| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Время обратного восстановления-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW100E60FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-idw100e60fksa1-datasheets-7736.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 150А | 2В | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40 мкА | 600В | 400А | 120 нс | Стандартный | 1 | 100А | 40 мкА при 600 В | 2 В при 100 А | 150 А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40DQ100BG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt40dq100bg-datasheets-7741.pdf | 1кВ | 40А | ТО-247-2 | Без свинца | 2 | 25 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | Нет | 8541.10.00.80 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 40А | 40А | 3В | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 1кВ | 210А | 250 нс | Стандартный | 1кВ | 40А | 1 | 1000В | 100 мкА при 1000 В | 3 В при 40 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ60Д120БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | 1,2 кВ | 60А | ТО-247-2 | 60пФ | 21,46 мм | 25,96 мм | 16,26 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 6,500007г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | Нет | 8541.10.00.80 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | Р-ПСФМ-Т2 | 60А | 60А | 2,5 В | 540А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 540А | 250 мкА | 1,2 кВ | 540А | 1,2 кВ | 400 нс | 400 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 60А | 1 | 1,2 кВ | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 2,5 В при 60 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D06060A | Кри/Вулфспид | $3,29 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-2 | 10,41 мм | 15 621 мм | 4699 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 79 Вт | Одинокий | 6А | 1,8 В | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 200А | 50 мкА | 600В | 70А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 600В | 6А | 294пФ при 0 В 1 МГц | 50 мкА при 600 В | 1,8 В при 6 А | 19А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5616 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | ЛАВИНА | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n5616-datasheets-7752.pdf | А, Осевой | 2 | 7 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Да | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 1,3 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 500нА | 400В | 30А | 2 мкс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 500 нА при 400 В | 1,3 В при 3 А | -65°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH3006PI | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth3006pi-datasheets-7754.pdf | 600В | 30А | DOP3I-2 Изолированный (прямые выводы) | 15,5 мм | 12,85 мм | 4,6 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 225 | СТТХ30 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 30А | 1,85 В | 160А | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 25 мкА | 600В | 300А | 600В | 70 нс | 70 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 25 мкА при 600 В | 1,85 В при 30 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУРГ8060-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-rurg8060f085-datasheets-7759.pdf | ТО-247-2 | 4 недели | 6,33 г | да | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 80А | 1,34 В | 240А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 240А | 250 мкА | 600В | 90 нс | 74 нс | Стандартный | 600В | 80А | 600В | 250 мкА при 600 В | 1,6 В при 80 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-8EWF06S-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs8ewf02sm3-datasheets-5703.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8EWF06 | 3 | Общий анод | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 8А | 1,2 В | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 100 мкА | 600В | 150А | ТО-252АА | 55 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 100 мкА при 600 В | 1,2 В при 8 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS215AJTLL | РОМ Полупроводник | $5,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 20 недель | 2.000002г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СКС215 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 15А | 1,55 В | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 200А | 300 мкА | 650В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 15А | 1 | 550пФ @ 1В 1МГц | 300 мкА при 600 В | 1,55 В @ 15 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ4030T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrb4030t4g-datasheets-7476.pdf | 30 В | 40А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 11,05 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Стандартный | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБРБ4030 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 40А | 40А | 550 мВ | 300А | 350 мкА | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300А | 350 мкА | 30 В | 300А | Шоттки | 30 В | 40А | 1 | 350 мкА при 30 В | 550 мВ при 40 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС30СМ100СГ-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps30sm100sgtr-datasheets-6929.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТПС30 | 3 | Общий анод | 1 | Р-ПССО-Г2 | 30А | 870мВ | 60А | 530А | 45 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 530А | 45 мкА | 100В | 530А | Шоттки | 100В | 30А | 1 | 45 мкА при 100 В | 870 мВ при 30 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2J R5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2gr5g-datasheets-0339.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 20 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | 35 нс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 20пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ХФА04СД60С-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vshfa04sd60sm3-datasheets-7579.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | HFA04SD60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 2,2 В | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 16А | ТО-252АА | Стандартный | 600В | 4А | 25А | 1 | 4А | 0,042 мкс | 3 мкА при 600 В | 1,8 В при 4 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСИ30-08А | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-dsi3008a-datasheets-7599.pdf | ТО-220-2 | 10,66 мм | 16,51 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 28 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.80 | ДСИ30-08 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 1,45 В | 300А | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 300А | 1 мА | 800В | 330А | 800В | Стандартный | 800В | 30А | 1 | 10пФ при 400В 1МГц | 40 мкА при 800 В | 1,29 В при 30 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХФА15ТБ60ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЕКСФРЕД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-hfa15tb60pbf-datasheets-7601.pdf | 600В | 15А | ТО-220-2 | Без свинца | 14 недель | 2 | ТО-220АС | 15А | 1,7 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 нс | Стандартный | 600В | 15А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДХ04G65C5XKSA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-idh04g65c5xksa2-datasheets-7605.