Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБРФ1035HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SX073H060A4OT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Править | 1 | EAR99 | 8541.10.00.40 | ДА | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 175°С | 1 | S-XUUC-N1 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | Шоттки | 1 | 60В | 50 мкА при 60 В | 7,3 В @ 7,5 А | 7,5 А постоянного тока | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1650 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1645hc0g-datasheets-3334.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 750 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1035HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 35В | 100 мкА при 35 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР790 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР745HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ2035HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 200 мкА при 35 В | 750 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР1035 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 35В | 100 мкА при 35 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1045HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР760 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 100 мкА | ТО-220АС | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 60В | 100 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||
| МБРФ5100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf5100c0g-datasheets-3057.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 900 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D4201N18TS01VFXPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | ДО-200АЭ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2200В | 200 мА при 2200 В | 1 В при 4000 А | 6010А | -40°К~160°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ2090 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf2060c0g-datasheets-3041.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 20А | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||
| МБР745 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1090 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1035 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 700 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ1050 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbrf10200c0g-datasheets-2637.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР735HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 15 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР760HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SX073H045S4PT | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Править | 1 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.40 | ДА | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 175°С | 1 | S-XUUC-N1 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | Шоттки | 1 | 45В | 50 мкА при 45 В | 630 мВ при 7,5 А | 7,5 А постоянного тока | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||
| МБР1050HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 50В | 100 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HERAF1006G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf1004gc0g-datasheets-2545.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 60пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РЛ254М-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-rl252mtp-datasheets-2185.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 5 мкА | Стандартный | 100А | 1 | 2,5 А | 35пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 В @ 40 В | 2,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||
| HERAF1002G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf1004gc0g-datasheets-2545.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР750HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS1J-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-fs1atp-datasheets-2736.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 250 нс | Стандартный | 1А | 50пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1А | -50°К~150°К | |||||||||||||||
| CR3-040ГПП ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицированный | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | ||||||||||||||
| МБР1090 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr1060c0g-datasheets-6211.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | ТО-220АС | Стандартный | 150А | 1 | 10А | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||
| HERAF803G C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-heraf808gc0g-datasheets-0363.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР7150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mbr7150hc0g-datasheets-2988.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 7,5 А | 7,5 А | -55°К~150°К |
