| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Напряжение проба | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МУР440РЛГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mur460rlg-datasheets-0772.pdf | 400В | 4А | ДО-201АД, Осевой | Без свинца | 2 | 5 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | МУР440 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 4А | 1,28 В | 110А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110А | 10 мкА | 400В | 110А | 400В | 75 нс | 75 нс | Стандартный | 400В | 4А | 1 | 10 мкА при 400 В | 1,28 В при 4 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУП3060 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-rurp3060-datasheets-7515.pdf | 600В | 30А | ТО-220-2 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2,16 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 125 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | 30А | 30А | 1,5 В | 325А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 325А | 250 мкА | 600В | 325А | 600В | ТО-220АС | 60 нс | 60 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 250 мкА при 600 В | 1,5 В при 30 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V30100S-E3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vb30100se38w-datasheets-5617.pdf | ТО-220-3 | 10,54 мм | 15,32 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий анод | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 910 мВ | 250А | 1 мА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 1 мА | 100 В | 250А | ТО-220АБ | Шоттки | 100 В | 30А | 1 | 1 при мА 100 В | 910 мВ при 30 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30WQ06FNHM3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30wq06fnhm3-datasheets-7535.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30WQ06 | 150°С | 10 | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2000 мкА | ТО-252АА | Шоттки | 60В | 3,5 А | 70А | 1 | 145пФ @ 5В 1МГц | 60В | 2 при мА 60 В | 610 мВ при 3 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-15ETX06FP-N3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs15etx06fpn3-datasheets-7538.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | 14 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 15ETX06 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 15А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ГИПЕР-БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | ТО-220АС | 22 нс | Стандартный | 600В | 15А | 1 | 50 мкА при 600 В | 3,2 В при 15 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-20ЭЦ12С-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs20ets12sm3-datasheets-7543.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 20А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 100 мкА | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 20А | 1 | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 1,1 В при 20 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPSC2H12D | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭКОПАК®2 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stpsc2h12d-datasheets-7546.pdf | ТО-220-2 | 2 | 14 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТПСК2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 2А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ МОЩНОСТИ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200В | 12 мкА | ТО-220АС | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 190пФ @ 0В 1МГц | 1200В | 12 мкА при 1200 В | 1,5 В при 2 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDV30E65D2XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-idv30e65d2xksa1-datasheets-7548.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | Без свинца | 2 | 16 недель | 2 | да | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 47 Вт | 650В | 180А | 40 мкА | 70 нс | Стандартный | 650В | 30А | 1 | 40 мкА при 650 В | 2,2 В при 30 А | 30 А постоянного тока | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-50WQ06FNHM3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs50wq06fnhm3-datasheets-7557.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 50WQ06 | 150°С | 10 | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | ТО-252АА | Шоттки | 60В | 5,5 А | 320А | 1 | 360пФ @ 5В 1МГц | 60В | 3 при мА 60 В | 570 мВ при 5 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭИ8-06А | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-dsei806a-datasheets-7465.pdf | 600В | 8А | ТО-220-2 | 10,66 мм | 9,66 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 28 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | ДСЭИ8-06 | 3 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 8А | 8А | 1,5 В | 100А | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110А | 20 мкА | 600В | 110А | 600В | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 20 мкА при 600 В | 1,5 В при 8 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н914 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n914-datasheets-7398.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 6 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | Одинокий | ДО-35 (ДО-204АХ) | 1,2 В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 500нА | 75В | 2А | 20 нс | Стандартный | 75В | 200 мА | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 500 нА при 75 В | 1,2 В при 50 мА | 200 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ETU3006S-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsetu3006sm3-datasheets-7468.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 14 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 30А | 2В | 200А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 20нА | 600В | 200А | 600В | 45 нс | 45 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 30 мкА при 600 В | 2 В при 70 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D03060E | Кри/Вулфспид | $2,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | Сквозное отверстие | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7,34 мм | 2,388 мм | 7,518 мм | 6 недель | Неизвестный | 3 | Нет | 53 Вт | Одинокий | ТО-252-2 | 3А | 1,7 В | 100А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 100А | 100 мкА | 600В | 100А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 3А | 155пФ при 0 В 1 МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 3 А | 11А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TST40L200CW C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tst40l200cwc0g-datasheets-7407.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 100 мкА при 200 В | 880 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4148-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-1n41481-datasheets-7410.