Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН7754 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 70 Вт | 1 | 32А | 20 В | 30В | 3,1 Вт Та 70 Вт Тс | N-канал | 1975 пФ при 15 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 24А Та 32А Ц | 40 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7342D2TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЕТКИ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-irf7342d2trpbf-datasheets-6084.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 14 нс | 10 нс | 22 нс | 43 нс | 3,4А | 20 В | Одинокий | 55В | P-канал | 690пФ при 25 В | 105 мОм при 3,4 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 38 НК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2400 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 2,8 Вт | 1 | 8А | 5В | 8В | 2,8 Вт Та | N-канал | 1645пФ при 4В | 11 мОм при 8 А, 2,5 В | 750 мВ при 250 мкА | 8А Та | 16 НК при 4,5 В | 1,2 В 2,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ2608Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | 72А | 60В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2995пФ при 30 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 3,6 В при 250 мкА | 11А Та 72А Ц | 55 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 11А | 600В | 272 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 25 В | 650 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 37 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК96180-100А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-buk96180100a118-datasheets-2105.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | 4.535924г | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 54 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 112нс | 25 нс | 18 нс | 11А | 15 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 54 Вт Тс | 44А | 0,2 Ом | 100В | N-канал | 619пФ при 25 В | 173 мОм при 5 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 11А Тк | 5В 10В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОИ508 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 70А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | ТО-251А | 159А | 0,003Ом | 68 мДж | N-канал | 2010пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А Та 70А Ц | 49 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA14N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n60p3-datasheets-0202.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 10 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 327 Вт Тс | 35А | 0,54 Ом | 700 мДж | N-канал | 1480пФ при 25В | 540 мОм при 7 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 14А Ц | 25 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК8Н80Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 7,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 245 Вт Тс | 26А | 433 мДж | N-канал | 1650пФ при 25В | 1,63 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7,4 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1343-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1343tlh-datasheets-2096.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | Другие транзисторы | 8,8 нс | 35 нс | 61 нс | 123 нс | 3,5 А | 10 В | Одинокий | 20 В | 1 Вт Та | -20В | P-канал | 1220пФ при 10В | 72 мОм при 2 А, 4,5 В | 3,5 А Та | 11 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9660-100А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-buk9660100a118-datasheets-2128.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 106 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 124 нс | 67 нс | 68 нс | 5,3А | 10 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 106 Вт Тс | 26А | 106А | 0,067Ом | 100В | N-канал | 1924 пФ при 25 В | 58 мОм при 15 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 26А Тк | 4,5 В 10 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9609-55А,118 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-buk960955a118-datasheets-2121.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 211 Вт Тк | 75А | 433А | 0,01 Ом | 400 мДж | N-канал | 4633пФ при 25 В | 8 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 60 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB20NQ20T, 118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-phb20nq20t118-datasheets-2116.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 46нс | 38 нс | 50 нс | 20А | 20 В | 200В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 80А | 252 мДж | 200В | N-канал | 2470пФ при 25В | 130 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 20А Ц | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4839НХТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4839nht3g-datasheets-7042.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 5,7 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | 19,6 нс | 3,4 нс | 23,2 нс | 64А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 870 мВт Ta 42,4 Вт Tc | 15А | 192А | 0,0103Ом | 109 мДж | 30В | N-канал | 2354пФ при 12 В | 5,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 9,5 А Та 64 А Тс | 43,5 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4197ФС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-2sk4197fs-datasheets-2023.