| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Скорость | Обратное время восстановления | Тип диода | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFA803G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 100пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFA807G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 60пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SF807G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf808gc0g-datasheets-2720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFA802G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 100пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFA801G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 100пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SF802G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf808gc0g-datasheets-2720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFA1006G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa1005gc0g-datasheets-3159.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В @ 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||
| SFA1003GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa1005gc0g-datasheets-3159.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 975 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SF804G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf808gc0g-datasheets-2720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| СФАФ1004GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf1008gc0g-datasheets-4369.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 170пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SF3005PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В @ 15 А | 30А | -55°К~150°К | ||||
| SF3006PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В @ 15 А | 30А | -55°К~150°К | ||||
| МБР7100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||
| SF2006GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf2004gc0g-datasheets-3232.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В @ 10 А | 20А | -55°К~150°К | |||
| SF2007G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf2004gc0g-datasheets-3232.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 500В | 5 мкА при 500 В | 1,7 В при 10 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SF3002PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 950 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | ||||
| SFA1001GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa1005gc0g-datasheets-3159.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 975 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SF1607PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf1606ptc0g-datasheets-4358.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 85пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | |||
| SFA805G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 60пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SFA804G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa808gc0g-datasheets-2583.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 100пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||
| SF3003PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 950 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | |||||
| SF1608PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf1606ptc0g-datasheets-4358.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 85пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | |||
| SFA1005GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa1005gc0g-datasheets-3159.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В @ 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SFA1002GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfa1005gc0g-datasheets-3159.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||
| SF807GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf808gc0g-datasheets-2720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||
| SF2002PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf2006ptc0g-datasheets-4236.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SF3001PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 950 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | ||||
| SF802GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf808gc0g-datasheets-2720.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 975 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||
| SF2001PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-sf2006ptc0g-datasheets-4236.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 175пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SF1608PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf1606ptc0g-datasheets-4358.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 85пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.