Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5417 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5420-datasheets-7853.pdf | Осевой | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Да | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,5 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 200В | 80А | 150 нс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 3А | 1 мкА при 200 В | 1,5 В при 9 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-idh20g120c5xksa1-datasheets-8065.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 16 недель | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 1 | 56А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 330 Вт | 123 мкА | 1,2 кВ | 198А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 56А | 1 | 1050пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 123 мкА при 1200 В | 1,8 В при 20 А | 56А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-idw30g65c5xksa1-datasheets-8074.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 30А | 1,7 В | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 165А | 650В | 165А | 220 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 860пФ @ 1В 1МГц | 220 мкА при 650 В | 1,7 В при 30 А | 30 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5550 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-1n5554-datasheets-7989.pdf | Б, Осевой | Содержит свинец | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Да | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 5А | 1,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 200В | 100А | 2 мкс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 3А | 1 мкА при 200 В | 1,2 В при 9 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LS4448GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ls4148gs18-datasheets-6237.pdf | 200 мА | Вариант СОД-80 | 4пФ | 3,5 мм | 1,6 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | LS4448 | Одинокий | 175°С | СОД-80 КвадроМЭЛФ | 150 мА | 1В | 2А | 50 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 2А | 5 мкА | 100 В | 2А | 75В | 8 нс | 8 нс | Стандартный | 100 В | 300 мА | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 25 нА при 20 В | 1 В при 100 мА | 150 мА | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20 215 бац. | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bas20215-datasheets-7995.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БАС20 | 3 | 150°С | 30 | 1 | 200 мА | 1,25 В | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 200В | 50 нс | Стандартный | 0,2 А | 5пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 100 нА при 150 В | 1,25 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20 235 бац. | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-bas20215-datasheets-7995.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БАС20 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 200В | ТО-236АБ | 50 нс | Стандартный | 0,2 А | 5пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 100 нА при 150 В | 1,25 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C4D10120E | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7,34 мм | 2,388 мм | 6,248 мм | 6 недель | Неизвестный | 3 | Нет | 136 Вт | Одинокий | ТО-252-2 | 16А | 1,8 В | 71А | 250 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 46А | 350 мкА | 1,2 кВ | 71А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 10А | 754 пФ при 0 В 1 МГц | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 1,8 В при 10 А | 33А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДХ10G120C5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-idh10g120c5xksa1-datasheets-7928.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 16 недель | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 1 | 31,9А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 165 Вт | 62 мкА | 1,2 кВ | 99А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 10А | 1 | 525пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 62 мкА при 1200 В | 1,8 В при 10 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСДИ60-16А | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-dsdi6018a-datasheets-5777.pdf | 1,6 кВ | 63А | ТО-247-2 | Без свинца | 2 | 20 недель | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 63А | 4,1 В | 540А | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2мА | 1,6 кВ | 540А | 1,6 кВ | 300 нс | 300 нс | Стандартный | 1,6 кВ | 63А | 500А | 1 | 1600В | 2 при мА 1600 В | 4,1 В при 70 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-100BGQ100 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Радиальный, Винт, Сквозное Отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs100bgq100-datasheets-7936.pdf | PowerTab™, PowIRtab™ | 12 недель | 2 | Нет | Одинокий | PowIRtab™ | 100А | 6,3 кА | 300 мкА | 0,2 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100А | 100 В | 300 мкА при 100 В | 1,04 В при 100 А | 100А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ХФА08СД60С-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vshfa08sd60sm3-datasheets-7940.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | HFA08SD60 | 3 | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 2,1 В | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 14 Вт | 5 мкА | 600В | 60А | ТО-252АА | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5809US | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5809us-datasheets-7944.pdf | SQ-MELF, Б | Содержит свинец | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, МЕТАЛЛУРГИЧЕСКАЯ СВЯЗКА | Да | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) – с никелевым (Ni) барьером | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 6А | 875мВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100 В | 125А | 30 нс | Стандартный | 100 В | 3А | 1 | 3А | 60пФ @ 10В 1МГц | 5 мкА при 100 В | 875 мВ при 4 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФФШ30120А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Непригодный | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ffsh30120a-datasheets-7946.pdf | ТО-247-2 | 2 | 10 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 175°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 500 Вт | 1200В | 200 мкА | ТО-247АБ | 1,75 В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1400А | 1 | 46А | 1740пФ @ 1В 100кГц | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 46А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS220AGC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-220-2 | 9,8 мм | 15,37 мм | 4,45 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 130 Вт | НЕ УКАЗАН | СКС220 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 20А | 1,55 В | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 71А | 400 мкА | 650В | 260А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 650В | 20А | 1 | 730пФ @ 1В 1МГц | 400 мкА при 600 В | 1,55 В при 20 А | 20 А постоянного тока | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC050SDA070B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-msc010sda070k-datasheets-4425.pdf | ТО-247-2 | 13 недель | ТО-247 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 