Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СУП85Н03-3М6П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysiliconix-sup85n033m6pge3-datasheets-8506.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 11 нс | 10 нс | 10 нс | 35 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,1 Вт Ta 78,1 Вт Tc | ТО-220АБ | 30В | N-канал | 3535пФ при 15В | 3,6 мОм при 22 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 85А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN64N50PD3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn64n50pd3-datasheets-8511.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х4 | 52А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 625 Вт Тс | 50А | 200А | 0,085Ом | 2500 мДж | N-канал | 11000пФ при 25В | 85 мОм при 32 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 50А Ц | 186 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП35CN10NGXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp35cn10ngxksa1-datasheets-8410.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 58 Вт Тс | ТО-220АБ | 27А | 108А | 0,035 Ом | 47 мДж | N-канал | 1570пФ при 50В | 35 мОм при 27 А, 10 В | 4 В @ 29 мкА | 27А ТЦ | 24 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р2К0С6АКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipu60r2k0c6akma1-datasheets-8413.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 2,4А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 22,3 Вт Тс | 6А | 2Ом | 11 мДж | N-канал | 140пФ при 100В | 2 Ом при 760 мА, 10 В | 3,5 В @ 60 мкА | 2,4 А Тс | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД02Н40Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd02n40t4g-datasheets-8422.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 2 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 5 нс | 7нс | 4 нс | 14 нс | 1,7 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 400В | 400В | 39 Вт Тс | 6,9А | 0,0055Ом | 120 мДж | N-канал | 121пФ при 25В | 5,5 Ом при 220 мА, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 1,7 А Тс | 5,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ01Н60Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ndt01n60t1g-datasheets-8440.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 5,1 нс | 21,3 нс | 16,5 нс | 400 мА | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 2,5 Вт Тс | 600В | N-канал | 160пФ при 25В | 8,5 Ом при 200 мА, 10 В | 3,7 В при 50 мкА | 400 мА Тс | 7,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-3lp01stle-datasheets-8420.pdf | СК-75, СОТ-416 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е6 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 24 нс | 55нс | 130 нс | 120 нс | 100 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 150 мВт Та | 0,1 А | -30В | P-канал | 7,5 пФ при 10 В | 10,4 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,43 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К430НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c430nlaft1g-datasheets-0686.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0022Ом | 493 мДж | N-канал | 4300пФ при 20 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410naft1g-datasheets-8527.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,9 Вт Ta 166 Вт Tc | N-канал | 6100пФ при 25В | 0,92 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 86 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXFN8403TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auxfn8403tr-datasheets-8365.pdf | 8-TQFN Открытая колодка | 8-PQFN (5x6) | 3,174 нФ | 95А | 40В | 94 Вт Тс | N-канал | 3174пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 95А Ц | 98 НК при 10 В | 3,3 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP20N60CFDHKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp20n60cfdhksa1-datasheets-8370.pdf | ТО-220-3 | 3 | 208 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 2,4 нФ | 12 нс | 15 нс | 6,4 нс | 59 нс | 20,7А | 20 В | 650В | 208 Вт Тк | N-канал | 2400пФ при 25В | 220 мОм при 13,1 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 20,7 А Тс | 124 НК при 10 В | 220 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП50Р299КПХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp50r299cphksa1-datasheets-8375.pdf | ТО-220-3 | 3 | 104 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3-1 | 1,19 нФ | 35 нс | 14нс | 12 нс | 80 нс | 12А | 20 В | 550В | 104 Вт Тс | N-канал | 1190пФ при 100В | 299 мОм при 6,6 А, 10 В | 3,5 В при 440 мкА | 12А Ц | 31 НК при 10 В | 299 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х1Д3СИ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4,6А | 700В | 41 Вт Тс | N-канал | 351пФ при 50В | 1,3 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 13,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП024Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi024n06n3gxksa1-datasheets-3703.pdf | ТО-220-3 | Нет | 250 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 23нФ | 120А | 20 В | 60В | 250 Вт Тс | N-канал | 23000пФ при 30В | 2,4 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 196 мкА | 120А Ц | 275 НК при 10 В | 2,4 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7885TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФАСТИРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7885trpbf-datasheets-8346.pdf | 8-VQFN | 5 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 22А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 3,6 Вт Та 156 Вт Тс | 250А | 0,0039Ом | 202 мДж | N-канал | 2311пФ при 40 В | 3,9 мОм при 50 А, 10 В | 3,6 В @ 150 мкА | 22А Та | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7882TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФАСТИРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7882trpbf-datasheets-8356.pdf | 8-VQFN | 5 | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 26А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 4 Вт Та 195 Вт Тс | 290А | 0,0031Ом | 704 мДж | N-канал | 3186пФ при 40 В | 3,1 мОм при 50 А, 10 В | 3,6 В @ 250 мкА | 26А Та | 74 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП039Н04ЛГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp039n04lghksa1-datasheets-8407.