Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР750 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | 100 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 50В | 100 мкА при 50 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||
| МБРФ16Х45 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf16h45c0g-datasheets-3075.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 500 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 275А | 1 | 16А | 45В | 500 мкА при 45 В | 630 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||
| МБРФ7100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ10100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1050HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ745 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ10150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,05 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ20100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 20А | 100В | 100 мкА при 100 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||
| МБРФ2050 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 820 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ735 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ2090HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 20А | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||
| МБРФ16150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ750 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ735HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ16100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 300 мкА при 100 В | 850 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1660HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1690 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 300 мкА при 90 В | 850 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ2050HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 820 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1660 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1090HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ745HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf760c0g-datasheets-7602.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1645 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 500 мкА при 45 В | 630 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ5150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf5100c0g-datasheets-3057.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| HERAF802G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf808gc0g-datasheets-0363.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||
| МБРФ16150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ2035 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 200 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 20А | 35В | 200 мкА при 35 В | 750 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||
| МБРФ10200HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 100 мкА при 200 В | 1,05 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1035HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||
| SX073H060A4OT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Править | 1 | EAR99 | 8541.10.00.40 | ДА | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 175°С | 1 | S-XUUC-N1 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | Шоттки | 1 | 60В | 50 мкА при 60 В | 7,3 В @ 7,5 А | 7,5 А постоянного тока | -65°К~175°К | ||||||||||||||||
| МБРФ1650 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 750 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К |