700В | 1,5 В при 50 А | 50 А постоянного тока | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Инфинеон Технологии | $20,27 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Сквозное отверстие | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-idwd20g120c5xksa1-datasheets-7970.pdf | ТО-247-2 | 16 недель | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1368пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 166 мкА при 1200 В | 1,65 В при 20 А | 62А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS220KGC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohm-scs220kgc-datasheets-4017.pdf | ТО-220-2 | 9,8 мм | 15,37 мм | 4,45 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | СКС220 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 210 Вт | 1 | 20А | 1,4 В | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,71 °С/Вт | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 310А | 400 мкА | 1,2 кВ | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 20А | 1 | 1060пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 400 мкА при 1200 В | 1,6 В при 20 А | 20 А постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5554 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5554-datasheets-7989.pdf | Б, Осевой | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Да | Одинокий | 5А | 1,3 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1 мкА | 1кВ | 100А | 2 мкс | Стандартный | 1кВ | 3А | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,2 В при 9 А | 3А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕЭС1106 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-ues1106-datasheets-7991.pdf | А, Осевой | Содержит свинец | 2 | 8 недель | 2 | нет | Нет | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | 1А | 1,25 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 20А | 50 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1 | 2А | 10 мкА при 400 В | 1,25 В при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-25Ф120 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, шпилька, внешнее крепление | Шасси, крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs25f40-datasheets-7911.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 12,69 мм | 31,8 мм | 11 мм | 1 | 13 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Д1 | 25А | 900 мВ | 373А | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 373А | 12 мА | 1,2 кВ | 373А | 1,2 кВ | 3 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 25А | 1 | 1200В | 12 при мА 1200 В | 1,3 В при 78 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5614US | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | ЛАВИНА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5618us-datasheets-0738.pdf | SQ-MELF, А | Содержит свинец | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Свинец, Олово | Да | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,3 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 500нА | 200В | 30А | 2 мкс | Стандартный | 200В | 1А | 1А | 500 нА при 200 В | 1,3 В при 3 А | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-idw75d65d1xksa1-datasheets-7921.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | СВОБОДНЫЙ ДИОД, PD-CASE | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 1 | 150А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40 мкА | 650В | 580А | 127 нс | Стандартный | 650В | 150А | 1 | 40 мкА при 650 В | 1,7 В при 75 А | 150 А постоянного тока | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭИ60-10А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-dsei6010a-datasheets-7925.pdf&product=ixys-dsei6010a-5980030 | 1кВ | 60А | ТО-247-2 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 189 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 60А | 65А | 2,3 В | 540А | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500А | 3мА | 1кВ | 540А | 1кВ | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 1кВ | 60А | 1 | 1000В | 3 при мА 1000 В | 2,3 В при 60 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5416 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5420-datasheets-7853.pdf | Б, Осевой | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Да | Одинокий | 1,5 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 мкА | 100 В | 80А | 150 нс | Стандартный | 100 В | 3А | 100 В | 1 мкА при 100 В | 1,5 В при 9 А | 3А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C4D05120A | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-2 | 390пФ | 10,41 мм | 19 431 мм | 4699 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 81 Вт | Одинокий | 175°С | ТО-220-2 | 5А | 1,8 В | 46А | 150 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 400А | 150 мкА | 1,2 кВ | 46А | 1,2 кВ | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 8,2А | 390пФ при 0 В 1 МГц | 1200В | 150 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 19А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS212AGC | РОМ Полупроводник | $3,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | ТО-220-2 | 9,8 мм | 15,37 мм | 4,45 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | АЭК-Q101 | 93 Вт | НЕ УКАЗАН | СКС212 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 93 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 12А | 1,55 В | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 45А | 240 мкА | 650В | 170А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 12А | 1 | 438пФ @ 1В 1МГц | 240 мкА при 600 В | 1,55 В при 12 А | 12 А постоянного тока | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9Р3060П2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Стелс™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-isl9r3060p2-datasheets-7884.pdf | 600В | 30А | ТО-220-2 | 120пФ | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 2,16 г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 200 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 30А | 2,4 В | 325А | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 325А | 100 мкА | 600В | 325А | 600В | 45 нс | 45 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 100 мкА при 600 В | 2,4 В при 30 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5615US | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-1n5617us-datasheets-4650.pdf | SQ-MELF, А | Содержит свинец | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Да | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,6 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 13 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500нА | 200В | 30А | 150 нс | Стандартный | 200В | 1А | 1А | 45пФ @ 12В 1МГц | 500 нА при 200 В | 1,6 В при 3 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D10060G | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 11,05 мм | 4,572 мм | 10,312 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 136,3 Вт | Одинокий | ТО-263-2 | 14А | 1,8 В | 250А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 90А | 50 мкА | 600В | 250А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 10А | 480пФ при 0В 1МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,8 В при 10 А | 29А постоянного тока | -55°К~175°К |