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4пФ | 1,91 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | 8541.10.00.70 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/116Л | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Квалифицированный | 175°С | 100 мА | 1,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 2А | 500нА | 75В | 2А | 75В | 5 нс | Стандартный | 75В | 200 мА | 500 нА при 75 В | 1,2 В при 100 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БВВ27-100-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv27100tr-datasheets-6917.pdf | 2А | 3,6 мм | СОД-57, Осевой | 3,9878 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | ПРОВОЛОКА | БВВ27-100 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 1,07 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 1 мкА | 100 В | 50А | 100 В | 25 нс | 25 нс | лавина | 100 В | 2А | 1 | 2А | 1 мкА при 100 В | 1,07 В при 3 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VFT2045BP-M3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vft2045bpm34w-datasheets-7422.pdf | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,26 мм | 15,24 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 20А | 660 мВ | 160А | 2мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 160А | 2мА | 45В | 160А | Шоттки | 45В | 20А | 1 | 2 при мА 45 В | 660 мВ при 20 А | 20 А постоянного тока | 200°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRVB120ESFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbr120esft1g-datasheets-8166.pdf | СОД-123 | 2,9 мм | 880 мкм | 1,8 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | МБР120 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40А | 10 мкА | 20 В | 40А | Шоттки | 20 В | 1А | 1А | 10 мкА при 20 В | 530 мВ при 1 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСИ30-08АС-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsi3008astrl-datasheets-7283.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | ДСИ30-08 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10пФ при 400В 1МГц | 800В | 40 мкА при 800 В | 1,29 В при 30 А | 30А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР3У-10М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr3u10mtr13pbfree-datasheets-7171.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 42 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 175°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000В | 5 мкА | 100 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 2 В @ 3 А | 3А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VFT3045BP-M3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vft3045bpm34w-datasheets-7441.pdf | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,26 мм | 15,24 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 700мВ | 200А | 2мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 2мА | 45В | 200А | Шоттки | 45В | 30А | 1 | 2 при мА 45 В | 700 мВ при 30 А | 30 А постоянного тока | 200°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA08TB60PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-hfa08tb60pbf-datasheets-7448.pdf | 600В | 8А | ТО-220-2 | 10пФ | 10,54 мм | 8,76 мм | 4,57 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 14 недель | 2 | Нет | Стандартный | Одинокий | ТО-220АС | 8А | 8А | 1,7 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 5 мкА | 600В | 60А | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQA30T300 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qspeed™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/powerintegrations-lqa30t300-datasheets-7452.pdf | ТО-220-2 | 2 | 4 недели | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3 | Одинокий | 113 Вт | 1 | 30А | 200А | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250 мкА | 300В | 350А | 300В | 13,7 нс | 13,7 нс | Стандартный | 300В | 30А | 1 | 250 мкА при 300 В | 1,95 В при 30 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС30СМ120СТ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭКОПАК®2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps30sm120sfp-datasheets-0033.pdf | ТО-220-3 | 3 | 11 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТПС30 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 275 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 120 В | 30А | 240А | 1 | 120 В | 275 мкА при 120 В | 950 мВ при 30 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C4D02120E-TR | Кри/Вулфспид | 1,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2001 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7 недель | ТО-252-2 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 167пФ при 0 В 1 МГц | 1200В | 50 мкА при 1200 В | 1,8 В при 2 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH8R06G-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth8r06fp-datasheets-0239.pdf | 600В | 8А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STTH8R06 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 8А | 8А | 2,9 В | 80А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 30 мкА | 600В | 80А | 600В | 45 нс | 45 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 30 мкА при 600 В | 2,9 В при 8 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4003G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-1n4007rlg-datasheets-7952.pdf | 200В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,1816 мм | 5,2 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | Нет | Стандартный | Без галогенов | 1N4003 | Одинокий | ДО-41 | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | 200В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30А | 10 мкА | 200В | 30А | 200В | Стандартный | 200В | 1А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ10200 | Диодные решения SMC | 0,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 16 недель | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 1 при мА 200 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH30L06G-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth30l06gtr-datasheets-7306.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТТХ30 | 3 | Общий анод | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 30А | 1,55 В | 160А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 25 мкА | 600В | 300А | 600В | 90 нс | 90 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 25 мкА при 600 В | 1,55 В при 30 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РХРП15120 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-rhrp15120-datasheets-7311.pdf | 1,2 кВ | 15А | ТО-220-2 | 55пФ | 10,67 мм | 19 177 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 2,16 г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 15А | 15А | 3,2 В | 200А | КАТОД | ГИПЕРБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 100 мкА | 1,2 кВ | 200А | 1,2 кВ | 75 нс | 75 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 15А | 1 | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 3,2 В при 15 А | -65°К~175°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.