Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Конфигурация | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| С1М-Ф | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES38 | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1МР2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ДО-214АС, СМА | 4,6 мм | 2,3 мм | 2,83 мм | 2 | Нет | 1А | 1кВ | Одинокий | ДО-214АС (СМА) | 1А | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30А | 1 мкА | 1кВ | 30А | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||
| S1G-JR3 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДО-214АС, СМА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1Б-Ф | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1J-JR2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДО-214АС, СМА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗ800Н18КС05ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D1030N22TPRXOSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | ДО-200АБ, Б-ПУК | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2200В | 40 при мА 2200 В | 1,11 В при 1000 А | 1030А | 160°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ160ММ-50ТФТР | РОМ Полупроводник | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rb160mm50tftr-datasheets-3945.pdf | СОД-123Ф | 2 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | Шоттки | 1А | 40В | 30 мкА при 40 В | 510 мВ при 1 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4003G Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D6001N50TS05XPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-d6001n50ts05xpsa1-datasheets-3917.pdf | ДО-200АЭ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 5000В | 400 мА при 5000 В | 1,3 В при 6000 А | 8010А | -40°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRA10150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra10100c0g-datasheets-2578.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGF12J C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ugf12jhc0g-datasheets-3872.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 нс | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 2 В при 12 А | 12А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НД260Н08ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 30 при мА 800 В | 1,32 В при 800 А | 260А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4002GHB0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n4005ga0g-datasheets-0752.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 10пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBD650-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-cdbd660g-datasheets-2293.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50В | Шоттки | 75А | 6А | 50В | 500 мкА при 50 В | 750 мВ при 6 А | 6А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGF8JDHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ugf8jdc0g-datasheets-3640.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 нс | Стандартный | 600В | 500 нА при 600 В | 2,3 В при 8 А | 8А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRA16100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra16100c0g-datasheets-3637.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 56DN06ELEMEVMITPRXPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | ДО-200АБ, Б-ПУК | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 100 мА при 600 В | 1,15 В при 10 000 А | 6400А | 180°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3E | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 45пФ @ 4В 1МГц | 300В | 5 мкА при 300 В | 1,25 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17DN02S01EVOPRXPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1Д-Ф | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF830HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 100 мкА при 30 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRA20150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sra20150c0g-datasheets-3757.pdf | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF16100HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf16100c0g-datasheets-3755.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 16 А | 16А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF8150HC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 500 мкА при 150 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НД171Н08ХПСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 20 при мА 800 В | 1,26 В при 500 А | 171А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1А-Ф | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | СМА (ДО-214АС) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЗ600Н14ХQSA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Непригодный | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-dz600n08khpsa1-datasheets-0870.pdf | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1400В | 40 при мА 1400 В | 1,4 В при 2200 А | 735А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAF8150 C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sraf8100hc0g-datasheets-3809.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 500 мкА при 150 В | 550 мВ при 8 А | 8А | -55°К~125°К |
