Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C450NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nlwfaft1g-datasheets-4970.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,7 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 20 В | 2,8 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К430НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 65 мкА | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К450НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 65 мкА | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К450НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c450nlwfaft1g-datasheets-4970.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | Олово | не_совместимо | е3 | 11 нс | 110 нс | 5 нс | 21 нс | 27А | 20 В | 40В | 3,7 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 20 В | 2,8 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430naft1g-datasheets-1229.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 106 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 25В | 1,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 47 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXTLR3110Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ДПАК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C442NWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nwfaft1g-datasheets-0869.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 2,3 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0022Ом | 493 мДж | N-канал | 4300пФ при 20 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К442НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c442nwfaft1g-datasheets-0869.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 2,3 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R600CPATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r600cpatma1-datasheets-8544.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 600В | 60 Вт Тс | N-канал | 550пФ при 100В | 600 мОм при 3,3 А, 10 В | 3,5 В @ 220 мкА | 6.1А Ц | 27 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nwfaft1g-datasheets-0695.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 65 мкА | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc | N-канал | 6100пФ при 25В | 0,92 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 86 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3455-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3455tlh-datasheets-4216.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | Олово | 4,2 нс | 4,7 нс | 5,7 нс | 15 нс | 3А | 20 В | 35В | 2,6 В | 1 Вт Та | N-канал | 186пФ при 20В | 104 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 3А Та | 4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0022Ом | 493 мДж | N-канал | 4300пФ при 20 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C426NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 128 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 25В | 1,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП85Н03-3М6П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysiliconix-sup85n033m6pge3-datasheets-8506.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 11 нс | 10 нс | 10 нс | 35 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,1 Вт Ta 78,1 Вт Tc | ТО-220АБ | 30В | N-канал | 3535пФ при 15В | 3,6 мОм при 22 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 85А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFN64N50PD3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn64n50pd3-datasheets-8511.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х4 | 52А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 625 Вт Тс | 50А | 200А | 0,085Ом | 2500 мДж | N-канал | 11000пФ при 25В | 85 мОм при 32 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 50А Ц | 186 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01М-ТЛ-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-5ln01mtlh-datasheets-8513.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 6 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 150 мВт Та | 0,1 А | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1489edht1ge3-datasheets-8490.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 15 недель | 7,512624 мг | 48мОм | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 1 | Одинокий | 156 Вт | 1 | Другие транзисторы | 90 нс | 170 нс | 630 нс | 690 нс | 2А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 2,8 Вт Тс | 2А | -8В | P-канал | 48 мОм при 3 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 2А Тк | 16 НК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4Н60СК3-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg4n60sk313-datasheets-8334.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,7А | 600В | 48 Вт Та | N-канал | 532пФ при 25 В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 3,7 А Тс | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР172ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sir172dpt1ge3-datasheets-8454.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 12,4 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 19 нс | 19нс | 13 нс | 19 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2,5 В | 29,8 Вт Тс | 50А | 22 мДж | N-канал | 997пФ при 15 В | 2,5 В | 8,9 мОм при 16,1 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||
| НВМФС5К410НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc | N-канал | 6100пФ при 25В | 0,92 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 86 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C426NWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,8 Вт Та 128 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 25В | 1,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/diodesincorporated-dmg6968u7-datasheets-5215.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,3 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 6,5 А | 12 В | Одинокий | 20 В | 1,3 Вт Та | N-канал | 151пФ при 10В | 25 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 6,5 А Та | 8,5 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1414DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1414dht1ge3-datasheets-8434.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 15 недель | 28,009329мг | 46мОм | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 1,56 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,8 Вт Тс | 4А | 30В | N-канал | 560пФ при 15В | 46 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Тк | 15 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К426НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,8 Вт Та 128 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 25В | 1,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К430НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0022Ом | 493 мДж | N-канал | 4300пФ при 20 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К426НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c426naft1g-datasheets-6596.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,8 Вт Та 128 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 25В | 1,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