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3 | Одинокий | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 20нс | 12 нс | 28 нс | 3,3А | 30В | 2 Вт Та 28 Вт Тс | 600В | N-канал | 260пФ при 30В | 3,25 Ом при 1,8 А, 10 В | 3,3 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4198ФС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4198fs-datasheets-2025.pdf | ТО-220-3 | 10,16 мм | 15,87 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 2 Вт | 13 нс | 28нс | 15 нс | 39 нс | 4А | 30В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 600В | N-канал | 360пФ при 30В | 2,34 Ом при 2,5 А, 10 В | 4А Тк | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7107-55АТЭ,118 | Нексперия США Инк. | 1,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk710755ate118-datasheets-1989.pdf | ТО-263-5, Д2Пак (4 отверстия + вкладка), ТО-263ББ | 4 | 5 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5 | Одинокий | 272 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 36 нс | 115 нс | 111 нс | 159 нс | 75А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 272 Вт Тс | 140А | 0,007Ом | 460 мДж | 55В | N-канал | 4500пФ при 25В | 7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 116 НК при 10 В | Диодный измеритель температуры | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7609-55А,118 | NXP США Инк. | $5,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | не_совместимо | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 55В | 211 Вт Тк | N-канал | 3271пФ при 25 В | 9 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9107-40АТС,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk910740atc118-datasheets-2078.pdf | ТО-263-5, Д2Пак (4 отверстия + вкладка), ТО-263ББ | 4 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 272 Вт Тс | 75А | 560А | 0,0077Ом | 1400 мДж | N-канал | 5836пФ при 25 В | 6,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | Диодный измеритель температуры | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7604-40А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk760440a118-datasheets-2046.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 33 нс | 110 нс | 76 нс | 151 нс | 198А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 75А | 794А | 0,0045Ом | 40В | N-канал | 5730пФ при 25 В | 4,5 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 75А Ц | 117 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 5LP01SS-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5lp01sstle-datasheets-1939.pdf | СК-81 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 150 мВт | Другие транзисторы | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | 50В | 150 мВт Та | 0,07А | -50В | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК78150-55А,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk7815055acux-datasheets-0437.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 8 Вт Тс | 5,5 А | 22А | 0,15 Ом | 25 мДж | N-канал | 230пФ при 25В | 150 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 5,5 А Тс | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3474-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch3474tlw-datasheets-1975.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 1 Вт | 10 нс | 41нс | 37 нс | 36 нс | 4А | 12 В | 1 Вт Та | 30В | N-канал | 430пФ при 10 В | 50 мОм при 2 А, 4,5 В | 4А Та | 4,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5871-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-cph5871tlw-datasheets-1967.pdf | СК-74А, СОТ-753 | Без свинца | 5 | 4 недели | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г5 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 900мВт Та | 0,052 Ом | N-канал | 430пФ при 10 В | 52 мОм при 2 А, 4,5 В | 3,5 А Та | 4,7 НК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4815NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd4815n35g-datasheets-9183.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | 4 | Одинокий | 1,92 Вт | 1 | 10,5 нс | 21,4 нс | 3,5 нс | 11,4 нс | 8,5 А | 20 В | 1,26 Вт Ta 32,6 Вт Tc | 30В | N-канал | 770пФ при 12 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6,9 А Та 35 А Тс | 6,6 нк при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3481-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch3481tlw-datasheets-1413.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 800мВт | 6,6 нс | 27нс | 19 нс | 28 нс | 2А | 9В | 800мВт Та | 20 В | N-канал | 175пФ при 10В | 104 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 2,9 нк @ 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3382-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch3382tlh-datasheets-1997.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | 3 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 4,8 нс | 11нс | 14 нс | 23 нс | 2А | 9В | КРЕМНИЙ | 12 В | 800мВт Та | 2А | 0,198 Ом | -12В | P-канал | 170пФ при 6В | 198 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 2,3 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1333-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-sch1333tlh-datasheets-2002.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 6 | Одинокий | 800мВт | 5,7 нс | 11нс | 20 нс | 34 нс | 2А | 10 В | 20 В | 800мВт Та | -20В | P-канал | 250пФ при 10В | 130 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК625Р2-30С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/nexperiausainc-buk625r230c118-datasheets-1993.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Олово | 3 | 15,3 нс | 41нс | 66 нс | 97 нс | 90А | 20 В | 30В | 128 Вт Тс | N-канал | 3470пФ при 25 В | 5,2 мОм при 15 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 90А Ц | 54,8 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5LP01C-TB-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-5lp01ctbe-datasheets-1937.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 3 | Одинокий | 250 мВт | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 70 мА | 10 В | 50В | 250мВт Та | -50В | P-канал | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 70 Та мА | 1,4 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В |
