Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Справочный стандарт Без галогенов Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
NVMFS5C450NLWFT3G NVMFS5C450NLWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nlwfaft1g-datasheets-4970.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,7 Вт Та 68 Вт Тс N-канал 2100пФ при 20 В 2,8 мОм при 40 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 35 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C430NT1G НВМФС5К430НТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,8 Вт Та 106 Вт Тс N-канал 3300пФ при 25В 1,7 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 47 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C450NWFT1G NVMFS5C450NWFT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 3,6 Вт Та 68 Вт Тс N-канал 1600пФ при 25В 3,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В @ 65 мкА 23 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C430NWFT1G NVMFS5C430NWFT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,8 Вт Та 106 Вт Тс N-канал 3300пФ при 25В 1,7 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 47 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C450NT3G НВМФС5К450НТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 3,6 Вт Та 68 Вт Тс N-канал 1600пФ при 25В 3,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В @ 65 мкА 23 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C450NLT1G НВМФС5К450НЛТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-nvmfs5c450nlwfaft1g-datasheets-4970.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) да Олово не_совместимо е3 11 нс 110 нс 5 нс 21 нс 27А 20 В 40В 3,7 Вт Та 68 Вт Тс N-канал 2100пФ при 20 В 2,8 мОм при 40 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 35 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C430NWFT3G NVMFS5C430NWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,8 Вт Та 106 Вт Тс N-канал 3300пФ при 25В 1,7 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 47 НК при 10 В 10 В ±20 В
AUXTLR3110Z AUXTLR3110Z Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует RoHS ДПАК
NVMFS5C442NWFT3G NVMFS5C442NWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nwfaft1g-datasheets-0869.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,7 Вт Та 83 Вт Тс N-канал 2100пФ при 25В 2,3 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 32 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C430NLWFT1G NVMFS5C430NLWFT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 5 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) АЭК-Q101 ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 1 Р-ПДСО-Ф5 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 40В 40В 3,8 Вт Та 110 Вт Тс 900А 0,0022Ом 493 мДж N-канал 4300пФ при 20 В 1,5 мОм при 50 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 70 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C442NT3G НВМФС5К442НТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nwfaft1g-datasheets-0869.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,7 Вт Та 83 Вт Тс N-канал 2100пФ при 25В 2,3 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 32 НК при 10 В 10 В ±20 В
IPD60R600CPATMA1 IPD60R600CPATMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать CoolMOS™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r600cpatma1-datasheets-8544.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 600В 60 Вт Тс N-канал 550пФ при 100В 600 мОм при 3,3 А, 10 В 3,5 В @ 220 мкА 6.1А Ц 27 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C450NWFT3G NVMFS5C450NWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 3,6 Вт Та 68 Вт Тс N-канал 1600пФ при 25В 3,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В @ 65 мкА 23 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C410NWFT3G NVMFS5C410NWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc N-канал 6100пФ при 25В 0,92 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 86 НК при 10 В 10 В ±20 В
CPH3455-TL-W CPH3455-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3455tlh-datasheets-4216.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 4 недели Нет СВХК 3 да Олово 4,2 нс 4,7 нс 5,7 нс 15 нс 20 В 35В 2,6 В 1 Вт Та N-канал 186пФ при 20В 104 мОм при 1,5 А, 10 В 2,6 В при 1 мА 3А Та 4 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
NVMFS5C430NLWFT3G NVMFS5C430NLWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 5 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) АЭК-Q101 ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 1 Р-ПДСО-Ф5 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 40В 40В 3,8 Вт Та 110 Вт Тс 900А 0,0022Ом 493 мДж N-канал 4300пФ при 20 В 1,5 мОм при 50 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 70 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C426NWFT1G NVMFS5C426NWFT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,8 Вт Та 128 Вт Тс N-канал 4300пФ при 25В 1,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 65 НК при 10 В 10 В ±20 В
