тс | 3,4 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р230П6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r230p6atma1-datasheets-8641.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 16,8А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 126 Вт Тс | 48А | 0,23 Ом | 352 мДж | N-канал | 1450пФ при 100В | 230 мОм при 6,4 А, 10 В | 4,5 В @ 530 мкА | 16,8 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К430НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 65 мкА | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