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 18 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | 4А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 48 Вт | 70 мкА | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 650В | 4А | 1 | 4А | 130пФ @ 1В 1МГц | 70 мкА при 650 В | 1,7 В при 4 А | 4А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D04060F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,3 мм | 16,07 мм | 4,9 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 13,1 Вт | Одинокий | ТО-220-Ф2 | 4А | 1,7 В | 110А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30А | 100 мкА | 600В | 30А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 4А | 251пФ при 0 В 1 МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 4 А | 6А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH5R06BY-TR | СТМикроэлектроника | 1,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stth5r06bytr-datasheets-7059.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 15 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | STTH5R06 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 3,2 В | 250 мкА | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 35 нс | 40 нс | Стандартный | 600В | 5А | 1 | 30 мкА при 600 В | 3,2 В при 5 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS210AJTLL | РОМ Полупроводник | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 20 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 83 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СКС210 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10А | 1,35 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1,8 °С/Вт | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 40А | 200 мкА | 650В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 600В | 10А | 1 | 365пФ @ 1В 1МГц | 200 мкА при 600 В | 1,55 В при 10 А | 10 А постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭП29-12А | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХиПерФРЕД™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-dsep2912a-datasheets-7647.pdf | ТО-220-2 | 10,66 мм | 16,51 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 28 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | СНАББЕРНЫЙ ДИОД, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 2,75 В | 200А | КАТОД | МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 170 Вт | 200А | 250 мкА | 1,2 кВ | 200А | 1,2 кВ | 40 нс | 40 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 30А | 1 | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 2,75 В при 30 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТТХ3010D | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth3010pi-datasheets-0592.pdf | 1кВ | 30А | ТО-220-2 | 12пФ | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | СТТХ30 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 30А | 780 мВ | 180А | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 180А | 15 мкА | 1кВ | 180А | 1кВ | 100 нс | 100 нс | Стандартный | 1кВ | 30А | 1 | 1000В | 15 мкА при 1000 В | 2 В при 30 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D06060G | Кри/Вулфспид | $5,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 11,05 мм | 4,572 мм | 10,312 мм | 6 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 79 Вт | Одинокий | ТО-263-2 | 6А | 1,8 В | 200А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 70А | 50 мкА | 600В | 70А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 6А | 295пФ при 0 В 1 МГц | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 6 А | 19А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДХ04G65C6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-idh04g65c6xksa1-datasheets-7673.pdf | ТО-220-2 | 2 | 18 недель | EAR99 | PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 12А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 45 Вт | 650В | 14 мкА | ТО-220АС | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 205пФ @ 1В 1МГц | 650В | 14 мкА при 420 В | 1,35 В при 4 А | 12 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУРГ5060 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-rurg5060-datasheets-7677.pdf | 600В | 50А | ТО-247-2 | 15,8 мм | 20,8 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 6,33 г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 150 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 50А | 50А | 1,6 В | 500А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500А | 250 мкА | 600В | 500А | 600В | 75 нс | 75 нс | Стандартный | 600В | 50А | 1 | 250 мкА при 600 В | 1,6 В при 50 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4150-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n41501-datasheets-7560.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 6 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Квалифицированный | 400 мА | 1В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 75В | 500 мА | 4 нс | Стандартный | 50В | 200 мА | 100 нА при 50 В | 1 В при 200 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ETU3006FP-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsetu3006fpm3-datasheets-7482.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 10,36 мм | 16,07 мм | 4,93 мм | 2 | 14 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 30А | 2В | 200А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УФСРХП | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 20нА | 600В | 200А | 600В | 45 нс | 45 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 30 мкА при 600 В | 2 В при 30 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C4D02120E | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7,34 мм | 2,388 мм | 6,248 мм | 6 недель | Неизвестный | 3 | Нет | 40,5 Вт | Одинокий | ТО-252-2 | 5,9А | 1,8 В | 18,8А | 50 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 19А | 150 мкА | 1,2 кВ | 18,8А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 5,9А | 167пФ при 0 В 1 МГц | 1200В | 50 мкА при 1200 В | 1,8 В при 2 А | 10 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VT4045BP-M3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vt4045bpm34w-datasheets-7489.pdf | ТО-220-2 | 10,2362 мм | 15,24 мм | 4826 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 40А | 670мВ | 240А | 3мА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 240А | 3мА | 45В | 240А | Шоттки | 45В | 40А | 1 | 3 при мА 45 В | 670 мВ при 40 А | 40 А постоянного тока | 200°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ02SLT12-252 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 127пФ | 2,385 мм | 49 недель | Нет СВХК | 3 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 2А | 2,3 °С/Вт | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 200А | 200нА | 1,2 кВ | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 5А | 2А | 131пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 50 мкА при 1200 В | 1,8 В при 2 А | 5А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40250ТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mbrf40250tg-datasheets-5726.pdf | 250 В | 40А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Стандартный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | МБР40250 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 40А | 40А | 970 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 2мА | 250 В | 150А | ТО-220АБ | 35 нс | Шоттки | 250 В | 40А | 1 | 500пФ @ 5В 1МГц | 30 мкА при 250 В | 970 мВ при 40 А | -65°К~150°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.