Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР7150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1045 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 45В | 100 мкА при 45 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1050 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50В | 100 мкА | ТО-220АС | Стандартный | 150А | 1 | 10А | 50В | 100 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10200HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 200В | 100 мкА при 200 В | 1,05 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1045HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 45В | 100 мкА при 45 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1060HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР7100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР735 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 100 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB540L-6314E3/72 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-201АД, Осевой | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 480 мВ при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4004ГПЭ-Е3/91 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007gpe354-datasheets-2720.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | 2 | Олово | Нет | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5 мкА | 400В | 30А | 400В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 400В | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭР1Д-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-er1ktp-datasheets-4543.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 0,975 В | 50 нс | Стандартный | 30А | 1А | 45пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLSH05-40M621 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh0540m621bk-datasheets-2726.pdf | 6-PowerVFDFN | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40В | Шоттки | 10А | 0,5 А | 50пФ @ 1В 1МГц | 40В | 100 мкА при 30 В | 470 мВ при 500 мА | 500 мА постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLSH1-40M621H БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m621htr-datasheets-2831.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н6 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,6 Вт | 40В | 15 нс | Шоттки | 10А | 1А | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 600 мВ при 500 мА | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА806HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-gpa805c0g-datasheets-0285.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭР1ДЖ-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-er1ktp-datasheets-4543.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 75нс | Стандартный | 1А | 45пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛШ1-40М322С ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m322sbk-datasheets-2907.pdf | 3-ТДФН Открытая площадка | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40В | 0,29 В | 15 нс | Шоттки | 10А | 1А | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF801G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf808gc0g-datasheets-0363.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГС1КЕ-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-gs1getp-datasheets-0009.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | 1,1 В | 2 мкс | Стандартный | 30А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF805G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf808gc0g-datasheets-0363.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF804G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf808gc0g-datasheets-0363.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF1003G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf1004gc0g-datasheets-2545.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,05 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGB12HT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500В | 50 нс | Стандартный | 135А | 1 | 12А | 500В | 30 мкА при 500 В | 1,75 В при 12 А | 12А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GS1JE-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-gs1getp-datasheets-0009.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 600В | 1,1 В | 2 мкс | Стандартный | 30А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| УГ56Г А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ug54gr0g-datasheets-5048.pdf | ДО-201АД, Осевой | ДО-201АД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20нс | Стандартный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,55 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 100 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 150А | 1 | 10А | 100В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGB5HT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500В | 50 нс | Стандартный | 65А | 1 | 5А | 500В | 30 мкА при 500 В | 1,75 В при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF1602G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf1606gc0g-datasheets-7345.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 150пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В @ 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА804 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-gpa805c0g-datasheets-0285.pdf | ТО-220-2 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛШ1-40М322С БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m322sbk-datasheets-2907.pdf | 3-ТДФН Открытая площадка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15 нс | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 1А постоянного тока | -65°К~150°К |