SUP85N03-3M6P-GE3 СУП85Н03-3М6П-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2001 г. /files/vishaysiliconix-sup85n033m6pge3-datasheets-8506.pdf ТО-220-3 3 6.000006г Нет СВХК 3 EAR99 неизвестный е3 Матовый олово (Sn) 260 3 1 Одинокий 30 3,1 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 11 нс 10 нс 10 нс 35 нс 85А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 3,1 Вт Ta 78,1 Вт Tc ТО-220АБ 30В N-канал 3535пФ при 15В 3,6 мОм при 22 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 85А Ц 100 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
IXFN64N50PD3 IXFN64N50PD3 ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПоларХВ™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn64n50pd3-datasheets-8511.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный Р-ПУФМ-Х4 52А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 625 Вт Тс 50А 200А 0,085Ом 2500 мДж N-канал 11000пФ при 25В 85 мОм при 32 А, 10 В 5 В @ 8 мА 50А Ц 186 НК при 10 В 10 В ±30 В
5LN01M-TL-H 5ЛН01М-ТЛ-Х ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год /files/onsemiconductor-5ln01mtlh-datasheets-8513.pdf СК-70, СОТ-323 Без свинца 6 недель 3 да EAR99 Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) Без галогенов 3 Одинокий 150 мВт Полномочия общего назначения FET 18 нс 42нс 105 нс 190 нс 100 мА 10 В 150 мВт Та 0,1 А 50В N-канал 6,6 пФ при 10 В 7,8 Ом при 50 мА, 4 В 100 мА Та 1,57 НК при 10 В 1,5 В 4 В ±10 В
SI1489EDH-T1-GE3 SI1489EDH-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysiliconix-si1489edht1ge3-datasheets-8490.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 15 недель 7,512624 мг 48мОм 6 EAR99 Нет ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 6 1 Одинокий 156 Вт 1 Другие транзисторы 90 нс 170 нс 630 нс 690 нс КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,8 Вт Тс -8В P-канал 48 мОм при 3 А, 4,5 В 700 мВ при 250 мкА 2А Тк 16 НК при 4,5 В 1,2 В 4,5 В ±5 В
DMG4N60SK3-13 ДМГ4Н60СК3-13 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg4n60sk313-datasheets-8334.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 8 недель да EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 3,7А 600В 48 Вт Та N-канал 532пФ при 25 В 2,3 Ом при 2 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 3,7 А Тс 14,3 НК при 10 В 10 В ±30 В
SIR172DP-T1-GE3 СИР172ДП-Т1-GE3 Вишай Силиконикс 0,10 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishaysiliconix-sir172dpt1ge3-datasheets-8454.pdf ПауэрПАК® СО-8 Без свинца 5 12 недель 506,605978мг Неизвестный 12,4 МОм 8 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 8 1 Одинокий 40 3,9 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-XDSO-C5 19 нс 19нс 13 нс 19 нс 20А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В 30В 2,5 В 29,8 Вт Тс 50А 22 мДж N-канал 997пФ при 15 В 2,5 В 8,9 мОм при 16,1 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 20А Ц 30 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C410NT1G НВМФС5К410НТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc N-канал 6100пФ при 25В 0,92 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 86 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C426NWFT3G NVMFS5C426NWFT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 40В 3,8 Вт Та 128 Вт Тс N-канал 4300пФ при 25В 1,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 65 НК при 10 В 10 В ±20 В
DMG6968UQ-7 DMG6968UQ-7 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год /files/diodesincorporated-dmg6968u7-datasheets-5215.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 5 недель Нет СВХК 3 EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1,3 Вт 1 Полномочия общего назначения FET 6,5 А 12 В Одинокий 20 В 1,3 Вт Та N-канал 151пФ при 10В 25 мОм при 6,5 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 6,5 А Та 8,5 нк @ 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±12 В
SI1414DH-T1-GE3 SI1414DH-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1414dht1ge3-datasheets-8434.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 15 недель 28,009329мг 46мОм 6 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 1 Одинокий 30 1,56 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 6 нс 10 нс 10 нс 20 нс КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,8 Вт Тс 30В N-канал 560пФ при 15В 46 мОм при 4 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 4А Тк 15 НК при 8 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
NVMFS5C426NT1G НВМФС5К426НТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 3,8 Вт Та 128 Вт Тс N-канал 4300пФ при 25В 1,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 65 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS5C430NLT3G НВМФС5К430НЛТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 5 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) АЭК-Q101 ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 1 Р-ПДСО-Ф5 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ 40В 40В 3,8 Вт Та 110 Вт Тс 900А 0,0022Ом 493 мДж N-канал 4300пФ при 20 В 1,5 мОм при 50 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 70 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVMFS5C426NT3G НВМФС5К426НТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf 8-PowerTDFN Без свинца 38 недель 8 АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 3,8 Вт Та 128 Вт Тс N-канал 4300пФ при 25В 1,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 65 НК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.