| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Скорость | Обратное время восстановления | Тип диода | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAF1630HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf16100c0g-datasheets-3755.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 16 А | 16А | -55°К~125°К | |||||
| SRAF520HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 20 В | 500 мкА при 20 В | 550 мВ при 5 А | 5А | -55°К~125°К | |||||
| SRA8100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA890HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||
| SRAF1030 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 10 А | 10А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA890 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||
| SRAF1090HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||
| SRA1630HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 16 А | 16А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA860HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||
| СФАФ2007Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf2008gc0g-datasheets-3705.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 150пФ @ 4В 1МГц | 500В | 10 мкА при 500 В | 1,7 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SRAF10100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||
| SRA2030 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra20150c0g-datasheets-3757.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 20 А | 20А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA840 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||
| SRAF16100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf16100c0g-datasheets-3755.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||
| SRAF530 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf520hc0g-datasheets-3771.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 5 А | 5А | -55°К~125°К | ||||||
| SRAF10100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||
| SFF505GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| SRA820 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 20 В | 500 мкА при 20 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA1650HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||
| SRA1690 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||
| SRA1640HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 16 А | 16А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA2040HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra20150c0g-datasheets-3757.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 20 А | 20А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA1640 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 16 А | 16А | -55°К~125°К | ||||||
| СФАФ2006Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf2008gc0g-datasheets-3705.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 150пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||
| SRA1650 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||
| SRA830 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||
| SFF504GHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sff504gc0g-datasheets-7558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 70пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 980 мВ при 2,5 А | 5А | -55°К~150°К | |||
| SRA8100 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra8150c0g-datasheets-2790.pdf | ТО-220-2 | ТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||
| SRA20100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra20150c0g-datasheets-3757.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||
| SRAF10150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf10150c0g-datasheets-3739.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.