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 94 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 400А | 0,0052Ом | 60 мДж | N-канал | 6100пФ при 25В | 3,9 мОм при 80 А, 10 В | 2 В при 45 мкА | 80А Ц | 78 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП50Р199CPHKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp50r199cpxksa1-datasheets-8108.pdf | ТО-220-3 | ПГ-ТО220-3-1 | 550В | 139 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 100В | 199 мОм при 9,9 А, 10 В | 3,5 В при 660 мкА | 17А Тк | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP07N60C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa07n60c3xksa1-datasheets-3567.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | Не квалифицированный | 6 нс | 3,5 нс | 7 нс | 60 нс | 7,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 600В | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,6 Ом | N-канал | 790пФ при 25В | 600 мОм при 4,6 А, 10 В | 3,9 В @ 350 мкА | 7,3 А Тс | 27 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1430-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1430tlw-datasheets-8285.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 2А | 12 В | 20 В | 1,3 В | 800мВт Та | N-канал | 128пФ при 10В | 125 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 2А Та | 1,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3ЛН01М-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-3ln01mtle-datasheets-8340.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 150 мА | 10 В | 30В | 150 мВт Та | N-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 1,3 В @ 100 мкА | 150 мА Та | 1,58 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х1Д3Ш3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmj70h1d3sh3-datasheets-8342.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4,6А | 700В | 41 Вт Тс | N-канал | 351пФ при 50В | 1,3 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,6 А Тс | 13,9 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2192WP-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-hat2192wpele-datasheets-8264.pdf | 8-PowerWDFN | 5 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-XDSO-N5 | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 25 Вт Тс | 20А | 0,23 Ом | N-канал | 710пФ при 25 В | 230 мОм при 5 А, 10 В | 10А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К670НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c670nlwfaft1g-datasheets-4576.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТ (последнее обновление: 14 часов назад) | да | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 60нс | 4 нс | 15 нс | 71А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 2В | 3,6 Вт Та 61 Вт Тс | 440А | 166 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,1 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та 71А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6421-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch6421tle-datasheets-3951.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | Нет СВХК | 88 | да | 7,5 нс | 26нс | 32 нс | 38 нс | 5,5 А | 12 В | 20 В | 1,3 В | 1,5 Вт Та | N-канал | 410пФ при 10 В | 38 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 5,5 А Та | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ69М8ЛСС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmt69m8lss13-datasheets-8330.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 9,8А | 60В | 1,25 Вт Та | N-канал | 1925 пФ при 30 В | 12 мОм при 13,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 9,8А Та | 33,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6344-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch6344tlh-datasheets-6839.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | Нет СВХК | 88 | да | 4,5 нс | 4,2 нс | 10,6 нс | 20 нс | 2А | 20 В | 30В | -2,6 В | 800мВт Та | P-канал | 172пФ при 10 В | 150 мОм при 1 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 2А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7739L2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7739l2tr-datasheets-9830.pdf | DirectFET™ Изометрический L8 | 9 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-XBCC-N9 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 3,8 Вт Ta 125 Вт Tc | 46А | 1070А | 0,001 Ом | 160 мДж | N-канал | 11880пФ при 25В | 1 мОм при 160 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 46А Та 270А Ц | 330 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1331-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-sch1331tlh-datasheets-4188.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 6 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 8,8 нс | 80 нс | 50 нс | 41 нс | 3А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | -1,3 В | 1 Вт Та | 3А | 0,084Ом | P-канал | 405пФ при 6В | 84 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 3А Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП086Н10Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipp086n10n3ghksa1-datasheets-8293.pdf | ТО-220-3 | 100В | 125 Вт Тс | N-канал | 3980пФ при 50В | 8,6 мОм при 73 А, 10 В | 3,5 В @ 75 мкА | 80А Ц | 55 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В |
