Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Скорость | Обратное время восстановления | Тип диода | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SR1090 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sr10150c0g-datasheets-5651.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 5 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||
| SFF2004GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | |||
| SFF507GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В @ 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| SFF501G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 980 мВ при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1006GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1006gc0g-datasheets-9885.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 0В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В @ 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||
| SFF2001GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | |||
| СФАФ2001GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf2008gc0g-datasheets-3705.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 170пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||
| SR1030HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sr10150c0g-datasheets-5651.pdf | ТО-220-3 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 5 А | 10А | -55°К~125°К | ||||||
| SFF2005GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 10 А | 20А | -55°К~150°К | |||
| SFF1601G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1606gc0g-datasheets-9937.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 8 А | 16А | -55°К~150°К | ||||
| SFF2001G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SFF502GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 980 мВ при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| SFF1606GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1606gc0g-datasheets-9937.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1005GAHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1008gac0g-datasheets-2683.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SR1060HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sr10150c0g-datasheets-5651.pdf | ТО-220-3 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 5 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||
| SFF2002G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff2005gc0g-datasheets-6844.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SFF503G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 980 мВ при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1008GAHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1008gac0g-datasheets-2683.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 5 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SR1030 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sr10150c0g-datasheets-5651.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 5 А | 10А | -55°К~125°К | ||||||
| СФАФ503Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf508gc0g-datasheets-2195.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 975 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1004GA C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1008gac0g-datasheets-2683.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 5 А | 10А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1605GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1606gc0g-datasheets-9937.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1607GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1606gc0g-datasheets-9937.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | ||||
| SFF501GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 980 мВ при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| СФАФ804Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf806gc0g-datasheets-7989.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 90пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFF1002GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff1006gc0g-datasheets-9885.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 5 А | 10А | -55°К~150°К | ||||
| СФАФ503GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf508gc0g-datasheets-2195.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 975 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| SFF1005GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-sff1006gc0g-datasheets-9885.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 0В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В @ 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| СФАФ504GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf508gc0g-datasheets-2195.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| СФАФ507Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf508gc0g-datasheets-2195.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 5А | -55°К~150°К |
